Business & Industrie
4MBI400VG-060R-50 Fujitsu Japan Power IGBT Module 400A 600V Modul
Die Inhalte dieser Webseite enthalten Affiliate-Links, für die wir möglicherweise eine Vergütung erhalten.
Hinweis: Die auf dieser Unterseite aufgelisteten Artikel sind keine B-Ware Artikel
Hinweis: Die auf dieser Unterseite aufgelisteten Artikel sind keine B-Ware Artikel
4MBI400VG-060R-50 Fujitsu Japan Power IGBT Module 400A 600V Modul
- Transistor-TypLeistungstransistor
- Herstellernummer4MBI400VG, 4MBI400VG 060R 50, 4MBI400VG-060R 50, 4MBI400VG-060R-50, 4MBI400VG-060R50, 4MBI400VG060R 50
- MarkeFujitsu
- ProduktartIGBT
- Spitzenstrom400 A
- Maximaler DC Kollektorstrom400 A
- Kollektor-Emitter-Spannung600 V
- Artikelnr.372966918956
Jetzt bei eBay:
Zum Angebot *
125,-
4MBI400VG-060R-50 IGBT (400A 600V). Sie sind zur Rückgabe gebrauchter Batterien als Endnutzer gesetzlich verpflichtet. Die auf den Batterien abgebildeten Symbole haben folgende Bedeutung = Batterie darf nicht in den Hausmüll gegeben werden.
Das könnte Dich auch interessieren:
- 10 Paar IR LED 3mm 940nm Infrarot Emittierende Diode Sender Empfänger
- Laser IR Thermometer Infrarot Pyrometer Distanz 301 bis 1500C BTMETER BT-1500
- Infrarot Sender Empfänger Modul Set 5V IR Transmitter Receiver für Arduino
- Infrarot Hinderniserkennung Sensor Modul IR Sensor Modul geeignet für Arduino
- 2 Stück IRLZ34N Transistor N-MOSFET 30A 55V 68W TO220
- 0.96 Zoll OLED Display weiß SSD1306 128x64 I2CIIC Modul
- INA219 Spannungssensor Strom Sensor Monitoring - Messspannung bis 26V I2C
- MOSFET IRF520 Modul N-Kanal Power-MOS Transistor Treibermodul LED Arduino
- Antriebsplatine des reinen Sinus-Wechselrichters EGS002 EG8010 IR2110-Antriebsmo
- IRFZ44NPBF N-Kanal MOSFET 55V 49A 94W 60ns THT TO-220AB TTL N-Channel IRFZ44N
Jetzt bei eBay:
Mitsubishi CM50DU-24F IGBT Module 1200V 50A NChannel R6-D13
- MarkeMitsubishi
- HerstellernummerCM50DU-24F
- Volt1200V
- Amper50A
- EAN4251192715371
Jetzt bei eBay:
CM100DY-24A IGBT MODULE DUAL 1200V 100A MITSUBISHI 716203
- MarkeMITSUBISHI
- HerstellernummerCM100DY-24A
- Volt1200V
- Amper100A
- EAN4251192726773
Jetzt bei eBay:
2MBI300N-120 FUJI IGBT Modul Dual Power Module 1200V 300A New
- Transistor-TypLeistungstransistor
- Herstellernummer2MBI300N, 2MBI300N-120
- MarkeFuji
- ProduktartIGBT
- Anzahl der Elemente pro Chip2
- Kollektor-Emitter-Spannung1200 V
- Maximaler DC Kollektorstrom300 A
Jetzt bei eBay:
GP350MHB06S DYNEX Half Bridge IGBT Module 600V 350A Power Modul
- Transistor-TypLeistungstransistor
- MarkeDYNEX
- ProduktartIGBT
- Anzahl der Elemente pro ChipSEMICONDUCTORS/TRANSISTOR IGBT
- Maximale Kollektor-Basis Spannung600 V
- Maximaler DC Kollektorstrom350 A
- Kollektor-Emitter-Spannung600 V
Jetzt bei eBay:
APT100GT60JR Microsemi Thunderbolt IGBT 600V 148A SOT-227 Power Module
- Transistor-TypLeistungstransistor
- HerstellernummerAPT100GT60, APT100GT60JR
