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Hynix 8Gb Notebook, Laptop Ram Speicher 1866 Mhz, Pc-14900 SoDimm 204pin DDR3

Hynix 8Gb Notebook, Laptop Ram Speicher 1866 Mhz, Pc-14900 SoDimm 204pin DDR3

 
  • Anzahl der Speichermodule1
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • FormfaktorDIMM 204-pol.
  • Kapazität pro Modul8 GB
  • Anzahl der Pins204
  • Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
  • Herstellergarantie10 Jahre
  • BusgeschwindigkeitPC3-14900 (DDR3-1866)
  • Anzahl der Module1
  • Gesamtkapazität8 GB
  • ModellHMT41GS6BFR8A-RD
  • MarkeHynix
  • EAN4057719170650
  • Artikelnr.194502173647
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Hynix 8Gb Notebook, Laptop Ram Speicher 1866 Mhz, Pc-14900 SoDimm 204pin DDR3 Wir bieten Ihnen hier den 100% kompatiblen RAM für Ihre Gerät an. Den Arbeitsspeicher erweiterten, ist eine einfache und günstigste Methode, um mehr Leistung aus Ihrem Laptop herauszuholen. Profitieren Sie von schnelleren Zugriffszeiten auf Programme und Dateien und erhöhen Sie die Multitasking-Fähigkeit durch mehr Hauptspeicher. Vor allem Premium -Notebooks profitieren von einer Speicher-aufrüstung. Durch die Verwendung von DRAM-Bausteinen mit der aktuellsten und schnellsten Technologie erhalten Sie zusätzliche Sicherheitsreserven. Solange die verlangten RAM-Spezifikationen des Herstellers eingehalten werden, können bedenkenlos unterschiedliche Kapazitäten u.

