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Transistor BDV 65

Transistor BDV 65

 
  • Transistor-TypDarlington-Transistor
  • MarkeDiv.
  • ProduktartNPN
  • Artikelnr.256783833857
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  • Maximale Basis-Emitter Spannung5V
  • MarkeTIP-36C
  • ProduktartNPN
  • Anzahl der Pins3
  • Maximale Kollektor-Basis Spannung140 V
  • GehäuseTO-247
  • Maximaler DC Kollektorstrom25 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung100 V
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  • Transistor-TypLeistungstransistor
  • Maximale Kollektor-Emitter Sättigungsspannung-2 V
  • MarkeInternational Rectifier
  • ProduktartNPN PWM Mosfet IC
  • Maximale Basis-Emitter Sättigungsspannung-5,5 V
  • Anzahl der Pins3
  • Maximale Kollektor-Basis Spannung55 V
  • Maximale Verlustleistung83 W
  • GehäuseTO-220
  • Maximaler DC Kollektorstrom55 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung55 V
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  • Herstellernummer2SC1815
  • MarkeMarkenlos
  • ProduktartNPN
  • GehäuseformTO-92-3
  • Schaltstrom150mA
  • Pinabstand1,27mm
  • Spannung80V
  • Leistung0,4W
  • TransistortypNPN
  • VerstärkunghFE 700
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  • TypBC546B (NPN)
  • Markediv. Markenhersteller
  • ProduktartNPN
  • Herstellungsland und -regionChina
  • Anzahl der Pins3
  • GehäuseTO-92
  • Maximaler DC Kollektorstrom100 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung30 V / 45 V / 65 V
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  • VersionTIP31C NPN
  • MarkeSTMicroelectronics
  • Transistor-TypPower Mosfet Bipolar
  • MontageartDurchsteckmontage
  • HerstellernummerTIP
  • ProduktartPower Transistor
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Anzahl der Einheiten2
  • GehäusegrößeTO-220
  • Pinanzahl3
  • Anzahl der Pins3
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  • Menge1 Stück
  • Transistor-TypKleinsignal-Transistoren
  • MarkeMarkenlos
  • ProduktartNPN BJT
  • Maximale Betriebsfrequenz210 MHz
  • Maximale Betriebstemperatur150 °C
  • Anzahl der Pins3
  • MontageartPCB-Montage
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • GehäuseTO-92
  • Minimale Betriebstemperatur-55 °C
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  • GehäuseformTO-92-3
  • MarkeUTC
  • Herstellernummer2SC945
  • Leistung250mW
  • Betriebstemperatur-65°C - 150°C
  • Max. Frequenz190MHz
  • VerstärkunghFE 200-400
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  • MarkeDiotec Semiconductor GmbH
  • HerstellernummerBC547B
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  • Menge5
  • GehäuseTO-92
  • MarkeDiotec Semiconductor GmbH
  • HerstellernummerBC547B
  • ProduktartNPN
  • Maximaler DC Kollektorstrom100 mA
  • Anzahl der Pins3
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  • Typ2N5401
  • MarkeMarkenlos
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  • Transistor-TypMedium Frequency Amplifier (AM/FM ZF)
  • HerstellernummerBF241
  • MarkeITT
  • ProduktartNPN
  • Maximale Betriebsfrequenz400MHz
  • Anzahl der Pins3
  • Maximale Verlustleistung0.25W
  • GehäuseTO-92
  • Product FamilyNPN TRANSISTOR Medium Frequency Amplifier
  • SerieBF240
  • Maximaler DC Kollektorstrom25 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung40V
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  • Menge10er Pack
  • Transistor-TypKleinsignal-Transistoren
  • MarkeMarkenlos
  • ProduktartNPN BJT
  • Maximale Betriebsfrequenz200 MHz
  • Maximale Betriebstemperatur150 °C
  • Anzahl der Pins3
  • MontageartPCB-Montage
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • GehäuseTO-92
  • Minimale Betriebstemperatur-55 °C
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  • Maximale Basis-Emitter Spannung9V
  • MarkeMJE13003
  • ProduktartNPN
  • Anzahl der Pins3
  • Maximale Kollektor-Basis Spannung700 V
  • GehäuseTO126
  • Maximaler DC Kollektorstrom1,5 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung400 V
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  • MarkeDiotec
  • HerstellernummerBC5
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  • Test-/MessfunktionenTransistortest
  • MarkeMarkenlos
  • ProduktartMultimeter
  • Herstellungsland und -regionChina
  • AnzeigetypTFT
  • Batterielebensdauer3 h
  • EANnichtzutreffend
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  • VersionTIP142 NPN
  • Maximale Betriebstemperatur150 °C
  • MarkeMarkenlos
  • Transistor-TypPower Darlington Transistor
  • MontageartDurchsteckmontage
  • HerstellernummerTIP
  • ProduktartDarlington Transistor
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • KonfigurationEinfach
  • Anzahl der Einheiten2
  • GehäusegrößeTO-220
  • Pinanzahl3
  • Anzahl der Pins3
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  • MarkeNEC
  • Transistor-TypLeistungstransistor
  • MontageartDurchsteckmontage
  • Herstellernummer2SD882_2SD772
  • ProduktartNPN PNP Silicon Transistor
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • KonfigurationEinfach
  • Anzahl der Einheiten2
  • Pinanzahl3
  • GehäusegrößeTO-126
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  • Spannung100V
  • MarkeSTMicroelectronics
  • HerstellernummerTIP122
  • TransistortypNPN
  • Strom1,5A
  • VerstärkunghFE 1000
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  • GehäuseformTO-92-3
  • MarkeSemtech
  • Herstellernummer2N2907, 2N2222
  • Leistung0,625W
  • TransistortypNPN, PNP
  • Pinabstand1,27mm
  • VerstärkunghFE 300
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  • Spannung VCE60V
  • Strom ICE600mA
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  • GehäuseformTO-92-3
  • Spannung120V
  • MarkeToshiba
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  • TransistortypNPN
  • Strom100mA
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  • Spannung45V
  • MarkeSTMicroelectronics
  • HerstellernummerBC847C
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  • Strom100mA
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