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Transistor N-Channel Mosfet BSS138PS Nexperia 60V 0,2A 0,42W SOT363 [10 pcs] BP

Transistor N-Channel Mosfet BSS138PS Nexperia 60V 0,2A 0,42W SOT363 [10 pcs] BP

 
  • Transistor-TypKleiner Schalttransistor
  • HerstellernummerBSS138PS
  • MarkeNexperia
  • ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
  • MontageartOberflächenmontage
  • Anzahl der Pins6
  • GehäuseSOT-363
  • MaßeinheitEinheit
  • Anzahl der Einheiten10
  • Artikelnr.334670557603
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  • ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
  • Transistor-TypLeistungstransistor
  • MarkeVerschiedene
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  • MarkeMICRO COMMERCIAL COMPONENTS
  • HerstellerMICRO COMMERCIAL COMPONENTS
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  • ProduktartElektronik
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  • GehäuseSOT-23
  • MarkeInfineon
  • Transistor-TypKleinsignal-Transistoren
  • MontageartPCB-Montage
  • HerstellernummerBSS138N, BSS138N H6327
  • Kollektor-Emitter-Spannung20 V
  • ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Maximaler DC Kollektorstrom1,4 A
  • Anzahl der Pins3
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  • GehäuseSOT-23
  • MarkeInfineon
  • Transistor-TypKleinsignal-Transistoren
  • MontageartPCB-Montage
  • HerstellernummerBSS138N, BSS138N H6327
  • Kollektor-Emitter-Spannung60 V
  • ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Maximaler DC Kollektorstrom0,23 A
  • Anzahl der Pins3
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  • GehäuseformSOT-23
  • MarkeMotorola
  • HerstellernummerBSS138LT1, BSS84LT1
  • Spannung VDS50V
  • TransistortypP-FET, N-FET
  • Minimale Betriebstemperatur-55°C
  • Maximale Betriebstemperatur150°C
  • Strom200mA, 130mA
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  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Anzahl der Pins3
  • Kollektor-Emitter-Spannung60 V
  • MaßeinheitEinheit
  • Maximale Basis-Emitter Spannung20 V
  • Maximale Betriebstemperatur150 °C
  • Maximale Verlustleistung420 mW
  • Minimale Betriebstemperatur-55 °C
  • MontageartOberflächenmontage
  • ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
  • Spitzenstrom360 mA
  • Transistor-TypLeistungstransistor
  • MarkeVerschiedene
  • Herstellernummer05-0010-01033
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  • ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
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  • GehäuseSOT-23
  • MarkeFSC
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V, -50 V
  • Maximaler DC Kollektorstrom0,22 A
  • Maximale Verlustleistung0,36 W
  • Maximale Kollektor-Emitter Sättigungsspannung0,36 V
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  • HerstellernummerBSS138PS
  • MarkeNexperia
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  • Anzahl der Pins6
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  • ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
  • Anzahl der Pins3
  • MontageartOberflächenmontage
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  • Maximale Verlustleistung225 mW
  • GehäuseSOT-23-3
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  • SerieBSS138
  • Maximaler DC Kollektorstrom200 mA
  • Anzahl der Einheiten100
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  • HerstellernummerBSS138WH6327XTSA1
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  • ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
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  • ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
  • Anzahl der Pins3
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  • HerstellernummerBSS138P.215, BSS138P
  • MarkeNexperia
  • Maximale Betriebstemperatur150 °C
  • MontageartOberflächenmontage
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  • ProduktartNicht vorhanden
  • HerstellernummerBSS138LT1G
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  • GehäuseSOT-23-3
  • Maximale Betriebstemperatur150 °C
  • Maximale Betriebsfrequenzkeine Angabe
  • MarkeInfineon
  • Transistor-TypMOSFET
  • Breite1,3 mm
  • MontageartOberflächenmontage
  • HerstellernummerBSS138N-E6327
  • Minimale Gleichstromverstärkungkeine Angabe
  • Länge2,9 mm
  • ProduktartTransistor
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • KonfigurationEinfach
  • Zolltarifnummer85412900
  • TechnologieGaN
  • TransistorpolungN-Kanal
  • Anazhl der Kanäle1
  • Anzahl der Pins3
  • Drain-Source-Durchschlagsspannung60 V
  • Drain-Gleichstrom230 mA
  • Transistorart1 N-Kanal
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  • HerstellernummerBSS138A-TP, BSS138A
  • MarkeMCC
  • ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
  • MontageartOberflächenmontage
  • KonfigurationEinfach
  • Anzahl der Pins3
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • GehäuseSOT-23
  • MaßeinheitEinheit
  • SerieBSS
  • Anzahl der Einheiten10
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  • Transistor-TypKleiner Schalttransistor
  • HerstellernummerBSS138BKW
  • MarkeNexperia
  • ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
  • MontageartOberflächenmontage
  • KonfigurationEinfach
  • Anzahl der Pins3
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • GehäuseSOT-323
  • MaßeinheitEinheit
  • SerieBSS
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  • KonfigurationEinfach
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  • ProduktartHersteller: NEXPERIA
  • HerstellerNEXPERIA
  • Transistor-TypN-MOSFET
  • Polarisierungunipolar
  • Drain-Source Spannung60V
  • Drainstrom0.32A
  • Verlustleistung260mW
  • GehäuseSOT323
  • Gate-Source Spannung±20V
  • Widerst im Leitungszust900mΩ
  • MontageSMD
  • Gate-Ladung0.8nC
  • Verpackungs-ArtRolle
  • Kanal-Artstark
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