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FDPF12N60NZ ONSEMI MOSFET N-Channel 600V 7,2A 240W TO220F NEW BP
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Hinweis: Die auf dieser Unterseite aufgelisteten Artikel sind keine B-Ware Artikel
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FDPF12N60NZ ONSEMI MOSFET N-Channel 600V 7,2A 240W TO220F NEW BP
- Maximale Betriebstemperatur85 °C
- GehäuseTO-220F
- MarkeONSEMI
- Transistor-TypLeistungstransistor
- MontageartPCB-Montage
- HerstellernummerFDPF12N60NZ
- MaßeinheitEinheit
- ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
- Anzahl der Elemente pro Chip1
- KonfigurationEinfach
- Anzahl der Einheiten1
- Anzahl der Pins3
- Minimale Betriebstemperatur-25 °C
- Artikelnr.234388185268
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- ProduktartTransistor
- Anzahl der Pins3
- Anzahl der Elemente pro Chip1
- Drainstrom49A
- RoHSja
- HerstellernummerIRFZ44NPBF
- MarkeInternational Rectifier
- Modifizierter ArtikelNein
- MontageartDurchsteckmontage
- Maximale Verlustleistung83W
- Spitzenstrom49A
- Drain-Source Spannung55V
- GehäuseTO220AB
- SerieHEXFET
- Anzahl der Einheiten5
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- Verpackungsabmessungen10,6 x 8,2 x 1,8 cm; 118 Gramm
- FarbeIRF520N
- Enthaltene Komponenten20 x IRF520N Transistor-Kit
- Batterien notwendigNein
- Batterien inbegriffenNein
- Volt100 Volt
- ModellnummerJA-DA-048
- EAN07445015453459
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- Maximale Kollektor-Emitter Sättigungsspannung500 V
- Maximale Basis-Emitter Sättigungsspannung-2 V
- Maximale Kollektor-Basis Spannung500 V
- Maximale Verlustleistung125 W
- GehäuseTO-220AB
- Kollektor-Emitter-Spannung500 V
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- Transistor-TypLeistungstransistor
- ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
- Maximale Betriebsfrequenz4
- Anzahl der Pins3
- Anzahl der Elemente pro Chip1
- Höhe29 mm
- Breite10 mm
- MarkeInternational Rectifier
- Maximale Betriebstemperatur175 °C
- KonfigurationEinfach
- MontageartDurchsteckmontage
- Minimale Gleichstromverstärkung36,2 dB
- Maximale Verlustleistung68 W
- GehäuseTO-220
- Minimale Betriebstemperatur-55 °C
- Maximaler DC Kollektorstrom30 A
- Kollektor-Emitter-Spannung55 V
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- Maximale Kollektor-Emitter Sättigungsspannung-2 V
- ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
- Maximale Betriebsfrequenz1 MHz
- Anzahl der Pins3
- Anzahl der Elemente pro Chip1
- Maximale Basis-Emitter Spannung-8 V
- MarkeInternational Rectifier
- Maximale Betriebstemperatur175 °C
- Maximale Kollektor-Basis Spannung-110 V
- Maximale Verlustleistung200 W
- GehäuseTO-220
- Minimale Betriebstemperatur-55 °C
- Kollektor-Emitter-Spannung-200 V
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- Maximale Kollektor-Emitter Sättigungsspannung-2 V
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- Maximale Basis-Emitter Sättigungsspannung-5,5 V
- Anzahl der Pins3
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- BesonderheitenTTL, CMOS, Logic Level, N-Channel, Transistor
- GehäuseDPAK / TO-252AA
- Kollektor-Emitter-Spannung100 V
- KonfigurationEinfach
- MaßeinheitEinheit
- Maximale Basis-Emitter Spannung16 V
- Maximale Betriebstemperatur175 °C
- Maximale Verlustleistung140 W
- Minimale Betriebstemperatur-55 °C
- MontageartOberflächenmontage
- ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
- Spitzenstrom42 A
- Transistor-TypLeistungstransistor
- Unterstütztes GerätArduino, Raspberry Pi
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- BesonderheitenTTL, CMOS, Logic Level, N-Channel, Transistor
- GehäuseTO-220AB
- Kollektor-Emitter-Spannung30 V
- KonfigurationEinfach
- MaßeinheitEinheit
- Maximale Basis-Emitter Spannung20 V
- Maximale Betriebstemperatur175 °C
- Maximale Verlustleistung65 W
- Minimale Betriebstemperatur-55 °C
- MontageartDurchsteckmontage
- ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
- Spitzenstrom62 A
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- Maximale Kollektor-Basis Spannung10 V
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