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Infineon H30R1203, IHW30N120R3 IGBT 1200V 60A 349W Transistor 700247

Infineon H30R1203, IHW30N120R3 IGBT 1200V 60A 349W Transistor 700247

 
  • MarkeInfineon
  • HerstellernummerIHW30N120R3
  • Anzahl der Einheiten1
  • EAN4251192700247
  • Artikelnr.185374884815
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  • ProduktartIGBT
  • GehäuseformD2PAK
  • Strommax. 20A
  • Spannung600V
  • Maximale Basis-Emitter Spannung-10 V
  • HerstellernummerGB10NC60KD
  • MarkeSTMicroelectronics
  • Maximale Basis-Emitter Sättigungsspannung-2 V
  • Maximale Kollektor-Basis Spannung600 V
  • Maximale Verlustleistung50 W
  • Max. Betriebstemperatur150°C
  • GehäuseTO
  • Leistungmax. 65W
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  • HerstellernummerHGTP12N60A4D
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  • MarkeMW-Store
  • ProduktartElektronik
  • Herstellungsland und -regionTaiwan
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  • Minimale Durchbruchspannung60 V
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  • Herstellungsland und -regionChina
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  • Minimale Betriebstemperatur-40°C
  • MaßeinheitEinheit
  • Minimale Gleichstromverstärkung1200
  • Kollektor-Emitter-Spannung3300V
  • Transistor-TypIGBT
  • SerieMBN
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  • TransistortypIGBT
  • MarkeHitachi
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  • Maximale Kollektor-Emitter Sättigungsspannung-4 V
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  • GehäuseformD2PAK
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  • HerstellernummerGB10NC60KD
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