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IRLZ44N N-Kanal MOSFET 55V 47A 110W 84ns THT TO-220AB N-Channel 44N IRLZ44NPBF
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Hinweis: Die auf dieser Unterseite aufgelisteten Artikel sind keine B-Ware Artikel
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IRLZ44N N-Kanal MOSFET 55V 47A 110W 84ns THT TO-220AB N-Channel 44N IRLZ44NPBF
- Anzahl5er Pack
- MarkeINFINEON
- HerstellernummerIRLZ44NPBF
- Anzahl der Elemente pro Chip1
- Anzahl der Pins3
- BesonderheitenTTL, CMOS, Logic Level, N-Channel, Transistor
- GehäuseTO-220AB
- Kollektor-Emitter-Spannung55 V
- KonfigurationEinfach
- MaßeinheitEinheit
- Maximale Basis-Emitter Spannung16 V
- Maximale Betriebstemperatur175 °C
- Maximale Verlustleistung110 W
- Minimale Betriebstemperatur-55 °C
- MontageartDurchsteckmontage
- ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
- Spitzenstrom47 A
- Transistor-TypLeistungstransistor
- Unterstütztes GerätArduino, Raspberry Pi
- Artikelnr.155838667567
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IRLZ44NPBF N-Kanal MOSFET. Modell: IRLZ44NPBF. IRLR2905TRPBF N-Kanal MOSFET 55V 42A 110W 84ns SMD DPAK TO-252AA 2905 IRLR2905. Spezifikation: THT, TO-220AB, 55 V, 47 A, 110 W, 84 ns, -55. Funktion: N-Kanal MOSFET.
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- ProduktartTransistor
- Anzahl der Pins3
- Anzahl der Elemente pro Chip1
- Drainstrom49A
- RoHSja
- HerstellernummerIRFZ44NPBF
- MarkeInternational Rectifier
- Modifizierter ArtikelNein
- MontageartDurchsteckmontage
- Maximale Verlustleistung83W
- Spitzenstrom49A
- Drain-Source Spannung55V
- GehäuseTO220AB
- SerieHEXFET
- Anzahl der Einheiten5
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IRFZ44N IRFZ44NPBF ZU-220 Mosfet 5-20 Stk. TO-220 Transistor 55V 41A 83W
- Anzahl5 Stk.
- Transistor-TypLeistungstransistor
- Maximale Kollektor-Emitter Sättigungsspannung-2 V
- MarkeInternational Rectifier
- ProduktartNPN PWM Mosfet IC
- Maximale Basis-Emitter Sättigungsspannung-5,5 V
- Anzahl der Pins3
- Maximale Kollektor-Basis Spannung55 V
- Maximale Verlustleistung83 W
- GehäuseTO-220
- Maximaler DC Kollektorstrom55 A
- Kollektor-Emitter-Spannung55 V
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- TeilenummerJA-DA-048
- Artikelgewicht118 g
- Verpackungsabmessungen10,6 x 8,2 x 1,8 cm; 118 Gramm
- FarbeIRF520N
- Enthaltene Komponenten20 x IRF520N Transistor-Kit
- Batterien notwendigNein
- Batterien inbegriffenNein
- Volt100 Volt
- ModellnummerJA-DA-048
- EAN07445015453459
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Transistor N-MOSFET unipolar 60V 80A 242W D2PAK FDB5800 N-Kanal-Transistoren S
- MarkeTNE
- Herstellernummer7000
- EAN4065444020256
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- MarkeMarkenlos
- Maximale Verlustleistung20 W
- GehäuseTO-247
- Kollektor-Emitter-Spannung460 V
- Maximaler DC Kollektorstrom20 A
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N-Kanal MOSFET Auswahl THT SMD Logic Level 5V TTL N-Channel Transistor
- MontageTHT / Durchsteckmontage
- SpezifikationIRFZ44NPBF: 55V / 49A / 94W / 60ns
- Anzahl20er Pack
- BesonderheitenTTL-kompatibel (5V), TTL, CMOS, Logic Level, Logiklevel, N-Channel, Transistor
- HerstellernummerVerschiedene
- MaßeinheitEinheit
- ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
- Transistor-TypLeistungstransistor
- Unterstütztes GerätArduino, Raspberry Pi
- Markevipitec
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- Transistor-TypN-MOSFET
- ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
- Anzahl der Pins3
- Anzahl der Elemente pro Chip1
- Drainstrom47 A
- RoHSja
- HerstellernummerIRLZ44N
- MarkeInternational Rectifier
- Modifizierter ArtikelNein
- MontageartDurchsteckmontage
- Maximale Kollektor-Basis Spannung10 V
- Maximale Verlustleistung110 W
- Spitzenstrom47 A
- Drain-Source Spannung55V
- GehäuseTO-220AB
- SerieHEXFET
- Maximaler DC Kollektorstrom50 A
- Anzahl der Einheiten3
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- Spannung400V
- MarkeInternational Rectifier
