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Toshiba MG50G2YL9 Modul Leistungs IGBT Brücke 50A 600V
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Toshiba MG50G2YL9 Modul Leistungs IGBT Brücke 50A 600V
- Maßeinheit100 g
- Maximale Basis-Emitter-Sättigungsspannunga
- MarkeToshiba
- Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannunga
- Transistor-TypIGBT
- Maximale Kollektor-Basis-Spannung450 V
- Kollektor-Emitter600 V
- Maximaler DC Kollektorstrom50 A
- Maximale Basis-Emitter-Spannung50 V
- ProduktartIGBT
- Kollektor-Emitter-Spannung600 V
- Maximale Kollektor-Basis Spannung600 V
- Maximale Basis-Emitter Spannung9 V
- Artikelnr.225871629803
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