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5 Stück - IRF520N Transistor N-MOSFET 100V 9,7A 48W TO220 HEXFET
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Hinweis: Die auf dieser Unterseite aufgelisteten Artikel sind keine B-Ware Artikel
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5 Stück - IRF520N Transistor N-MOSFET 100V 9,7A 48W TO220 HEXFET
- GehäuseTO-220
- MarkeInternational Rectifier
- HerstellernummerIRF520 IRF520N
- Kollektor-Emitter-Spannung100 V, -100 V
- ProduktartMOSFET
- Maximaler DC Kollektorstrom100 A
- Herstellungsland und -regionChina
- TransistortypN-Kanal MOSFET
- Maximale Kollektor-Basis Spannung-220 V
- Maximale Verlustleistung100 W
- Artikelnr.333399930937
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IRF520N (IRF520). N-MOSFET (HEXFET). Verlustleistung: 48W. Drainstrom : 9,7A. Drain-Source Spannung: 100V. Wir beziehen diese Ware bei autorisierten Distributoren. Kein billiger CHINA-IMPORT!
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- ProduktartTransistor
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- Kit-NameN Channel Mosfet
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- GehäuseTO-220
- Maximale Betriebstemperatur175 °C
- MarkeInternational Rectifier
- Transistor-TypLeistungstransistor
- MontageartDurchsteckmontage
- HerstellernummerIRF520
- ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
- Anzahl der Elemente pro Chip1
- KonfigurationEinfach
- Minimale Betriebstemperatur-55 °C
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- HerstellernummerIRF520N
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- Maximale Spannung (DS)100V
- Maximalstrom DC9,2 A (@25°C)
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- MaßeinheitEinheit
- Gate-Source Schwelle (Logik)2-4V (je nach Schaltspannung)
- Anzahl der Einheiten1
- Herstellungsland und -regionChina
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- Kollektor-Emitter-Spannung200 V
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- Transistor-TypLeistungstransistor
- MontageartDurchsteckmontage
- HerstellernummerIRF520PBF
- ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
- Anzahl der Elemente pro Chip1
- KonfigurationEinfach
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- ProduktartN-Ch 100V 9,7A 48W 0,20R TO220AB
- SerieIRF520NPBF
- Anzahl der Einheiten5
- MaßeinheitEinheit
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- Höhe0.400
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- Transistor-TypLeistungstransistor
- MontageartDurchsteckmontage
- HerstellernummerIRF520PBF
- MaßeinheitEinheit
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- Anzahl der Elemente pro Chip1
- KonfigurationEinfach
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- MontageartDurchsteckmontage
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