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- Strom10A
- Pinabstand2,54mm
- Frequenz8MHz
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- MarkeInternational Rectifier
- Maximale Kollektor-Basis Spannung-220 V
- GehäuseTO-220
- Kollektor-Emitter-Spannung-40 V, 40 V
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- GehäuseTO220AB
- MarkeInternational Rectifier
- Transistor-TypN-MOSFET
- MontageartDurchsteckmontage
- HerstellernummerIRFZ44NPBF
- Spitzenstrom41A
- ProduktartTransistor
- SerieHEXFET
- Anzahl der Elemente pro Chip1
- Modifizierter ArtikelNein
- Drainstrom41A
- Drain-Source Spannung55V
- RoHSja
- Anzahl der Pins3
- Maximale Verlustleistung83W
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- Maximale Kollektor-Emitter Sättigungsspannung-2 V
- ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
- Maximale Betriebsfrequenz1 MHz
- Anzahl der Pins3
- Anzahl der Elemente pro Chip1
- Maximale Basis-Emitter Spannung-8 V
- MarkeInternational Rectifier
- Maximale Betriebstemperatur175 °C
- Maximale Kollektor-Basis Spannung-110 V
- Maximale Verlustleistung200 W
- GehäuseTO-220
- Minimale Betriebstemperatur-55 °C
- Kollektor-Emitter-Spannung-200 V
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- Artikelgewicht40 g
- Verpackungsabmessungen10,9 x 10,3 x 2,1 cm; 40 Gramm
- Batterien notwendigNein
- HerstellerreferenzELA20572
- EAN0711181126969
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- Herstellernummer8288
- MarkeTNE
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- ProduktartHersteller: STMicroelectronics
- HerstellerSTMicroelectronics
- MontageTHT
- Polarisierungunipolar
- TechnologieSuperMESH5™
- Drainstrom14A
- Kanal-Artstark
- Drain-Source Spannung800V
- Transistor-TypN-MOSFET
- Verpackungs-ArtTube
- GehäuseTO220FP
- Widerst im Leitungszust0.375Ω
- Gate-Source Spannung±30V
- Verlustleistung35W
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- Maximale Kollektor-Basis Spannung300 V
- GehäuseD2PAK
- Maximaler DC Kollektorstrom14 A
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- MaßeinheitEinheit
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- Typ / TypeIRF1404
- MarkeInternational Rectifier
- Transistor-TypN Kanal HEXFET
- MontageartDurchsteckmontage
- HerstellernummerIRF
- ProduktartPWM Mosfet
- Anzahl der Einheiten2
- GehäusegrößeTO-220
- Pinanzahl3
- TransistortypN-Kanal Mosfet
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- ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
- Maximale Betriebsfrequenz4
- Anzahl der Pins3
- Anzahl der Elemente pro Chip1
- Höhe29 mm
- Breite10 mm
- MarkeInternational Rectifier
- Maximale Betriebstemperatur175 °C
- KonfigurationEinfach
- MontageartDurchsteckmontage
- Minimale Gleichstromverstärkung36,2 dB
- Maximale Verlustleistung68 W
- GehäuseTO-220
- Minimale Betriebstemperatur-55 °C
- Maximaler DC Kollektorstrom30 A
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2N7000 MOSFET Transistor TO-92 N-Channel Mosfet 60V 0.2A
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- MarkeCKX
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- ProduktartN-Channel Mosfet
- Anzahl der Pins3
- MontageartTHT
- VerpackungSchnittband
- AngebotspaketNein
- GehäuseTO-92
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- Anzahl der Pins3
- RoHSja
- HerstellernummerIRF9530
- MarkeInternational Rectifier
- Modifizierter ArtikelNein
- MontageartDurchsteckmontage
- KonfigurationEinfach
- Spitzenstrom14
- Maximale Verlustleistung79W
- GehäuseTO220AB
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5 x Stück IRF840 , N-Kanal MOSFET Transistor, 500 V , 8 A , 125 W, TO-220AB NEU
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- Maximale Kollektor-Emitter Sättigungsspannung500 V
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- Maximale Kollektor-Basis Spannung500 V
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STD11N65M5 Transistor TO-252 Mosfet 650V9A STD 11N65M5 Original STD Siemens EQ6
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