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8GB DDR3 RAM SO-DIMM PC3L-12800S 1Rx8 1600 MHz 1.35V Notebook Speicher (2x 4GB)

8GB DDR3 RAM SO-DIMM PC3L-12800S 1Rx8 1600 MHz 1.35V Notebook Speicher (2x 4GB)

 
  • MarkeBRAINZAP
  • HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1600-1RX8-L
  • BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
  • SpeicherbandbreitePC3-12800 (DDR3-1600)
  • Anzahl der Module2
  • Kapazität pro Modul4GB
  • Gesamtkapazität8GB
  • FormfaktorSO DIMM 204-pol.
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Bustaktrate1600 MHz
  • Speicher-SpezifikationPC3L-12800S-11
  • JEDEC NormPC3L-12800S
  • Spannung1.35V
  • Chip-Anordnung1Rx8
  • Latenz (CL)CL11
  • CAS-LatenzCL11
  • UnbufferedJA
  • EAN4262360571125
  • Artikelnr.202887817780
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Speicher-Spezifikation PC3L-12800S-11. JEDEC Norm PC3L-12800S. Neuer Speicher. Speicher-Frequenz 1600 MHz. Modul-Einzelkapazität 4GB. Chip-Anordnung 1Rx8. Sie sind zur Rückgabe gebrauchter Batterien als Endnutzer gesetzlich verpflichtet.

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  • Herstellernummer8GB_DDR3_SO_NEU
  • Gesamtkapazität bei 2 Modulen16GB
  • Busgeschwindigkeit auchPC3-12800S
  • MarkeIntel
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • FormfaktorSO-DIMM
  • Anzahl der Module1
  • Kapazität pro Modul8 GB
  • BusgeschwindigkeitPC3L-12800S(DDR3-1600)
  • Gesamtkapazität8 GB
  • ModellDDR3
  • Anzahl der Pins204
  • EAN0760557828617
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  • Gesamtkapazität8 GB
  • Anzahl der Module1
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  • HerstellernummerBS-D3-8G-SO-1600-2RX8-L
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  • SpeicherbandbreitePC3L-12800 (DDR3L-1600)
  • Anzahl der Module2
  • Kapazität pro Modul8GB
  • Gesamtkapazität16GB
  • FormfaktorSO DIMM 204-pol.
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Bustaktrate1600 MHz
  • Speicher-SpezifikationPC3L-12800S-11
  • JEDEC NormPC3L-12800S
  • Spannung1.35V
  • Chip-Anordnung2Rx8
  • Latenz (CL)CL11
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  • HerstellernummerBS-D3-8G-SO-1600-2RX8-L
  • BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
  • SpeicherbandbreitePC3-12800 (DDR3-1600)
  • Anzahl der Module1
  • Kapazität pro Modul8GB
  • Gesamtkapazität8GB
  • FormfaktorSO DIMM 204-pol.
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Bustaktrate1600 MHz
  • Speicher-SpezifikationPC3L-12800S-11
  • JEDEC NormPC3L-12800S
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  • Chip-Anordnung2Rx8
  • Latenz (CL)CL11
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  • ProduktartDDR3L
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  • MarkeKingston
  • ProduktartDDR3L SO-DIMM
  • Herstellungsland und -regionChina
  • Anzahl der Pins204
  • Gesamtkapazität16 GB
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  • Herstellergarantie3 Jahre
  • Speicher-EigenschaftenDDR3L 1,35 V
  • FormfaktorSO-DIMM
  • Anzahl der Einheiten2
  • Kapazität pro Modul8 GB
  • EAN740617083200
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  • ProduktartDDR3L
  • Anzahl der Pins204
  • MaßeinheitEinheit
  • Herstellergarantie3 Jahre
  • FormfaktorSO-DIMM
  • BusgeschwindigkeitPC3L - 12800 (DDR3L-1600 MHz)
  • MarkePUSKILL
  • ModellVENENO
  • Gesamtkapazität8 GB
  • Anzahl der Module1
  • Speicher-EigenschaftenLow voltage
  • Anzahl der Einheiten1
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  • EAN6971735820024
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  • BusgeschwindigkeitPC3L-12800 (DDR3L-1600)
  • MarkeKingston
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • ModellKCP3L16SD8/8
  • Gesamtkapazität8 GB
  • Anzahl der Module1
  • FormfaktorSO-DIMM
  • Kapazität pro Modul8 GB
  • SteuerFür Unternehmen: Umsatzsteuer ist §25a UStG nicht ausweisbar.
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  • TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
  • MaßeinheitEinheit
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  • SpeicherbandbreiteDDR3-1600 (PC3-12800)
  • EAN4053044709725
  • BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
  • HerstellernummerM471B1G73DB0YK0X2
  • MarkeSamsung
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • ModellSamsung 16GB Dual Channel Kit 2 x 8 GB
  • Anzahl der Pins204
  • Gesamtkapazität8 GB
  • Anzahl der Module2
  • Speicher-EigenschaftenDual Channel-fähig, unbuffered, unbuffered, non-ECC
  • FormfaktorSO-DIMM
  • Kapazität pro Modul8 GB
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  • MarkeSamsung 3rd
  • ProduktartDDR3L
  • Anzahl der Pins204
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  • FormfaktorSO-DIMM
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  • TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
  • SpeicherbandbreiteDDR3-1600 (PC3-12800)
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  • Herstellernummer8GB_6510B
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