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2x 16GB RAM 32GB DDR4 2666Mhz SO-DIMM für HP ZBook 17 G5 G6 (Intel CoreXeon)

2x 16GB RAM 32GB DDR4 2666Mhz SO-DIMM für HP ZBook 17 G5 G6 (Intel CoreXeon)

 
  • MarkeSamsung
  • Herstellernummer2x M471A2K43CB1-CTD
  • Gesamtkapazität32GB
  • TypDDR4-SDRAM, SO-DIMM
  • BesonderheitenUnbuffered
  • FormfaktorSO DIMM 260-pol.
  • Kapazität pro Modul16GB
  • ProduktartDDR4 SDRAM
  • Anzahl der Module2
  • BusgeschwindigkeitPC4-21300 (DDR4-2666)
  • Herstellungsland und -regionSüdkorea
  • EAN4260580370832
  • Artikelnr.374044684675
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DDR4 PC4-2666V-S 2666Mhz 260pin. SAMSUNG DDR4 2666 Mhz SO DIMM DIMMs sind mit sämtlichen Workstations mit PC4-2666V-S Standard kompatibel. Diese Speicher sind am besten für Kunden geeignet, die auf absolute Stabilität und beste Leistung zum fairen Preis Wert legen.

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  • SpeichertypDDR3 SDRAM
  • HerstellernummerS7012WGM4NR-JP, S7012WGM4NR
  • MarkeTYAN
  • ModellS7012 WGM4NR
  • SockeltypLGA 1366 / Sockel B
  • BesonderheitenQuad LAN, Integrierter Video-Chipsatz
  • Anzahl der Speicher-Steckplätze18
  • Ein-/AusgangsanschlüsseEthernet (RJ-45)
  • Kompatible CPU-MarkeIntel
  • FormfaktorSSI EEB
  • Mainboard-MarkeTYAN
  • EAN635872024474
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  • CPUXeon E5-2640 V4 (10 Cores)
  • RAM32 GB DDR4
  • M.2 SSD240 GB M.2 NVMe
  • Kühlungohne Kühler
  • Kompatible CPU-MarkeIntel
  • Ein-/AusgangsanschlüsseEthernet (RJ-45), PS/2, SATA III, USB 3.0, M.2
  • Passend fürGaming, Gelegentliche Computerarbeiten, Grafikdesign
  • ErweiterungssteckplätzePCI Express, PCI Express 3.0 x16
  • Mainboard-MarkeAlpha-IT
  • FormfaktorMini-ATX
  • SpeichertypDDR4 SDRAM
  • SockeltypLGA 2011-3/Socket R3
  • Anzahl der Speicher-Steckplätze4
  • CPU-SerieXeon
  • Anzahl der CPU-Kerne8 bis 18
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  • MarkePHS-memory
  • ProduktartDDR4
  • FormfaktorRDIMM 288 Pin DIMM
  • Busgeschwindigkeit2666MHz PC4-2666V-R
  • Anzahl der Module2
  • Kapazität pro Modul16GB
  • MarkenkompatibilitätFür Dell
  • EAN4067488852398
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  • MarkeHynix
  • ModellHynix
  • HerstellernummerHMAA4GS7AJR8N-WM
  • Gesamtkapazität64 GB
  • TypDDR4-SDRAM, SO-DIMM
  • BesonderheitenUnbuffered
  • FormfaktorSO-DIMM
  • Speicher-EigenschaftenECC-Speicher
  • Kapazität pro Modul32 GB
  • ProduktartDDR4 SDRAM
  • Anzahl der Module2
  • BusgeschwindigkeitPC4-21300 (DDR4-2666)
  • Herstellungsland und -regionSüdkorea
  • Anzahl der Pins288
  • EAN4053044727170
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  • BusgeschwindigkeitPC3-19200 (DDR3-2400)
  • HerstellernummerM471A2K43BB1-CRC
  • MarkeSamsung
  • Herstellungsland und -regionSüdkorea
  • ProduktartDDR4 SDRAM
  • BesonderheitenUnbuffered
  • Gesamtkapazität32 GB
  • TypDDR4-SDRAM, SO-DIMM
  • Anzahl der Module1
  • FormfaktorSO DIMM 260-Pol.
  • Kapazität pro Modul32 GB
  • EAN4053044725688
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  • MarkePHS-memory
  • ProduktartDDR4
  • FormfaktorSO DIMM 260 Pin DIMM
  • Busgeschwindigkeit2666MHz PC4-2666V-S
  • Anzahl der Module1
  • Kapazität pro Modul32GB
  • MarkenkompatibilitätFür Dell
  • EAN4064578160630
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  • Gesamtkapazität32GB
  • Herstellernummer2x M471A2K43CB1-CTD
  • Kapazität pro Modul16 GB
