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IGBT-Modul Hitachi MBN1200E33C 3300 V 1200 A Einzelschalter, neu
- HerstellernummerMBN1200E33C
- Maximale Betriebstemperatur+125 °C
- Maximale Basis-Emitter Spannung20 V
- Kollektor-Emitter3300 V
- Herstellungsland und -regionJapan
- Maximale Kollektor-Basis Spannungxxx
- ProduktartIGBT
- Länge190
- Höhe38 mm
- Maximale Basis-Emitter-Spannung20 V
- KonfigurationEinfach
- Anzahl der Einheiten1
- Maximaler DC Kollektorstrom1200 A
- Minimale Betriebstemperatur-40°C
- MaßeinheitEinheit
- Minimale Gleichstromverstärkung1200
- Kollektor-Emitter-Spannung3300V
- Transistor-TypIGBT
- SerieMBN
- Breite140 mm
- TransistortypIGBT
- MarkeHitachi
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SKiiP23NAB126V1 SEMIKRON Modul IGBT DiodeTransistor buck chopper 1,2kV 31A
- MarkeSEMIKRON
- ProduktartIGBT
- Maximaler DC Kollektorstrom1,2 A
- Kollektor-Emitter-Spannung1,2 kV
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Mitsubishi CM50DU-24F IGBT Module 1200V 50A NChannel R6-D13
- MarkeMitsubishi
- HerstellernummerCM50DU-24F
- Volt1200V
- Amper50A
- EAN4251192715371
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CM100DY-24A IGBT MODULE DUAL 1200V 100A MITSUBISHI 716203
- MarkeMITSUBISHI
- HerstellernummerCM100DY-24A
- Volt1200V
- Amper100A
- EAN4251192726773
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IGCM20F60GAXKMA1 IPM-Modul, IGBT, 600 V, 20 A, DIP, intelligente Leistungsmodule
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Transistor, IGBT Modul, 1200V, 40A
- MarkeFusemi
- ProduktartIGBT
- Maximale Kollektor-Basis Spannung1200 V
- Maximaler DC Kollektorstrom40 A
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MICROCHIP TECHNOLOGY APT85GR120JD60 IGBT-MODUL
- BrandMICROCHIP TECHNOLOGY
- MarkeMICROCHIP TECHNOLOGY
- ProduktartIGBT
- MPNAPT85GR120L
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Transistor, IGBT Modul, 650V, 100A
- HerstellernummerS3L100R07G6
- Maximale Kollektor-Emitter Sättigungsspannung650 V
- MarkeSemi-Future Technology
- Herstellungsland und -regionChina
- ProduktartIGBT
- Maximaler DC Kollektorstrom100 A
- Kollektor-Emitter-Spannung100 V, -100 V
- EAN04262439050001
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Transistor, IGBT Modul, 1200V, 300A
- MarkeFusemi
- ProduktartIGBT
- Maximale Kollektor-Basis Spannung1200 V
- Maximaler DC Kollektorstrom300 A
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1 Stück FSBB15CH60C IGBT Smart Power Modul (G)
- BrandFAIR_CHILD
- MarkeFairchild Industries
- EAN766683664358
- Maximale Betriebstemperatur60 °C
- Anzahl der Pins27
- UPC766683664358
- Minimale Betriebstemperatur-15 °C
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Transistor, IGBT Modul, 1200V, 450A
- MarkeFusemi
- ProduktartIGBT
- Maximale Kollektor-Basis Spannung1200 V
- Maximaler DC Kollektorstrom450 A
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Semikron SKM50GB12T4 Dual Half Bridge IGBT Module, 81 A 1200 V 0,055
- HerstellernummerSKM50GB12T4
- MarkeSEMIKRON
- ProduktartDual Half Bridge IGBT Module
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IGBT Modul Hitachi MBN1200E33C
- Country/Region of ManufactureJapan
- TypeIGBT
- Transistor CategoryPower Transistor
- Maximum DC Collector Current2400A
- ConfigurationSingle
- BrandHitachi
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Infineon Technologies IGBT Modul Trench FZ1600R33HE4BPSA1 1 Stück 0,46
- HerstellernummerIGBT Modul, FZ1600R33HE4BPSA1
- MarkeInfineon
- ProduktartIGBT Modul
- EANnichtzutreffend
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Transistor, IGBT Modul, 1200V, 15A
- MarkeFusemi
- ProduktartIGBT
- Maximale Kollektor-Basis Spannung1200 V
- Maximaler DC Kollektorstrom15 A
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Transistor, IGBT Modul, 1200V, 200A
- MarkeFusemi
- ProduktartIGBT
- Maximale Kollektor-Basis Spannung1200 V
- Maximaler DC Kollektorstrom200 A
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Transistor, IGBT Modul, 1200V, 75A
- MarkeFusemi
- ProduktartIGBT
- Maximale Kollektor-Basis Spannung1200 V
- Maximaler DC Kollektorstrom75 A
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Transistor, IGBT Modul, 650V, 150A
- Maximale Kollektor-Emitter Sättigungsspannung650 V
- MarkeFusemi
- ProduktartIGBT
- Maximaler DC Kollektorstrom150 A
- EAN04262439050018
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SIEMENS BSM200GA120D Dual IGBT Module
- MarkeSIEMENS
- HerstellernummerBSM200GA120D
- ProduktartIGBT
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STGIPN3H60-E STMicroelectronics IGBT 3 Phasen 600V 3A 26-PowerDIP Modul 740123
- MarkeSTMicroelectronics
- HerstellernummerSTGIPN3H60-E
- ProduktartIGBT
- EAN4251192740601
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Transistor, IGBT Modul, 1200V, 40A
- MarkeFusemi
- ProduktartIGBT
- Maximale Kollektor-Basis Spannung1200 V
- Maximaler DC Kollektorstrom40 A
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MOSFET IGBT Modul, FP15R12YT3, 15A, 1200V, 3Phasen, Infineon 1St
- MarkeInfineon
- EANnichtzutreffend
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IXYS MID145-12A3 IGBT Module
- MarkeIXYS
- Herstellernummer194-401
- ProduktartIGBT
- Maximaler DC Kollektorstrom12 A
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