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IXFX26N120P, N-Kanal, MOSFET, Original IXYS, 26A, 1200V, 960W, TO-247-PLUS-3
- RDS500 mOhm
- ProduktartPower Mosfet
- Anzahl der Pins3
- VDSS1200 V
- HerstellernummerIXFX26N120P
- MarkeIXYS
- Maximale Betriebstemperatur150 °C
- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
- MontageartDurchsteckmontage
- Trr300 nS
- Maximale Verlustleistung960 W
- GehäuseTO-247-PLUS-3
- ID2526 A
- SerieIXFX
- Minimale Betriebstemperatur-55 °C
- Maximaler DC Kollektorstrom26 A
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IXFP18N65X2M IXYS MOSFET N-Channel X2-Class 650V 18A 36W TO220FP BP
- Maximale Betriebstemperatur150 °C
- GehäuseTO-220FP
- MarkeIXYS
- Transistor-TypLeistungstransistor
- MontageartPCB-Montage
- HerstellernummerIXFP18N65X2M
- ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
- Anzahl der Elemente pro Chip1
- KonfigurationEinfach
- Anzahl der Pins3
- Maximale Verlustleistung36 W
- Minimale Betriebstemperatur-55 °C
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IXFR24N100 IXYS MOSFET N-CH 1KV 22A ISOPLUS247 740149
- MarkeIXYS
- HerstellernummerIXFR24N100
- ProduktartTransistor
- EAN4251192740878
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IXFH44N50P MOSFET N 500V 44A 658W TO-247-3 Ixys Transistor Neu
- GehäuseTO-247
- MarkeIXYS
- Kollektor-Emitter-Spannung500 V
- Maximaler DC Kollektorstrom24 A
- Maximale Basis-Emitter Spannung24 V
- Maximale Verlustleistung300 W
- Maximale Kollektor-Basis Spannung500 V
- Maximale Kollektor-Emitter Sättigungsspannung500 V
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IXFH24N50 MOSFET N 500 V 24 A 300 W TO-247AD Ixys Transistor Neu
- Kollektor-Emitter-Spannung500 V
- GehäuseTO-247
- MarkeIXYS
- Maximaler DC Kollektorstrom24 A
- Maximale Basis-Emitter Spannung24 V
- Maximale Verlustleistung300 W
- Maximale Kollektor-Basis Spannung500 V
- Maximale Kollektor-Emitter Sättigungsspannung500 V
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CPC3960ZTR IXYS N-Channel Mosfet 600V 100mA 44R SOT223 NEW [2 pcs] BP
- MaßeinheitEinheit
- MarkeIXYS
- Anzahl der Einheiten2
- HerstellernummerCPC3960ZTR
- Maximale BetriebsfrequenzN/P
- KonfigurationEinfach
- Maximale Betriebstemperatur140 °C
- Transistor-TypLeistungstransistor
- Minimale Betriebstemperatur-40 °C
- Anzahl der Elemente pro Chip1
- ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
- Minimale GleichstromverstärkungN/P
- MontageartPCB-Montage
- Anzahl der Pins3
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IXDD614CI IXYS MOSFET N-Channel 14A Low Side TO220-5 NEW [2 pcs] BP
- MarkeIXYS
- HerstellernummerIXDD614CI
- MaßeinheitEinheit
- Anzahl der Einheiten2
- MontageartPCB-Montage
- Anzahl der Pins5
- Maximale Betriebstemperatur125 °C
- Minimale Betriebstemperatur-20 °C
- ProduktartN-Channel Mosfet
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IXFH30N50P IXYS MOSFET N-Channel 500V 30A TO247 NEW BP
- GehäuseTO-247
- Maximale Betriebstemperatur140 °C
- Maximale BetriebsfrequenzN/P
- MarkeIXYS
- ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
- Anzahl der Elemente pro Chip1
- KonfigurationEinfach
- Transistor-TypLeistungstransistor
- MontageartPCB-Montage
- HerstellernummerIXFH30N50P
- Minimale GleichstromverstärkungN/P
- Anzahl der Pins3
- Minimale Betriebstemperatur-40 °C
