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RAM SK Hynix 4GB 1Rx8 PC3-14900E-13-13-D1 48 x 4 GB
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Hinweis: Die auf dieser Unterseite aufgelisteten Artikel sind keine B-Ware Artikel
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RAM SK Hynix 4GB 1Rx8 PC3-14900E-13-13-D1 48 x 4 GB
- BusgeschwindigkeitPC3-14900E (DDR3-1866)
- MarkeApple
- ProduktartDDR3 ECC SDRAM
- Gesamtkapazität4 GB
- Anzahl der Module48
- FormfaktorDIMM
- Kapazität pro Modul4 GB
- Artikelnr.375480138531
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75,-
Geschwindigkeit: PC3-14900E. Verkauf da der RAM der Mac Pro´s erweitert wurde, sonst wurde der RAM nie genutzt. Kapazität: 4GB.
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- Anzahl der Module1
- ProduktartDDR4 SO-DIMM
- Anzahl der Pins260
- Gesamtkapazität4 GB
- FormfaktorSO-DIMM
- Kapazität pro Modul4 GB
- Herstellergarantie5 Jahre
- Anzahl der Speichermodule1
- MarkeSK hynix
- HerstellernummerHMA851S6DJR6N-XN
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- Anzahl der Module1
- FormfaktorDIMM
- Kapazität pro Modul8 GB
- BusgeschwindigkeitPC4-25600 (DDR4-3200)
- Gesamtkapazität8 GB
- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
- HerstellergarantieLebenszeit
- HerstellernummerHMAA1GS6CJR6N-XN
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- EAN4057208194587
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- Kapazität pro Modul16 GB
- BusgeschwindigkeitPC4-25600 (DDR4-3200)
- Gesamtkapazität16 GB
- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
- Herstellergarantie10 Jahre
- FormfaktorSO-DIMM
- HerstellernummerHMAA2GS6CJR8N-XN
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- Anzahl der Pins260
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- BusgeschwindigkeitPC5-44800 (DDR5-5600)
- HerstellernummerHMCG66AGBSA095N
- MarkeSK hynix
- Herstellungsland und -regionUnbekannt
- ModellHMCG66AGBSA095N
- Gesamtkapazität8 GB
- Anzahl der Module1
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- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
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- FormfaktorDIMM
- Speicher-EigenschaftenECC-Speicher
- Kapazität pro Modul16 MB
- ProduktartDDR3 SDRAM
- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
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- SpeicherbandbreitePC4-3200 (DDR4-3200)
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- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 260-pol.
- ProduktartDDR4 SDRAM
- Bustaktrate3200 MHz
- Speicher-SpezifikationPC4-3200
- JEDEC NormPC4-3200
- Spannung1.2V
- Chip-Anordnung1Rx8
- Latenz (CL)CL22
- CAS-LatenzCL22
- UnbufferedJA
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