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15 Stück 2N5551B NPN Transistor 160V 310mW 600mA TO 92
- Maximale Basis-Emitter Spannung6V
- Marke2N5551B
- ProduktartNPN
- Anzahl der Pins3
- Maximale Kollektor-Basis Spannung180V
- Maximale Verlustleistung310mW
- GehäuseTO-92
- Maximaler DC Kollektorstrom600mA
- Kollektor-Emitter-Spannung160V
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15 Stück 2N5401B PNP Transistor 165V 625mW 600mA TO 92
- Maximale Basis-Emitter Spannung6V
- Marke2N5401B
- ProduktartPNP
- Maximale Betriebstemperatur150 °C
- Anzahl der Pins3
- Maximale Kollektor-Basis Spannung190V
- GehäuseTO-92
- Serie2N5401
- Maximaler DC Kollektorstrom600 mA
- Kollektor-Emitter-Spannung165V
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4 Stück 2N5401B PNP Transistor 165V 625mW 600mA TO 92
- Maximale Basis-Emitter Spannung6V
- Marke2N5401B
- ProduktartPNP
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- Maximale Kollektor-Basis Spannung190V
- GehäuseTO-92
- Serie2N5401
- Maximaler DC Kollektorstrom600 mA
- Kollektor-Emitter-Spannung165V
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2 Stück 2N5551B NPN Transistor 160V 310mW 600mA TO 92
- Maximale Basis-Emitter Spannung6V
- Marke2N5551B
- ProduktartNPN
- Anzahl der Pins3
- Maximale Kollektor-Basis Spannung180V
- Maximale Verlustleistung310mW
- GehäuseTO-92
- Maximaler DC Kollektorstrom600mA
- Kollektor-Emitter-Spannung160V
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10 x MMBT2907A PNP General Purpose Amplifier 350mW 600mA Samsung SOT-23 10pcs
- MarkeSamsung
- HerstellernummerMMBT2907A-2F
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10 x MMBT2222A NPN General Purpose Amplifier 300mW 600mA Samsung SOT-23 10pcs
- MarkeSamsung
- HerstellernummerMMBT2222A-1P
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50 x 2N5551 NPN Si-Epitaxial PlanarTransistors 625mW 600mA 160V TO-92 50pcs
- MarkeMarkenlos
- Herstellernummer2N5551
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5 x MMBT5550 NPN Transistor 350mW 600mA 140V MMBT5550-1F Samsung SOT-23 5pcs
- MarkeSamsung
- HerstellernummerMMBT5550-1F
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10 x MMBT2222A NPN General Purpose Amplifier 300mW 600mA Samsung SOT-23 10pcs
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1 x 2N2907A Verstärker Transistor (PNP Silizium) 625mW - 600m Motorola TO-18 1 Stück
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1 x 2N2907A Amplifier Transistor(PNP Silicon) 625mW -600m Motorola TO-18 1pcs
- MarkeMotorola
- Herstellernummer2N2907A
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