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2x IRFPS40N50L Transistor N-MOSFET 500V 540W 46A TO-247 Power Mosfet FET Neu
- MarkeInternational Rectifier
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10 Stück BSS138 J1 oder BSS84 PDN-FET P-FET 50V 200mA 130mA
- VarianteBSS84LT1
- GehäuseformSOT-23
- MarkeMotorola
- HerstellernummerBSS138LT1, BSS84LT1
- Spannung VDS50V
- TransistortypP-FET, N-FET
- Minimale Betriebstemperatur-55°C
- Maximale Betriebstemperatur150°C
- Strom200mA, 130mA
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5 Stück BF245C BF-245-C N-Kanal J-FET JFET 30V 0,025A TO-92
- Transistor-TypFeldeffekttransistor
- ProduktartN-Kanal JFET
- Maximale Betriebsfrequenz700 MHz
- Anzahl der Pins3
- Anzahl der Elemente pro Chip1
- HerstellernummerBF245C
- MarkeMarkenlos
- Maximale Betriebstemperatur+150 °C
- MontageartDurchsteckmontage
- KonfigurationEinfach
- Pinanzahl3
- Minimale Gleichstromverstärkung36,2 dB
- Maximale Verlustleistung0,3 W
- GehäuseTO-92
- Minimale Betriebstemperatur-30 °C
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10 x BS170 TRANSISTOR N-FET 60V 0,3A TO92 NEU
- MarkeDiverse
- HerstellernummerBS170 N-FET
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5 Stück IRF840 N-Kanal Power MOS-FET 500V 8A 125W TO-220
- Maximale Betriebstemperatur+155 °C
- GehäuseTO-220
- Maximale Betriebsfrequenz1 MHz
- MarkeMarkenlos
- Transistor-TypLeistungstransistor
- MontageartDurchsteckmontage
- HerstellernummerIRF840
- Kollektor-Emitter-Spannung500 V
- ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
- Anzahl der Elemente pro Chip1
- KonfigurationEinfach
- Maximaler DC Kollektorstrom8 A
- Pinanzahl3
- Anzahl der Pins3
- Maximale Verlustleistung125 W
- Minimale Betriebstemperatur-55 °C
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5 Stück P75NF75 N-Kanal Power MOS-FET 75V 80A 45W TO-220
- Maximale Betriebstemperatur+175 °C
- GehäuseTO-220
- Marke.
- Transistor-TypLeistungstransistor
- MontageartDurchsteckmontage
- HerstellernummerP75NF75
- Kollektor-Emitter-Spannung75 V
- ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
- Anzahl der Elemente pro Chip1
- KonfigurationEinfach
- Maximaler DC Kollektorstrom80 A
- Pinanzahl3
- Anzahl der Pins3
- Maximale Verlustleistung45 W
- Minimale Betriebstemperatur-55 °C
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2 Stück FQPF2N60 FQPF2N60C 2N60 HV N-FET 600V 2A 23W Logic-Level ab 3V 12MHz
- GehäuseformTO-220F
- Spannung600V
- MarkeFairchild
- HerstellernummerFQPF2N60C
- Leistung23W
- TransistortypN-Channel
- Strom2A (Dauer), 8A (Puls)
- Logic Levelab 3V
- Frequenz12MHz
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5 Stück IRLZ44N IRLZ44 N-Kanal Power MOS-FET 55V 47A 110W TO-220
- Maximale Betriebstemperatur+175 °C
- GehäuseTO-220
- Maximale Betriebsfrequenz4 MHz
- Marke.
