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Samsung 8GB DDR3 2RX8 PC3L-12800S-11-11-F3 RAM Speicher 1.35V Laptop
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Hinweis: Die auf dieser Unterseite aufgelisteten Artikel sind keine B-Ware Artikel
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Samsung 8GB DDR3 2RX8 PC3L-12800S-11-11-F3 RAM Speicher 1.35V Laptop
- BusgeschwindigkeitPC3L-12800S(DDR3-1600)
- MarkeSamsung 3rd
- ProduktartDDR3L
- Anzahl der Pins204
- Gesamtkapazität8 GB
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul8 GB
- EAN6495273180001
- Artikelnr.326052702809
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Samsung 8GB PC3L-12800S 2Rx8 DDR3-1600 MHz 204-Pin PC3-12800 RAM --NEU--. Geschwindigkeit: PC3L-12800S 1600MHz. Typ: DDR3 204Pin Laptop-Speicher. Die Abbildungen sind Beispiele. Die genannte Kommunikation wird für einen Zeitraum von zwei Monaten nach Vertragsschluss gespeichert und ist in diesem Zeitraum auf Anforderung beim Verkäufer in Kopie zu erhalten; entsprechendes gilt für die Rechnung für einen Zeitraum von zehn Jahren.".
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- Latenz (CL)11
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Speichermodule1
- Anzahl der Pins240
- Speichertyp:unbuffered, Non-ECC, DIMM, Desktop Memory
- Höhe:3,12 cm
- Spannung1,5 Volt
- FormfaktorDIMM
- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
- HerstellernummerCT102464BA160B
- MarkeCrucial
- ModellCT102464BA160B
- EAN3664870479464
- Herstellungsland und -regionUnbekannt
- Länge:13,4 cm
- Gesamtkapazität8 GB
- Anzahl der Module1
- Dicke:0,08 cm
- Kapazität pro Modul8 GB
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- Gesamtkapazität32 GB
- BusgeschwindigkeitPC3L-12800 (DDR3L-1600)
- Anzahl der Speichermodule1
- Herstellernummer8GB_DDR3_PC_NEU
- MarkeIntel
- ProduktartDDR3 SDRAM
- FormfaktorDIMM
- Anzahl der Module1
- ModellDDR3
- Anzahl der Pins240
- EAN0760557824268
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- MarkeIntel
- ProduktartDDR3 SDRAM
- FormfaktorUDIMM
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul8 GB
- BusgeschwindigkeitPc3-12800U (Ddr3-1600)
- Gesamtkapazität8 GB
- ModellDDR3
- Anzahl der Pins240
- EAN0760557824268
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- HerstellernummerBS-D3-8G-SO-1600-2RX8-L
- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
- SpeicherbandbreitePC3-12800 (DDR3-1600)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul8GB
- Gesamtkapazität16GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1600 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3L-12800S-11
- JEDEC NormPC3L-12800S
- Spannung1.35V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL11
- CAS-LatenzCL11
- UnbufferedJA
- EAN4262360571118
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- FormfaktorUDIMM
- Höhe3,12 cm
- BusgeschwindigkeitPC3-12800U
- Breite0,08 cm
- HerstellernummerCT102464BA160B
- MarkeCrucial
- ModellCT102464BA160B
- Gesamtkapazität8 GB
- Anzahl der Module1
- Speicher-Eigenschaftenunbuffered, Non ECC, Non Registered
- Kapazität pro Modul8 GB
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- BusgeschwindigkeitPC3L-12800S(DDR3-1600)
- MarkeSamsung 3rd
- ProduktartDDR3L
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- Busgeschwindigkeit auchPC3-12800S
- MarkeIntel
- ProduktartDDR3 SDRAM
- FormfaktorSO-DIMM
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul8 GB
- BusgeschwindigkeitPC3L-12800S(DDR3-1600)
- Gesamtkapazität8 GB
- ModellDDR3
- Anzahl der Pins204
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- Anzahl der Pins240
- Capacity per Module8GB
- Fit forDesktop PC Computer
- MPNKVR16N11H/8
- FormfaktorDIMM
- BrandKingston
- TypeDDR3 SDRAM
- ModellKingston Value RAM
- Herstellungsland und -regionChina
- The value of CLCL11
- QualityHigh Quality
- Voltage1.5V
- Number of Pins240Pin
- ModelPC3-12800U
- Gesamtkapazität8 GB
- Frequency1600MHz
- ClassDDR3
- Bus SpeedPC3-12800U (DDR3-1600)
- Buffering/EccUnbuffered / Non-ECC
- Speicher-EigenschaftenUnbuffered, Non ECC
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- MarkeSamsung 3rd
- ProduktartDDR3L
- Anzahl der Pins204
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- HerstellernummerBS-D3-8G-SO-1600-2RX8-L
- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
- SpeicherbandbreitePC3-12800 (DDR3-1600)
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- Kapazität pro Modul8GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1600 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3L-12800S-11
- JEDEC NormPC3L-12800S
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- MarkeIntel
- ProduktartDDR3 SDRAM
- FormfaktorSO-DIMM
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul8 GB
- BusgeschwindigkeitPC3L-12800 (DDR3L-1600)
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- Anzahl der Pins204
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- Breite3,0 cm
- MarkeRAM
- ProduktartDDR3L
- ModellRZX
- Gesamtkapazität8 GB
- Anzahl der Module1
- Herstellergarantie30 Tage Rückgabe
- Länge6,9 cm
- FormfaktorSO-DIMM
- Kapazität pro Modul8 GB
- EANnichtzutreffend
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- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
- SpeicherbandbreitePC3-12800 (DDR3-1600)
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- FormfaktorDIMM 240-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1600 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-12800U-11
- JEDEC NormPC3-12800U
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL11
- CAS-LatenzCL11
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- EAN4262360571620
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- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
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- Speicher-SpezifikationPC3L-12800S-11
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- JEDEC NormPC3-12800S
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- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL11
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- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
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- BusgeschwindigkeitPC3-8500 (DDR3-1066)
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- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1066 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-8500S-7
- JEDEC NormPC3-8500S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
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- Gesamtkapazität8 GB
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8GB DDR3 RAM SO-DIMM PC3-10600S 2Rx8 1333MHz 1.5V Notebook Speicher CL9 (2x 4GB)
- MarkeBRAINZAP
- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
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- JEDEC NormPC3-10600S
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- Chip-Anordnung2Rx8
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- UnbufferedJA
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- Anzahl der Pins204
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- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- FormfaktorSO-DIMM
- SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)
- FormfatkorDIMM 204-pol.
- BusgeschwindigkeitPc3-10600S
- Herstellernummer1x8GB_10600S
- MarkeHynix
- Apple kompatibelJa
- AnwendungsbereichNotebook mit Core i3/i5/i7 2. und 3. Generation
- Gesamtkapazität8 GB
- Anzahl der Module1
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- Herstellungsland und -regionChina
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- Kapazität pro Modul8 GB
- EAN5712505177686
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WALRAM - Arbeitsspeicher,Laptop,Notebook, RAM , DDR3L 8GB, 1600MHz, 1,35V,204pin
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