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IXFH18N60P Transistor N-MOSFET unipolar 600V 18A 360W TO247-3 IXYS
- HerstellernummerIXFH18N60P
- MarkeIXYS
- HerstellerIXYS
- MarkenkompatibilitätFür IXYS
- ProduktartElektronik
- EAN7437242545502
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CPC3980ZTR IXYS N-Channel Mosfet 800V 100mA 45R SOT223 NEW BP
- Maximale Betriebstemperatur140 °C
- Maximale BetriebsfrequenzN/P
- MarkeIXYS
- Transistor-TypLeistungstransistor
- MontageartPCB-Montage
- HerstellernummerCPC3980ZTR
- Minimale GleichstromverstärkungN/P
- MaßeinheitEinheit
- ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
- Anzahl der Elemente pro Chip1
- KonfigurationEinfach
- Anzahl der Einheiten1
- Anzahl der Pins3
- Minimale Betriebstemperatur-40 °C
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Transistor N-MOSFET 0,8A 1kV unipolar 60W -3 IXTP08N100D2 N-Kanal-Transistore
- Herstellernummer6997
- MarkeTNE oder Unbekannt
- EAN4065444020225
- ProduktartHersteller: IXYS
- HerstellerIXYS
- Transistor-TypN-MOSFET
- Polarisierungunipolar
- Drain-Source Spannung1kV
- Drainstrom0.8A
- Verlustleistung60W
- GehäuseTO220-3
- Widerst im Leitungszust21Ω
- MontageTHT
- Gate-Ladung325nC
- Verpackungs-ArtTube
- Kanal-Artschwach
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IXFP18N60X Transistor N-MOSFET unipolar 600V 18A 320W TO220-3 127ns IXYS
- HerstellernummerIXFP18N60X
- MarkeIXYS
- HerstellerIXYS
- MarkenkompatibilitätFür IXYS
- ProduktartElektronik
- EAN7437242549562
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IXFR24N100Q3 IXYS MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247 713555
- MarkeIXYS
- HerstellernummerIXFR24N100Q3
- ProduktartTransistor
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10 x IXFN56N90P MOSFET-N-Kanal, NEU
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5 x IXFN210N20P MOSFET-N-Kanal, NEU
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10 x IXFN210N20P MOSFET-N-Kanal, NEU
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IXFP10N80P 1-Pcs IXYS N-Channel Mosfet 800V 10A 300W TO220
- MarkeIXYS
- GehäuseTO-220
- Maximaler DC Kollektorstrom10 A
- Kollektor-Emitter-Spannung800 V
- Maximale Kollektor-Basis Spannung800 V
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CPC5603CTR IXYS N-Channel Mosfet 415V 130mA 14R SOT223 NEW [2 pcs] BP
- MaßeinheitEinheit
- MarkeIXYS
- Anzahl der Einheiten2
- HerstellernummerCPC5603CTR
- Maximale BetriebsfrequenzN/P
- KonfigurationEinfach
- Maximale Betriebstemperatur140 °C
- Transistor-TypLeistungstransistor
- Minimale Betriebstemperatur-40 °C
- Anzahl der Elemente pro Chip1
- ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
- Minimale GleichstromverstärkungN/P
- MontageartPCB-Montage
- Anzahl der Pins3
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1x IXYS HiPerFET Power MOS-FET 34A800V TO264 IXFK34N80
- MarkeIXYS
- HerstellernummerIXFK34N80
- Herstellungsland und -regionUnbekannt
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IXFP220N06T3 IXYS N-Channel Mosfet 60V 220A 440W TO220 NEW BP
- GehäuseTO-220
- Maximale Betriebstemperatur140 °C
- Maximale BetriebsfrequenzN/P
- MarkeIXYS
- ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
- Anzahl der Elemente pro Chip1
- KonfigurationEinfach
- Transistor-TypLeistungstransistor
- MontageartPCB-Montage
- HerstellernummerIXFP220N06T3
