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Samsung SO-DIMM 16GB DDR5 5600MHz PC5-44800 M425R2GA3BB0-CWM Ram Speicher
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Hinweis: Die auf dieser Unterseite aufgelisteten Artikel sind keine B-Ware Artikel
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Samsung SO-DIMM 16GB DDR5 5600MHz PC5-44800 M425R2GA3BB0-CWM Ram Speicher
- MarkeSamsung
- ProduktartDDR5 SD RAM
- Anzahl der Module1
- FormfaktorSO-DIMM
- Anzahl der Pins260
- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
- HerstellergarantieLebenszeit
- Kapazität pro Modul16 GB
- BusgeschwindigkeitDDR5-5600Mhz
- Gesamtkapazität16 GB
- HerstellernummerM425R2GA3BB0-CWM
- ModellM425R2GA3BB0-CWM
- EAN4057208194808
- Artikelnr.196726283303
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Samsung SO-DIMM 16GB DDR5 5600MHz PC5-44800 M425R2GA3BB0-CWM Ram Speicher DDR5-RAM (Double Data Rate 5) ist der neueste Standard in der Speichertechnologie und bietet im Vergleich zu DDR4 signifikante Verbesserungen in Leistung und Effizienz. Dieser Hochgeschwindigkeitsarbeitsspeicher ermöglicht schnellere Datenübertragungsraten und optimiert die Leistung von Computern, insbesondere für Gaming, professionelle Anwendungen und anspruchsvolle Workloads. DDR5-RAM bietet höhere Taktraten und eine verbesserte Energieeffizienz durch eine geringere Betriebsspannung. Mit einer Kapazität von bis zu 128 GB pro Modul und einer Bandbreite, die doppelt so hoch ist wie bei DDR4, sorgt er für eine deutlich gesteigerte Multitasking- und Systemleistung. Er ist ideal f&uum.
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- SpeicherbandbreitePC3L-12800 (DDR3L-1600)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul8GB
- Gesamtkapazität16GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1600 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3L-12800S-11
- JEDEC NormPC3L-12800S
- Spannung1.35V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL11
- CAS-LatenzCL11
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- Gesamtkapazität8 GB
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- MarkeIntel
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- SpeicherbandbreitePC3-12800 (DDR3-1600)
- Anzahl der Module2
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- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1600 MHz
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- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL11
- CAS-LatenzCL11
- UnbufferedJA
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- BusgeschwindigkeitPC3L-12800S(DDR3-1600)
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- Anzahl der Module1
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- MarkeSamsung
- ProduktartDDR3L
- Anzahl der Pins204
- Gesamtkapazität8 GB
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- ProduktartDDR3 SDRAM
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- JEDEC NormPC3L-12800S
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- Chip-Anordnung2Rx8
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- FormfaktorSO-DIMM
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- Anzahl der Module1
- BusgeschwindigkeitPC4-25600 (DDR4-3200)
- Gesamtkapazität4 GB
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- Anzahl der Pins260
- Herstellungsland und -regionChina
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- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module2
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- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- HerstellernummerSam3rd1333
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- MarkeSamsung 3rd
- ProduktartDDR3L
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