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Samsung 4GB SO-DIMM DDR3-1066 PC3-12800 Ram CL11 neu M471B5273DH0-CKO
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Samsung 4GB SO-DIMM DDR3-1066 PC3-12800 Ram CL11 neu M471B5273DH0-CKO
- HerstellernummerM471B5273DH0-CKO
- ProduktartDDR3L
- Kapazität pro Modul4GB
- Herstellergarantie1 Jahr
- MarkeSamsung
- Artikelnr.153096694054
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- ProduktartDDR4 SDRAM
- FormfaktorSO-DIMM
- Anzahl der Module1
- BusgeschwindigkeitPC4-25600 (DDR4-3200)
- Gesamtkapazität4 GB
- Kapazität pro Modul4 GB
- Anzahl der Pins260
- Herstellungsland und -regionChina
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- HerstellernummerBS-D2-4G-SO-800-N
- BusgeschwindigkeitPC2-6400 (DDR2-800)
- SpeicherbandbreitePC2-6400 (DDR2-800)
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorSO DIMM 200-pol.
- ProduktartDDR2 SDRAM
- Bustaktrate800 MHz
- Speicher-SpezifikationPC2-6400S
- JEDEC NormPC2-6400S
- Spannung1.8V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL6
- CAS-LatenzCL6
- UnbufferedJA
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- HerstellernummerM471B5273BH1-CF8 (kompatibel)
- MarkeSamsung, Micron oder Hynix Chip
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Pins204
- Gesamtkapazität8 GB
- Anzahl der Module2
- MaßeinheitEinheit
- FormfaktorDIMM 204-pol.
- Anzahl der Einheiten2
- Kapazität pro Modul4 GB
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- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPc3-10600S
- SpeicherbandbreitePc3-10600S
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
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- ProduktartDDR4 SDRAM
- FormfaktorSO-DIMM
- Anzahl der Module1
- BusgeschwindigkeitPC4-25600 (DDR4-3200)
- Gesamtkapazität4 GB
- Anzahl der Pins260
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- BusgeschwindigkeitPC3-8500 (DDR3-1066)
- SpeicherbandbreitePC3-8500 (DDR3-1066)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1066 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-8500S-7
- JEDEC NormPC3-8500S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
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- CAS-LatenzCL7
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- Bustaktrate2400MHz
- MarkeCrucial
- Modifizierter ArtikelNein
- ProduktartDDR4 SDRAM
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- Anzahl der Module1
- FormfaktorSO-DIMM
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- BusgeschwindigkeitPC2-6400S
- HerstellernummerMICRON3rd_2x4GB
- MarkeRAM
- AnwendungsbereichNotebooks
- Gesamtkapazität8 GB
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- Speicher-EigenschaftenSO-DIMM
- Kapazität pro Modul4 GB
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- HerstellernummerBS-D2-2G-SO-800-N
- BusgeschwindigkeitPC2-6400 (DDR2-800)
- SpeicherbandbreitePC2-6400 (DDR2-800)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul2GB
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- FormfaktorSO DIMM 200-pol.
- ProduktartDDR2 SDRAM
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- JEDEC NormPC2-6400S
- Spannung1.8V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL6
- CAS-LatenzCL6
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- SpeicherbandbreitePC3-8500 (DDR3-1066)
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