- MarkeMicrosemi
- ProduktartIGBT
- Maximale Kollektor-Basis Spannung600 V
- GehäuseSOT-227
- Maximaler DC Kollektorstrom148 A
Jetzt bei eBay:
SK20MLI066 SEMIKRON Power IGBT MODULE 30A 600V SEMITOP Brand-New
- Transistor-TypLeistungstransistor
- HerstellernummerSK20MLI066
- MarkeSEMIKRON
- Maximale Betriebstemperatur80 °C
- ProduktartIGBT
- Maximale Kollektor-Basis Spannung600 V
- MaßeinheitEinheit
- Minimale Betriebstemperatur-25 °C
- Maximaler DC Kollektorstrom30 A
- Kollektor-Emitter-Spannung600 V
- Anzahl der Einheiten1
Jetzt bei eBay:
6PS0400R12KE3-3G Infineon 3x FF400R12KE3 210A AC 400V IGBT Modules Prime Stack
- Kollektor-Emitter-Spannung-12 V
- Maximale Kollektor-Basis Spannung400 V
- Maximale Kollektor-Emitter Sättigungsspannung-3 V
- Maximale Basis-Emitter Spannung-6 V
- Transistor-TypLeistungstransistor
- Herstellernummer6PS0400R12, 6PS0400R12K, 6PS0400R12KE, 6PS0400R12KE3, 6PS0400R12KE3-3GH
- MarkeInfineon
- ProduktartIGBT
- KonfigurationKomplex
- Anzahl der Elemente pro Chip3
- Maximaler DC Kollektorstrom210 A
Jetzt bei eBay:
APT200GT60JR Microsemi Modul 600V 200A IGBT Module SOT-227
- Transistor-TypLeistungstransistor
- HerstellernummerAPT200GT60, APT200GT60JR
- MarkeMicrosemi
- ProduktartIGBT
- Anzahl der Elemente pro Chip1
- GehäuseSOT-227
- Maximaler DC Kollektorstrom60 A
- Kollektor-Emitter-Spannung600 V
Jetzt bei eBay:
Infineon FP30R06KE3 IGBT Module 600V 30A60A 125W EconoPIM 2
- MarkeInfineon
- HöheInfineon
Jetzt bei eBay:
MICROCHIP TECHNOLOGY APT85GR120JD60 IGBT-MODUL
- BrandMICROCHIP TECHNOLOGY
- MarkeMICROCHIP TECHNOLOGY
- ProduktartIGBT
- MPNAPT85GR120L
Jetzt bei eBay:
1 Stück FP15R12YT3 Infineon IGBT Module Q67330A 946A 1
- HerstellernummerFP15R12YT3
- MarkeInfineon
- ProduktartIGBT
Jetzt bei eBay:
MG8J6ES1 Toshiba IGBT Power Module 600V 8A
- Maximale Basis-Emitter Spannung-6 V
- HerstellernummerMG8J6ES1
- Maximale Kollektor-Emitter Sättigungsspannung1,0 V
- MarkeToshiba
- ProduktartIGBT
- MaßeinheitEinheit
- Maximaler DC Kollektorstrom8 A
- Anzahl der Einheiten1
Jetzt bei eBay:
PS21997-4 MITSUBISHI Ipm IGBT Modul
- MarkeMitsubishi
- ProduktartIGBT
Jetzt bei eBay:
Infineon Technologies IGBT-Modul FZ1200R12KF5, NEUOVP
- MarkeInfineon
- ProduktartIGBT
Jetzt bei eBay:
Semikron SKM50GB12T4 Dual Half Bridge IGBT Module, 81 A 1200 V 0,055
- HerstellernummerSKM50GB12T4
- MarkeSEMIKRON
- ProduktartDual Half Bridge IGBT Module
Jetzt bei eBay:
SK60GAL125 SEMIKRON Ultrafast IGBT Module 51A 1200V SEMITOP New
- Transistor-TypLeistungstransistor
- HerstellernummerSK 60 GAL 125, SK60GAL125
- MarkeSEMIKRON
- ProduktartIGBT
- GehäuseSEMITOP
- Maximaler DC Kollektorstrom51 A
- Kollektor-Emitter-Spannung1200 V
Jetzt bei eBay:
MITSUBISHI IGBT MODULES CM75BU-12H
- MarkeMitsubishi
Jetzt bei eBay:
Infineon FP50R06KE3 IGBT Module 600V 50A100A EconoPIM 2
- MarkeInfineon
- HöheInfineon
Jetzt bei eBay:
