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1x 32GB 4800MHz DDR5 ECC UDIMM Ram f HP - HPE Server ProLiant MicroServer Gen 11
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Hinweis: Die auf dieser Unterseite aufgelisteten Artikel sind keine B-Ware Artikel
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1x 32GB 4800MHz DDR5 ECC UDIMM Ram f HP - HPE Server ProLiant MicroServer Gen 11
- BusgeschwindigkeitPC5-4800B
- HerstellernummerM324R4GA3BB0-CQK
- MarkeSamsung
- ProduktartDDR5 SDRAM
- Herstellungsland und -regionSüdkorea
- ModellM324R4GA3BB0-CQK
- Anzahl der Pins288
- Gesamtkapazität32 GB
- Anzahl der Module1
- Speicher-EigenschaftenECC-Speicher
- FormfaktorUDIMM
- Kapazität pro Modul32 GB
- EAN4053044709848
- Artikelnr.376030737595
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Sind mit sämtlichen Servern mit 288-Pin ECC DDR5 Unterstützung kompatibel. HP - HPE Server ProLiant MicroServer (Gen11) (max.upgrade 4x32GB). Speicher (SO-DIMMs). Speicher (DIMMs). Apple Speicher. Diese Speicher sind am besten für Kunden geeignet, die auf absolute Stabilität und beste Leistung zum fairen Preis Wert legen.
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- AnwendungsbereichServer & Workstations
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- BusgeschwindigkeitPC4-21300 (DDR4-2666)
- Herstellernummer2XM391A4G43MB1-CTD
- MarkeSamsung
- ProduktartDDR4 SDRAM
- Anzahl der Pins288
- Gesamtkapazität64 GB
- Anzahl der Module2
- Speicher-EigenschaftenECC-Speicher
- FormfaktorUDIMM
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- FormfaktorUDIMM
- SpeichertypDDR4-SDRAM
- BusgeschwindigkeitPC4-21300 (DDR4-2666)
- HerstellernummerHMAAGU7AFR8N-VK
- MarkeSK hynix
- ModellHMAAGU7AFR8N-VK
- AnwendungsbereichServer & Workstations
- Gesamtkapazität32 GB
- Anzahl der Module1
- Speicher-EigenschaftenECC-Speicher
- Kapazität pro Modul32 GB
- EAN4053044726593
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- FormfaktorDIMM 288-pol.
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- Breite6 cm
- HerstellernummerM391A4G43BB1-CWE
- MarkeSamsung
- Gesamtkapazität32 GB
- Anzahl der Module1
- Speicher-EigenschaftenECC-Speicher
- Kapazität pro Modul32 GB
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- ProduktartECC RAM
- Anzahl der Speichermodule1
- BesonderheitenECC, Unbuffered
- FormfaktorUDIMM
- SpeichertypDDR4-SDRAM
- BusgeschwindigkeitPC4-21300 (DDR4-2666)
- MarkeSamsung
- Modellkompatibel Samsung M391A4G43MB1-CTD
- AnwendungsbereichServer & Workstations
- Gesamtkapazität32 GB
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- HerstellernummerM391A4G43BB1-CWE
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