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Samsung 8GB DDR3 2RX8 PC3L-12800S-11-11-F3 RAM Speicher 1.35V Notebook
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Hinweis: Die auf dieser Unterseite aufgelisteten Artikel sind keine B-Ware Artikel
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Samsung 8GB DDR3 2RX8 PC3L-12800S-11-11-F3 RAM Speicher 1.35V Notebook
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Pins204
- MaßeinheitEinheit
- Herstellergarantie1 Monat
- FormfaktorSO-DIMM
- BusgeschwindigkeitPC3L-12800S(DDR3-1600)
- HerstellernummerM471B1G73BH0-YK0
- MarkeSamsung
- Herstellungsland und -regionChina
- ModellM471B1G73BH0-YK0
- Gesamtkapazität8 GB
- Anzahl der Module1
- Anzahl der Einheiten1
- Kapazität pro Modul8 GB
- Artikelnr.387458887898
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Samsung 8GB DDR3 2RX8 PC3L-12800S-11-11-F3 SODIMM RAM Speicher 1.35V. • Mit einer Geschwindigkeit von PC3L-12800S-11-11-F3 und einer Spannung von 1,35 V ist er eine ideale Wahl für eine schnellere und effizientere Datenverarbeitung.
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- MarkeSamsung 3rd
- ProduktartDDR3L
- Anzahl der Pins204
- Gesamtkapazität32 GB
- Volt1,35V = Low Voltage
- Anzahl der Module2
- FormfaktorSO-DIMM
- Kapazität pro Modul16 GB
- EANnichtzutreffend
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- MarkeIntel
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- FormfaktorSO-DIMM
- Anzahl der Module2
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- BusgeschwindigkeitPC3L-12800 (DDR3L-1600)
- Gesamtkapazität16 GB
- ModellDDR3
- Anzahl der Pins204
- EAN0760557828617
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- BusgeschwindigkeitPC3L-12800 (DDR3L-1600)
- SpeicherbandbreitePC3L-12800 (DDR3L-1600)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul8GB
- Gesamtkapazität16GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1600 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3L-12800S-11
- JEDEC NormPC3L-12800S
- Spannung1.35V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL11
- CAS-LatenzCL11
- UnbufferedJA
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- Anzahl der Module1
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