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2 x P Channel Mosfet IRF9520 IRF9530 IRF9540 IRF9610 IRF9630 IRF9640 IRF9Z
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Hinweis: Die auf dieser Unterseite aufgelisteten Artikel sind keine B-Ware Artikel
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2 x P Channel Mosfet IRF9520 IRF9530 IRF9540 IRF9610 IRF9630 IRF9640 IRF9Z
- Typ / TypeIRF9540
- MarkeInternational Rectifier
- Transistor-TypP Kanal HEXFET
- MontageartDurchsteckmontage
- HerstellernummerIRF
- ProduktartPWM Mosfet
- Anzahl der Einheiten2
- GehäusegrößeTO-220
- Pinanzahl3
- TransistortypP-Kanal Mosfet
- Artikelnr.284452740627
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IRF9520 - IRF9Z34 P Channel Mosfet TO-220. 2 Stück P Channel TO220 Mosfet IRF9520 IRF9530 IRF9540 IRF9610 IRF9630 IRF9640 IRF9Z24NPbF IRF9Z34N. IRF P Channel Mosfet TO-220 IRF9520 - IRF9Z34N © androegg.
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- Transistor-TypP Kanal MOSFET
- MarkeInternational Rectifier
- Anzahl der Pins3
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- Herstellernummer7080
- MarkeTNE
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AO3403 AO P-Channel Mosfet 30V 2,2A 0,9W SOT23 NEW [4 pcs] BP
- MaßeinheitEinheit
- MarkeAlpha & Omega
- Anzahl der Einheiten4
- HerstellernummerAO3403
- ProduktartN-Channel Mosfet
- Maximale Betriebstemperatur85 °C
- Minimale Betriebstemperatur-25 °C
- MontageartOberflächenmontage
- Anzahl der Pins3
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ZVP3306A Diodes P-Channel Mosfet 60V 160mA 0,625W TO92 NEW BP
- Transistor-TypKleiner Schalttransistor
- HerstellernummerZVP3306A
- MarkeDiodes, Inc.
- ProduktartP-Kanal Anreicherungs-MOSFET
- Maximale Betriebstemperatur150 °C
- Anzahl der Pins3
- MontageartDurchsteckmontage
- SerieZVP
- Minimale Betriebstemperatur-55 °C
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- MarkeSTMicroelectronics
- GehäuseTO-220
- Maximaler DC Kollektorstrom2,5 A
- Kollektor-Emitter-Spannung-150 V
- Maximale Kollektor-Basis Spannung-220 V
- Maximale Basis-Emitter Spannung-6 V
- Maximale Kollektor-Emitter Sättigungsspannung-3 V
- Maximale Basis-Emitter Sättigungsspannung2,5 V
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FDS9435A Fairchild Mosfet P-Channel 30V 5,3A SO8
- GehäuseSOIC8
- Maximale Betriebstemperatur120 °C
- Maximale BetriebsfrequenzN/P
- MarkeFairchild
- ProduktartP-Kanal Anreicherungs-MOSFET
- Anzahl der Elemente pro Chip1
- KonfigurationEinfach
- Transistor-TypLeistungstransistor
- MontageartOberflächenmontage
- HerstellernummerFDS9435A
- Anzahl der Pins8
- Minimale Betriebstemperatur-40 °C
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- Maximale Kollektor-Basis Spannung-220 V
- Maximale Verlustleistung200 W
- Maximale Basis-Emitter Sättigungsspannung-5,5 V
- Transistor-TypLeistungstransistor
- MarkeMarkenlos
- Maximale Betriebstemperatur175 °C
- Maximale Betriebsfrequenz1 MHz
- Anzahl der Pins3
- Anzahl der Elemente pro Chip1
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- GehäuseSOIC8
- Maximale Betriebstemperatur120 °C
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- MarkeFairchild
- ProduktartP-Kanal Anreicherungs-MOSFET
- Anzahl der Elemente pro Chip1
- KonfigurationEinfach
- Transistor-TypLeistungstransistor
- MontageartOberflächenmontage
- HerstellernummerFDS6675BZ
- Anzahl der Pins8
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- MarkeFairchild
- ProduktartP-Kanal Anreicherungs-MOSFET
- Anzahl der Elemente pro Chip1
- KonfigurationEinfach
- Transistor-TypLeistungstransistor
- MontageartOberflächenmontage
- HerstellernummerFDS4935BZ
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- MarkeALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR
- HerstellerALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR
- MarkenkompatibilitätFür ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR
- ProduktartElektronik
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- MarkeALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
- HerstellerALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
- MarkenkompatibilitätFür ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
- ProduktartElektronik
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- Maximale BetriebsfrequenzN/P
- MarkeFairchild
- ProduktartP-Kanal Anreicherungs-MOSFET
- Anzahl der Elemente pro Chip1
- KonfigurationEinfach
- Transistor-TypLeistungstransistor
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- HerstellernummerFQP17P06
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- HerstellernummerFDS4465
- Maximale BetriebsfrequenzN/P
- KonfigurationEinfach
- Maximale Betriebstemperatur120 °C
- Transistor-TypLeistungstransistor
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- Maximale BetriebsfrequenzN/P
- KonfigurationEinfach
- Maximale Betriebstemperatur120 °C
- Transistor-TypLeistungstransistor
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- Maximale Betriebsfrequenz4 MHz
- ProduktartTransistor
- Anzahl der Pins3
- RoHSja
- HerstellernummerIRF4905
- MarkeInternational Rectifier
- Modifizierter ArtikelNein
- MontageartDurchsteckmontage
- KonfigurationEinfach
- Spitzenstrom74
- Maximale Verlustleistung200 W
- Drain-Source Spannung55V
- GehäuseTO220AB
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- Anzahl der Einheiten5
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- KonfigurationEinfach
- Maximale Betriebstemperatur120 °C
- Transistor-TypLeistungstransistor
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