2MBI75VA-120-50 Fuji Power IGBT Modul 1200V 75A Module
- Transistor-TypLeistungstransistor
- Herstellernummer2MBI75VA, 2MBI75VA 120, 2MBI75VA 120 50, 2MBI75VA-, 2MBI75VA-120, 2MBI75VA-120-50, 2MBI75VA120
- MarkeFuji
- ProduktartIGBT
- Herstellungsland und -regionJapan
- Maximale Kollektor-Basis Spannung1200 V
- Kollektor-Emitter-Spannung1200 V
- Maximaler DC Kollektorstrom75 A
Jetzt bei eBay:
MG75J1BS11 Toshiba Power IGBT Module 75A 600V 200W
- Maximaler DC Kollektorstrom-1 A
- Maximale Kollektor-Basis Spannung600 V
- Maximale Basis-Emitter Sättigungsspannung-1,1 V
- Transistor-TypLeistungstransistor
- HerstellernummerMG75, MG75J, MG75J1, MG75J1B, MG75J1BS, MG75J1BS1, MG75J1BS11
- MarkeToshiba
- ProduktartIGBT
- Anzahl der Elemente pro Chip1
- Maximale Verlustleistung200 W
- Kollektor-Emitter-Spannung600 V
Jetzt bei eBay:
IGBT Modul N-Series Fuji Electric 2MBI75N-120 75A 1200V
- MarkeFuji
- ProduktartIGBT
- Maximaler DC Kollektorstrom75A
Jetzt bei eBay:
IXYS MID145-12A3 IGBT Module
- MarkeIXYS
- Herstellernummer194-401
- ProduktartIGBT
- Maximaler DC Kollektorstrom12 A
Jetzt bei eBay:
SKiiP23NAB126V1 SEMIKRON Modul IGBT DiodeTransistor buck chopper 1,2kV 31A
- MarkeSEMIKRON
- ProduktartIGBT
- Maximaler DC Kollektorstrom1,2 A
- Kollektor-Emitter-Spannung1,2 kV
Jetzt bei eBay:
MOSFET IGBT Modul, FP15R12YT3, 15A, 1200V, 3Phasen, Infineon 1St
- MarkeInfineon
- EANnichtzutreffend
Jetzt bei eBay:
SKIIP 12NAB12T4V1 M20 Modul IGBT DiodeTransistor boost chopper Urmax 1,6kV Ic
- HerstellernummerSKIIP 12NAB12T4V1 M20
- MarkeSEMIKRON
- HerstellerSEMIKRON
- MarkenkompatibilitätFür SEMIKRON
- ProduktartElektronik
- EAN7437242152137
Jetzt bei eBay:
BSM400GB60DN2 Eupec Infineon IGBT Modul 600V 400A Power Module New
- Maximale Kollektor-Basis Spannung600 V
- Maximale Kollektor-Emitter Sättigungsspannung-400 V
- Maximale Basis-Emitter Sättigungsspannung-2 V
- Transistor-TypLeistungstransistor
- HerstellernummerBSM400, BSM400G, BSM400GB, BSM400GB6, BSM400GB60, BSM400GB60D, BSM400GB60DN, BSM400GB60DN2
- MarkeInfineon
- ProduktartIGBT
- Kollektor-Emitter-Spannung600 V
- Maximaler DC Kollektorstrom400 A
Jetzt bei eBay:
2MBI900VXA-120E-54 2MBI900VXA Fuji Power Module 1200V 900A IGBT 2 in 1 Modul
- Transistor-TypLeistungstransistor
- Herstellernummer2MBI900, 2MBI900V, 2MBI900VX-A120, 2MBI900VXA, 2MBI900VXA 120E 54, 2MBI900VXA-120, 2MBI900VXA-120E, 2MBI900VXA-120E 54, 2MBI900VXA-120E-54, 2MBI900VXA-120E54, 2MBI900VXA120, 2MBI900VXA120E 54, 2MBI900VXA120E54
- MarkeFuji
- ProduktartIGBT
- Anzahl der Elemente pro Chip2
- Maximale Kollektor-Basis Spannung1200 V
- Maximaler DC Kollektorstrom900 A
* Affiliate-Link zur Verkaufsplattform eBay
Auf dieser Seite findest Du Artikel der Marken Fujitsu, Mitsubishi, DYNEX, Microsemi, SEMIKRON, Infineon, MICROCHIP TECHNOLOGY, Toshiba und IXYS.
Hinweis: Die auf dieser Unterseite aufgelisteten Artikel sind keine B-Ware Artikel