  • Anzahl der Module2
  • FormfaktorSO DIMM 260-pol.
  • Busgeschwindigkeit2666Mhz
  • Herstellungsland und -regionSüdkorea
  • EAN4053044793595
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  • Enthaltene Kühlkomponente(n)Keine/Nur Prozessor
  • L2-Cache256 KB
  • SockelSockel 1150
  • AngebotspaketNein
  • ProzessormodellIntel Xeon E3-1245 V3
  • Taktfrequenz3,4 GHz
  • MPNV26808-B9024-V10
  • Herstellergarantiekeine
  • HerstellernummerV26808-B9024-V10
  • HerstellerIntel
  • ProzessortypXeon
  • MarkeIntel
  • Herstellungsland und -regionVietnam
  • EinsatzbereichDesktop
  • SockeltypLGA 1150/Sockel H3
  • Anzahl der Kerne4
  • SerieE3-1245V3
  • EAN0675901218795
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  • ProzessormodellIntel Xeon E3-1225 V3
  • Taktfrequenz3,2 GHz
  • MPNV26808-B9025-V10
  • Herstellergarantiekeine
  • HerstellernummerBX80646E31225V3
  • HerstellerIntel
  • ProzessortypXeon
  • MarkeIntel
  • Herstellungsland und -regionMalaysia
  • EinsatzbereichDesktop
  • SockeltypLGA 1150/Sockel H3
  • Anzahl der Kerne4
  • SerieE3-1225V3
  • EAN0675901218801
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  • Herstellernummer4x M471A4G43MB1-CTD
  • FormfaktorSO DIMM 260-pol.
  • BusgeschwindigkeitPC4-21300 (DDR4-2666)
  • Anzahl der Module4
  • Kapazität pro Modul32 GB
  • TypDDR4-SDRAM, SO-DIMM
  • BesonderheitenUnbuffered
  • MPN4x M471A4G43MB1-CTD
  • Gesamtkapazität128GB
  • Herstellungsland und -regionSüdkorea
  • EAN4053044793595
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Intel CM8064401830901 Prozessor inkl VAT
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  • EAN0675901294751
  • *GarantiebedingungenBeachten Sie die vollständ. Artikelbeschreibung
  • Anz. der Threads16 Threads
  • Ausführungoriginal
  • Cache-Speicher20 MB
  • Cache-Speicher-DetailsSmart Cache - 20 MB
  • Herstellungsprozess22 nm
  • Kernspannung0.65 V - 1.30 V
  • Max. Turbo-Taktfrequenz3.4 GHz
  • PCI Express Revision3.0
  • ProduktartNetzwerkgerät
  • ProdukttypProzessor
  • Prozessoranz.1
  • Temperaturspezifikationen74.3 °C
  • Thermal Design Power (TDP)90 W
  • Typ / FormfaktorIntel Xeon E5-2640V3
  • HerstellernummerCM8064401830901
  • L3-Cache3 MB
  • ProzessortypXeon
  • MarkeIntel
  • L2-Cache256 KB
  • SockeltypLGA 2011-v3
  • ProzessormodellIntel Xeon E5-2640 V3
  • Taktfrequenz2,6 GHz
  • Anzahl der Kerne8
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  • Markedekoelektropunktde
  • ProduktartDDR4 SDRAM
  • Anzahl der Module1
  • FormfaktorSO-DIMM
  • BusgeschwindigkeitPC4-21300 (DDR4-2666)
  • Speicher-EigenschaftenNon-ECC
  • HerstellernummerDXD1681166
  • Gesamtkapazität16 GB
  • Kapazität pro Modul16 GB
  • Anzahl der Einheiten1
  • MaßeinheitEinheit
  • ModellDXRSOD4
  • Länge69mm
  • Breite30mm
  • Höhe3mm
  • Anzahl der Pins260
  • EAN4066594854524
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  • Herstellernummer2x M471A2K43CB1-CTD
  • MarkeSamsung
  • ProduktartDDR4 SDRAM
  • Herstellungsland und -regionSüdkorea
  • BesonderheitenUnbuffered
  • Gesamtkapazität32GB
  • TypDDR4-SDRAM, SO-DIMM
  • MPN2x M471A2K43CB1-CTD
  • Anzahl der Module2
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  • Anzahl der Module2
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  • Gesamtkapazität32 GB
  • Anzahl der Pins260
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  • HerstellergarantieLebenszeit
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