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Puskill VENENO 16GB (2x8GB) PC3L-12800S DDR3 1600 MHz 1,35V SKhynix Chip
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Puskill VENENO 16GB (2x8GB) PC3L-12800S DDR3 1600 MHz 1,35V SKhynix Chip

 
  • BusgeschwindigkeitPC3L-12800S(DDR3-1600)
  • MarkePUSKILL
  • ProduktartDDR3L
  • Anzahl der Pins204
  • Gesamtkapazität16 GB
  • Anzahl der Module2
  • Herstellergarantie3 Jahre
  • FormfaktorSO-DIMM
  • Kapazität pro Modul8 GB
  • Artikelnr.256543684501
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Es kommt im SO-DIMM Formfaktor mit 204 Pins und einer Busgeschwindigkeit von PC3L-12800S (DDR3-1600). Die Gesamtkapazität beträgt 16 GB. Mit einer Kapazität von 8 GB pro Modul ist es eine gute Wahl für die Erweiterung des Arbeitsspeichers.

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  • Anzahl der Speichermodule1
  • Herstellernummer8GB_DDR3_SO_NEU
  • MarkeIntel
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • FormfaktorSO-DIMM
  • Anzahl der Module2
  • Kapazität pro Modul8 GB
  • BusgeschwindigkeitPC3L-12800 (DDR3L-1600)
  • Gesamtkapazität16 GB
  • ModellDDR3
  • Anzahl der Pins204
  • EAN0760557828617
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  • HerstellernummerBS-D3-8G-SO-1600-2RX8-L
  • BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
  • SpeicherbandbreitePC3-12800 (DDR3-1600)
  • Anzahl der Module2
  • Kapazität pro Modul8GB
  • Gesamtkapazität16GB
  • FormfaktorSO DIMM 204-pol.
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Bustaktrate1600 MHz
  • Speicher-SpezifikationPC3L-12800S-11
  • JEDEC NormPC3L-12800S
  • Spannung1.35V
  • Chip-Anordnung2Rx8
  • Latenz (CL)CL11
  • CAS-LatenzCL11
  • UnbufferedJA
  • EAN4262360571118
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  • Herstellernummer8GB_DDR3_SO_NEU
  • Gesamtkapazität bei 2 Modulen16GB
  • Busgeschwindigkeit auchPC3-12800S
  • MarkeIntel
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • FormfaktorSO-DIMM
  • Anzahl der Module1
  • Kapazität pro Modul8 GB
  • BusgeschwindigkeitPC3L-12800S(DDR3-1600)
  • Gesamtkapazität8 GB
  • ModellDDR3
  • Anzahl der Pins204
  • EAN0760557828617
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  • HerstellernummerBS-D3-8G-SO-1600-2RX8-L
  • BusgeschwindigkeitPC3L-12800 (DDR3L-1600)
  • SpeicherbandbreitePC3L-12800 (DDR3L-1600)
  • Anzahl der Module2
  • Kapazität pro Modul8GB
  • Gesamtkapazität16GB
  • FormfaktorSO DIMM 204-pol.
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Bustaktrate1600 MHz
  • Speicher-SpezifikationPC3L-12800S-11
  • JEDEC NormPC3L-12800S
  • Spannung1.35V
  • Chip-Anordnung2Rx8
  • Latenz (CL)CL11
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  • Gesamtkapazität8GB
  • FormfaktorSO DIMM 204-pol.
  • ProduktartDDR3 SDRAM
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  • Speicher-SpezifikationPC3L-12800S-11
  • JEDEC NormPC3L-12800S
  • Spannung1.35V
  • Chip-Anordnung2Rx8
  • Latenz (CL)CL11
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  • MarkeSamsung 3rd
  • ProduktartDDR3L
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  • ProduktartDDR3 SDRAM
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  • MarkeSamsung 3rd
  • ProduktartDDR3L
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  • MarkeSamsung
  • ProduktartDDR3 SDRAM
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  • BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
  • Gesamtkapazität8GB
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  • Herstellergarantie10 Jahre
  • EAN4057719278554
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  • MarkeSamsung 3rd
  • ProduktartDDR3L
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  • Gesamtkapazität8 GB
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  • Herstellernummer8GB_L950
  • AnwendungsbereichNotebooks
  • TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
  • SpeicherbandbreiteDDR3-1600 (PC3-12800)
  • Kapazität4 GB und mehr
  • BesonderheitenUnbuffered
  • EAN4053044724322
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  • ProduktartDDR3L
  • ModellM471B1G73EB0-YK0
  • Anzahl der Pins204
  • Gesamtkapazität16 GB
  • Anzahl der Module2
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  • Kapazität pro Modul8 GB
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  • MarkeKingston
  • Herstellungsland und -regionChina
  • ModellKVR16LS11/8
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  • HerstellergarantieLebenszeit
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