- Minimale GleichstromverstärkungN/P
- Anzahl der Pins3
- Minimale Betriebstemperatur-40 °C
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IXFH13N90 MOSFET 900V 13A
- Transistor-TypLeistungstransistor
- Herstellernummerixfh13n90
- MarkeIXYS
- ProduktartN-Kanal MOSFET
- Herstellungsland und -regionUnbekannt
- Anzahl der Pins3
- MontageartEinzelmontage
- GehäuseTO-247
- Serieixfh
- Maximaler DC Kollektorstrom13A
- Kollektor-Emitter-Spannung900V
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IXFP10N80P 2-Pcs IXYS N-Channel Mosfet 800V 10A 300W TO220
- Maximale Verlustleistung300 W
- Maximale Basis-Emitter Spannung-300 V
- Maximale Kollektor-Emitter Sättigungsspannung-300 V
- Maximale Basis-Emitter Sättigungsspannung-2 V
- MarkeIXYS
- Maximale Kollektor-Basis Spannung800 V
- GehäuseTO-220
- Maximaler DC Kollektorstrom10 A
- Kollektor-Emitter-Spannung800 V
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IXFP36N20X3 IXYS N-Channel Mosfet 200V 36A 176W TO220 NEW BP
- GehäuseTO-220
- Maximale Betriebstemperatur140 °C
- Maximale BetriebsfrequenzN/P
- MarkeIXYS
- ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
- Anzahl der Elemente pro Chip1
- KonfigurationEinfach
- Transistor-TypLeistungstransistor
- MontageartPCB-Montage
- HerstellernummerIXFP36N20X3
- Minimale GleichstromverstärkungN/P
- Anzahl der Pins3
- Minimale Betriebstemperatur-40 °C
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IXTP1R6N50D2 IXYS N-Channel Mosfet 500V 1,6A 2,3R 100W TO220 NEW BP
- MaßeinheitEinheit
- MarkeIXYS
- HerstellernummerIXTP1R6N50D2
- Maximale BetriebsfrequenzN/P
- KonfigurationEinfach
- Maximale Betriebstemperatur140 °C
- Transistor-TypLeistungstransistor
- Minimale Betriebstemperatur-40 °C
- Anzahl der Elemente pro Chip1
- ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
- MontageartPCB-Montage
- Anzahl der Pins3
- Minimale GleichstromverstärkungN/P
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IXDD614PI IXYS MOSFET N-Channel 14A Low Side DIP8 NEW BP
- Maximale Betriebstemperatur120 °C
- MarkeMarkenlos
- MontageartPCB-Montage
- HerstellernummerIXDD614PI
- ProduktartN-Channel Mosfet
- Anzahl der Pins8
- Minimale Betriebstemperatur-20 °C
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-99A low-side,MOSFET Torsteuerung -5 4,535V IXDD609YI MOSFETIGBT-Treiber
- Packungsgröße1 Stk. / Verpackung
- ProduktartMOSFET/IGBT-Treiber
- Ausgangs-Artnicht reversibel
- Ausschaltzeit105ns
- Anschaltzeit115ns
- Anzahl Kanäle1
- HerstellernummerIXDD609YI
- Markeunbekannt
- HerstellerIXYS
- Integrierten Schaltkreises-Typdriver
- MontageSMD
- Ausgangsstrom-9...9A
- Betriebstemperatur-40...125°C
- GehäuseTO220-5
- Integrierten Schaltkreises-ArtMOSFET Torsteuerung
- Versorgungsspannung4.5...35V
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Transistor N-MOSFET X2-Class unipolar 650V 4A 80W TO252 IXTY4N65X2 N-Kanal-Tr
- Packungsgröße1 Stk. / Verpackung
- HerstellerIXYS
- Transistor-TypN-MOSFET
- TechnologieX2-Class
- Polarisierungunipolar
- Drain-SourceSpannung:
- Drainstrom4A
- Verlustleistung80W
- GehäuseTO252
- Gate-SourceSpannung:
- Widerstim
- MontageSMD
- Gate-Ladung8.3nC
- Verpackungs-ArtTube
- Kanal-Artstark
- Bereitschaftszeit160ns
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5 x IXFN56N90P MOSFET-N-Kanal, NEU
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