- Transistor-TypLeistungstransistor
- MontageartDurchsteckmontage
- HerstellernummerIRLZ44N
- Minimale Gleichstromverstärkung36,2 dB
- Kollektor-Emitter-Spannung55 V
- ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
- Anzahl der Elemente pro Chip1
- KonfigurationEinfach
- Maximaler DC Kollektorstrom47 A
- Pinanzahl3
- Anzahl der Pins3
- Maximale Verlustleistung110 W
- Minimale Betriebstemperatur-55 °C
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5 x Stück IRF9622 P-Channel 200V3A TO220 FET MOSFET Leistungstransistor NEU
- Transistor-TypLeistungstransistor
- HerstellernummerIRF9622
- MarkeMarkenlos
- ProduktartP-Kanal MOSFET
- Anzahl der Pins3
- GehäuseTO-220
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XY-MOS 400W 15A MOSFET Modul PWM 5-36V Trigger Switch MOS FET
- Mengenrabatt1 Stück
- MarkeMarkenlos
- Herstellungsland und -regionChina
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IRF 540 NS N-Kanal Power MOSFET FET 100V 33A 130W D²Pak IRF540NS IRF540 NS
- Menge1 Stück
- Transistor-TypLeistungstransistor
- MarkeInternational Rectifier
- ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
- Maximale Betriebstemperatur175 °C
- Anzahl der Pins3
- MontageartOberflächenmontage
- Anzahl der Elemente pro Chip1
- Maximale Verlustleistung130 W
- GehäuseD2PAK
- Minimale Betriebstemperatur-55 °C
- Maximaler DC Kollektorstrom33 A
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5 Stück IRF3708 N-FET SMPS TO220 30V 62A 12mOhm LogicLevel ab 2,7V
- GehäuseformTO-220-3
- MarkeInternational Rectifier
- HerstellernummerIRF3708
- Spannung VDS30V
- Widerstand ON12mΩ
- Strom62A
- Pinabstand2,54mm
- Logic Levelab 2,7V
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2 Stk 2SK117 BL J-FET Transistor 50V 14mA 300mW TO92 Low Noise Audio AMP Toshiba
- GehäuseformTO-92-3
- Spannungmax. 50V
- MarkeToshiba
- Herstellernummer2SK117
- Leistung300mW
- TransistortypJ-FET
- Strommax. 14mA
- Pinabstand1,27mm
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2 Stück IRFP150N N-FET TO247 100V 42A 160W 0,036R ab 4V LL
- GehäuseformTO-247
- Spannung100V
- MarkeInternational Rectifier
- HerstellernummerIRFP150N
- TransistortypN-FET
- Strom42A
- Frequenz6MHz
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IRF 520 N N-Kanal Power MOSFET FET 100V 9.7A 48W TO-220AB IRF520N IRF520 N
- Menge1 Stück
- Transistor-TypLeistungstransistor
- MarkeInternational Rectifier
- ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
- Maximale Betriebstemperatur175 °C
- Anzahl der Pins3
- MontageartPCB-Montage
- Anzahl der Elemente pro Chip1
- Maximale Verlustleistung48 W
- GehäuseTO-220AB
- Minimale Betriebstemperatur-55 °C
- Maximaler DC Kollektorstrom9,7 A
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5 Stück IRFZ44N N-FET TO220 55V 49A 17,5mOhm 94W - 4,5V Logic-Level LL
- GehäuseformTO-220-3
- Spannungmax. 55V
- MarkeInternational Rectifier
- HerstellernummerIRFZ44N
- Leistung94W
- Widerstand17,5mΩ
- Minimale Betriebstemperatur-55°C
- Maximale Betriebstemperatur175°C
- Strommax. 49A
- Logic Levelab 4,5V
- Gate-Spannung20V
- Puls-Strommax. 160A
- Body-Diode49A
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10 x 2N7000 TRANSISTOR N-FET V-MOS 60V 0,2A 0,4W TO92 NEU
- Herstellernummer2N7000
- MarkeDiverse
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2 Stück TL062ACN LOW POWER J-FET DUAL OPERATIONAL AMPLIFIER DIP8 Vcc-18V
- HerstellernummerTL062ACN
- MarkeSTMicroelectronics
- ProduktartLOW POWER J-FET DUAL OPERATIONAL AMPLIFIER
- Anzahl der Pins8
- GehäusematerialDIP8
- Product FamilyOPERATIONAL AMPLIFIER IC
- SerieTL062
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SPA07N60C3 07N60 07N60C3 N-FET N-Channel Infinion Transistor 600V 7,3A 0,6 Ohm
- GehäuseformTO-220F
- Spannung600V
- MarkeInfinion
- HerstellernummerSPA07N60C3
- Leistungmax. 32W
- TransistortypN-Channel
- Minimale Betriebstemperatur-55°C
- Maximale Betriebstemperatur150°C
- Strommax. 7,3A
- Frequenz15MHz
- Gateab 4V@1A, 6V@7,3A
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5 Stück IRFB4110 IRFB-4110 N-Kanal Power MOS-FET 100V 130A 370W TO-220
- Transistor-TypLeistungstransistor
- Maximale Betriebsfrequenz4 MHz
- ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
- Anzahl der Pins3
- Anzahl der Elemente pro Chip1
- HerstellernummerIRFB4110
- MarkeMarkenlos
- Maximale Betriebstemperatur+175 °C
- Herstellungsland und -regionChina
- MontageartDurchsteckmontage
- KonfigurationEinfach
- Pinanzahl3
- Minimale Gleichstromverstärkung36,2 dB
- Maximale Verlustleistung370 W
- GehäuseTO-220
- Kollektor-Emitter-Spannung100 V
- Minimale Betriebstemperatur-55 °C
- Maximaler DC Kollektorstrom130 A
- EAN0605181235885
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5x Transistor J112 unipolar N-FET 35V 5mA 350mW TO92
- Herstellernummer3238
- MarkeTNE oder Unbekannt
- EAN7081257732558
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