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Samsung 8GB DDR3 2RX8 PC3L-12800S-11-11-F3 RAM Speicher 1.35V Notebook
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Samsung 8GB DDR3 2RX8 PC3L-12800S-11-11-F3 RAM Speicher 1.35V Notebook
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Pins204
- MaßeinheitEinheit
- Herstellergarantie1 Monat
- FormfaktorSO-DIMM
- BusgeschwindigkeitPC3L-12800S(DDR3-1600)
- HerstellernummerM471B1G73BH0-YK0
- MarkeSamsung
- Herstellungsland und -regionChina
- ModellM471B1G73BH0-YK0
- Gesamtkapazität8 GB
- Anzahl der Module1
- Anzahl der Einheiten1
- Kapazität pro Modul8 GB
- Artikelnr.387458887898
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- Kapazität pro Modul8 GB
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- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
- Anzahl der Speichermodule1
- Herstellernummer8GB_DDR3_PC_NEU
- MarkeIntel
- ProduktartDDR3 SDRAM
- FormfaktorDIMM
- Anzahl der Module1
- ModellDDR3
- Anzahl der Pins240
- EAN0760557824268
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- MarkeSamsung 3rd
- ProduktartDDR3L
- Anzahl der Pins204
- Gesamtkapazität32 GB
- Volt1,35V = Low Voltage
- Anzahl der Module2
- FormfaktorSO-DIMM
- Kapazität pro Modul16 GB
- EANnichtzutreffend
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- MarkeSamsung 3rd
- ProduktartDDR3L
- Anzahl der Pins204
- Gesamtkapazität16 GB
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- Kapazität pro Modul8 GB
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- Anzahl der Pins240
- Spannung1,5V
- Länge13,4 cm
- FormfaktorDIMM
- Höhe3,12 cm
- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
- Breite0,08 cm
- HerstellernummerCT102464BA160B
- MarkeCrucial
- ModellCT102464BA160B
- CAS Latency (CL)11
- Gesamtkapazität8 GB
- Anzahl der Module1
- Speicher-Eigenschaftenunbuffered, Non ECC, Non Registered
- Kapazität pro Modul8 GB
- EAN3664870479464
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- MarkeSamsung 3rd
- ProduktartDDR3L
- Anzahl der Pins204
- Gesamtkapazität8 GB
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul8 GB
- EAN6495273180001
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- Anzahl der Pins204
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- Gesamtkapazität16 GB
- ModellDDR3
- Anzahl der Pins204
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- BusgeschwindigkeitPC3L-12800 (DDR3L-1600)
- SpeicherbandbreitePC3L-12800 (DDR3L-1600)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul8GB
- Gesamtkapazität16GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1600 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3L-12800S-11
- JEDEC NormPC3L-12800S
- Spannung1.35V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL11
- CAS-LatenzCL11
- UnbufferedJA
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- FormfaktorUDIMM
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- ModellDDR3
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- Anzahl der Pins240
- Volt1,35 Volt
- Länge13,4 cm
- FormfaktorDIMM
- Höhe3,12 cm
- Breite0,08 cm
- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
- HerstellernummerCT102464BD160B
- MarkeCrucial
- ModellCT102464BD160B
- Herstellungsland und -regionChina
- CAS Latency (CL)11
- Gesamtkapazität8GB
- Anzahl der Module1
- Speicher-Eigenschaftenunbuffered, Non ECC, Non Registered, Low Voltage
- Kapazität pro Modul8 GB
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- MarkeKingston
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul8 GB
- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
- Gesamtkapazität16 GB
- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
- Herstellergarantie10 Jahre
- FormfaktorDIMM
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- Herstellernummer4x8GB_DDR3_PC_NEU
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- ProduktartDDR3 SDRAM
- FormfaktorUDIMM
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- ProduktartDDR3 SDRAM
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- FormfaktorUDIMM
- Höhe3,8 mm
- BusgeschwindigkeitPC3-12800U
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- BrandEnroc
- Herstellernummer380000380949
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- Herstellungsland und -regionChina
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