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G.Skill DIMM 16 GB DDR3-1333 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher
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G.Skill DIMM 16 GB DDR3-1333 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher
- EAN4711148598323
- Speicher Allgemein - SpeicherstandardDDR3-1333 (PC3-10600)
- HerstellerG.Skill
- ModellbezeichnungF3-10600CL9D-16GBNT
- BauformDIMM
- Kapazität16.384 MB
- TypSDRAM-DDR3
- Anschluss240-Pin
- Spannung1,5 V
- StandardDDR3-1333 (PC3-10600)
- HauptfarbeKeine Farbangabe
- Hersteller-ArtikelnummerF3-10600CL9D-16GBNT
- LieferzustandRetail
- Produktsicherheit - Hersteller-NameFrank Hung
- Produktsicherheit - Hersteller-E-Mailfrank@gskill.com
- Produktsicherheit - Hersteller-URLhttps://www.gskill.com
- Gewicht in g64
- SerieNT
- Gewicht64 g
- Gewicht (kg) Dezimal0.064
- Gewicht inkl. Verpackung64 g
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- HerstellernummerF3-10600CL9D-16GBNT
- MarkeG. SKILL
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module2
- Artikelnr.285651556500
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Dieses G.Skill Dual-Channel Kit aus der NT-Serie besteht aus zwei 8-GB-DDR3-1333-Speichermodulen (PC3-10600) in DIMM-Bauform. Die Gesamtkapazität beträgt 16 GB. Die Module sind auf Latenzen von 9-9-9-24 bei 1333 MHz programmiert.
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- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
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- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
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- FormfatkorDIMM 204-pol.
- BusgeschwindigkeitPc3-10600S
- Herstellernummer1x8GB_10600S
- MarkeHynix
- Apple kompatibelJa
- AnwendungsbereichNotebook mit Core i3/i5/i7 2. und 3. Generation
- Gesamtkapazität8 GB
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- EAN4250591487629
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- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
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- BusgeschwindigkeitPC3-10660 (DDR3-1333)
- ModellM471B1G73BH0-CH9
- MarkeSamsung
- EAN4057719116863
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- MarkeCrucial
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- ProduktartDDR3 SDRAM
- Herstellungsland und -regionTaiwan
- Anzahl der Pins240
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- Speicher-EigenschaftenDDR3
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- EAN4250591400352
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Corsair CMSO4GX3M1C1333C9 (4GB, PC3-10600 (DDR3-1333), DDR3 SDRAM, NEU
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- MarkeCorsair
- ModellCMSO4GX3M1A1333C9
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Herstellungsland und -regionTaiwan
- Anzahl der Pins204
- Gesamtkapazität4 GB
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- FormfaktorSO-DIMM
- Kapazität pro Modul4 GB
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- Anzahl der Speichermodule1
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module2
- FormfaktorDIMM 204-pol.
- Kapazität pro Modul8 GB
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- ModellSpezifisch
- Anzahl der Pins204
- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
- Herstellergarantie2 Jahre
- BusgeschwindigkeitPC3-10660 (DDR3-1333)
- MarkeSamsung
- EAN4069043797984
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2x 4GB 8GB DDR3 1333 RAM für FujitsuSiemens ESPRIMO Q900 SAMSUNG PC3-10600S
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- Herstellernummer2x4GB-Q900
- MarkeSamsung
- EAN4053044715849
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- Anzahl der Speichermodule1
- MarkeKingston
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Kapazität pro Modul8 GB
- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
- Herstellergarantie10 Jahre
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- FormfaktorDIMM
- BusgeschwindigkeitPC3-10660 (DDR3-1333)
- Gesamtkapazität8gb
- HerstellernummerKVR1333D3N9
- ModellKVR1333D3N9
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- EAN4057719021945
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- HerstellergarantieSiehe Artikelbeschreibung
- Kapazität pro Modul2GB
- EAN0740617134230
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- HerstellernummerKVR1333D3N9/2G
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- ProduktartDDR3 SDRAM
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- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module1
- FormfaktorSO-DIMM
- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
- Speicher-EigenschaftenNon-ECC
- HerstellernummerS0DDR3-0424DK300R318476
- Gesamtkapazität4GB
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- Anzahl der Einheiten1
- MaßeinheitEinheit
- ModellDXRSOD3
- Länge68mm
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- EAN4061428850079
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- MarkeSamsung
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- ModellM471B1G73EB0-YK0
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- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
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- BusgeschwindigkeitPc3-10600S
- HerstellernummerM471B5273DH0-CH9
- EAN4057719116580
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- ProduktartDDR3 SDRAM
- HerstellernummerBEST350820-2x
- FormfaktorDIMM 204-pol
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- Gesamtkapazität8GB
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- AngebotspaketNein
- Herstellergarantie2 Jahre
- Anzahl der Pins204
- Speicher-EigenschaftenNon-ECC Speicher, Unbuffered
- EAN4054533874832
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- Anzahl der Speichermodule1
- MarkeSamsung
- ProduktartDDR3 SDRAM
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- Herstellergarantie10 Jahre
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- Gesamtkapazität8 GB
- HerstellernummerM378B5273CH0-CH9
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- Kapazität pro Modul8 GB
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