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  • Anzahl der Module1
  • FormfaktorDIMM
  • Kapazität pro Modul8 GB
  • BusgeschwindigkeitPC4-25600 (DDR4-3200)
  • Gesamtkapazität8 GB
  • Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
  • HerstellergarantieLebenszeit
  • HerstellernummerHMAA1GS6CJR6N-XN
  • ModellHMAA1GS6CJR6N-XN
  • Anzahl der Pins260
  • EAN4057208194587
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  • ProduktartDDR4 SDRAM
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  • Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
  • Herstellergarantie10 Jahre
  • FormfaktorSO-DIMM
  • HerstellernummerHMA81GS6JJR8N-VK
  • ModellHMA81GS6JJR8N-VK
  • Anzahl der Pins260
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  • Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
  • BusgeschwindigkeitPC4-19200 (DDR4-2400)
  • Kapazität pro Modul8 GB
  • Gesamtkapazität8 GB
  • HerstellernummerHMA81GS6AFr8N
  • ModellHMA81GS6AFr8N
  • EAN4057208036559
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  • FormfaktorDIMM
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  • BusgeschwindigkeitPC3-10660 (DDR3-1333)
  • HerstellernummerHMT351S6BFR8C
  • ModellHMT351S6BFR8C
  • Anzahl der Pins204
  • EAN4057719210370
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  • SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)
  • FormfatkorDIMM 204-pol.
  • BusgeschwindigkeitPc3-10600S
  • Herstellernummer1x8GB_10600S
  • MarkeHynix
  • Apple kompatibelJa
  • AnwendungsbereichNotebook mit Core i3/i5/i7 2. und 3. Generation
  • Gesamtkapazität8 GB
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  • ProduktartDDR4 SO-DIMM
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  • Gesamtkapazität8 GB
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  • Speicher-EigenschaftenECC-Speicher
  • FormfaktorUDIMM
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  • EAN4260580370542
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  • Händergarantie10 Jahre
  • FormfaktorDIMM 204-pol.
  • Apple kompatibelJa
  • EAN4053044710172
  • BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
  • MarkeHynix
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Gesamtkapazität8 GB
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  • Höhe0.8 cm
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  • Herstellungsland und -regionDeutschland
  • EAN4053044743859
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  • ModellSam_2x8GB
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  • Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
  • HerstellergarantieLebenszeit
  • BusgeschwindigkeitPC3-14900 (DDR3-1866)
  • HerstellernummerSP-A-1221
  • EAN4057719170674
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  • TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
  • MPNM391A1K43BB1CRC
  • FormfaktorDIMM
  • BusgeschwindigkeitPC3L-14900 (DDR3L-1866)
  • HerstellernummerM391A1K43BB1-CRC
  • MarkeSamsung
  • Händergarantie10 Jahre
  • Apple kompatibelJa
  • Gesamtkapazität16 GB
  • Anzahl der Module2
  • Speicher-EigenschaftenECC-Speicher
  • Kapazität pro Modul8 GB
  • EAN4053044724506
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  • TypDDR4-SDRAM, SO-DIMM
  • MarkeHynix
  • Gesamtkapazität8GB
  • HerstellernummerHMA81GS6AFR8N-UH
  • Kapazität pro Modul8 GB
  • BesonderheitenUnbuffered
  • MPNCT8G48FS824A
  • Anzahl der Module1
  • FormfaktorSO DIMM 260-pol.
  • ProduktartDDR4 SDRAM
  • BusgeschwindigkeitPC4-19200 (DDR4-2400)
  • Herstellungsland und -regionChina
  • EAN047114311646
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  • MarkeHynix
  • Kapazität pro Modul8 GB
  • Herstellernummer2x4GB_E7214
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • EAN4250591489555
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  • MarkeHynix
  • Herstellernummer2x8GB_DDR3_1333_SODIMM_HYNIX
  • Herstellergarantie10 Jahre
  • FormfaktorDIMM 204-pol.
  • Kapazität pro Modul8 GB
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Anzahl der Module2
  • BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
  • EAN4053044736127
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  • MarkeSK hynix
  • ModellHMA851S6CJR6N
  • ProduktartDDR4 SO-DIMM
  • Anzahl der Pins260
  • Gesamtkapazität8 GB
  • Anzahl der Module2
  • FormfaktorSO-DIMM
  • Kapazität pro Modul4 GB
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  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • MarkeHynix
  • HerstellernummerHMT41GS6MFR8C-PB
  • FormfaktorDIMM 204-pol.
  • BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
  • Anzahl der Module2
  • Kapazität pro Modul8 GB
  • HerstellergarantieSonstiges: Siehe Artikelbeschreibung
  • AnwendungsbereichNotebooks
  • TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
  • SpeicherbandbreiteDDR3-1600 (PC3-12800)
  • Kapazität4 GB und mehr
  • BesonderheitenUnbuffered
  • MPNHMT41GS6MFR8C-PB
  • EAN4053044708483
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  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Anzahl der Pins204
  • TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
  • MaßeinheitEinheit
  • FormfaktorSO-DIMM
  • BusgeschwindigkeitPC3L-14900 (DDR3L-1866)
  • HerstellernummerHMT41GS6DFR8A-RD
  • MarkeHynix
  • Händergarantie10 Jahre
  • Apple kompatibelJa
  • Gesamtkapazität32 GB
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  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Anzahl der Pins204
  • BesonderheitenUnbuffered
  • Kapazität4 GB und mehr
  • TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
  • FormfaktorSO-DIMM
  • SpeicherbandbreiteDDR3-1066 (PC3-8500)
  • SpeichertypDDR3-SDRAM
  • BusgeschwindigkeitPC3-8500 (DDR3-1066)
  • Herstellernummer2x8GB_iMac mac mini
  • MarkeHynix 3rd
  • AnwendungsbereichNotebooks
  • Gesamtkapazität16 GB
  • Anzahl der Module2
  • Kapazität pro Modul8 GB
  • EAN4053044729549
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  • MarkeHynix
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  • Herstellernummer2x4GB_P6624
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  • EAN4250591400062
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  • MarkeHynix
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