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1x 8GB RAM DDR3 1333 Mhz HYNIX SO DIMM PC3-10600S Notebook Arbeitsspeicher
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Hinweis: Die auf dieser Unterseite aufgelisteten Artikel sind keine B-Ware Artikel
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1x 8GB RAM DDR3 1333 Mhz HYNIX SO DIMM PC3-10600S Notebook Arbeitsspeicher
- ProduktartDDR3 SDRAM
- BesonderheitenUnbuffered
- Kapazität4 GB und mehr
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- FormfaktorSO-DIMM
- SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)
- FormfatkorDIMM 204-pol.
- BusgeschwindigkeitPc3-10600S
- Herstellernummer1x8GB_10600S
- MarkeHynix
- Apple kompatibelJa
- AnwendungsbereichNotebook mit Core i3/i5/i7 2. und 3. Generation
- Gesamtkapazität8 GB
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul8 GB
- EAN4250591487629
- Artikelnr.350559925582
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HYNIX SEMICONDUCTOR ist bekannt für ihre hochwertigen Produkte. Deswegen sind diese Speicher am besten für Kunden geeignet, die auf absolute Stabilität und beste Leistung zum fairen Preis Wert legen.
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- Anzahl der Speichermodule1
- Herstellernummer8GB_DDR3_SO_NEU
- MarkeIntel
- ProduktartDDR3 SDRAM
- FormfaktorSO-DIMM
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul8 GB
- BusgeschwindigkeitPC3L-12800 (DDR3L-1600)
- Gesamtkapazität16 GB
- ModellDDR3
- Anzahl der Pins204
- EAN0760557828617
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BRAINZAP 8GB (2x 4GB) DDR2 RAM PC2-6400S 2Rx8 SO-DIMM 800 MHz Arbeitsspeicher
- MarkeBRAINZAP
- HerstellernummerBS-D2-4G-SO-800-N
- BusgeschwindigkeitPC2-6400 (DDR2-800)
- SpeicherbandbreitePC2-6400 (DDR2-800)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 200-pol.
- ProduktartDDR2 SDRAM
- Bustaktrate800 MHz
- Speicher-SpezifikationPC2-6400S
- JEDEC NormPC2-6400S
- Spannung1.8V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL6
- CAS-LatenzCL6
- UnbufferedJA
- EAN4262360570326
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16GB DDR3 RAM SO-DIMM PC3L-12800S 2Rx8 1600 MHz 1.35V Notebook Speicher (2x 8GB)
- MarkeBRAINZAP
- HerstellernummerBS-D3-8G-SO-1600-2RX8-L
- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
- SpeicherbandbreitePC3-12800 (DDR3-1600)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul8GB
- Gesamtkapazität16GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1600 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3L-12800S-11
- JEDEC NormPC3L-12800S
- Spannung1.35V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL11
- CAS-LatenzCL11
- UnbufferedJA
- EAN4262360571118
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Samsung 8GB DDR4-3200 RAM (2x 4GB Kit) SO-DIMM PC4-25600 für Notebook, Laptop
- Busgeschwindigkeit3200 MHz
- MarkeSamsung
- ProduktartDDR4 SO-DIMM
- Anzahl der Pins260
- FormfaktorSO-DIMM
- Kapazität pro Modul4 GB
- HerstellernummerM471A5244CB0
- ModellM471A5244CB0
- Herstellergarantie2 Jahre
- Speicher-EigenschaftenNicht-ECC
- Gesamtkapazität8 GB
- Anzahl der Module2
- Anzahl der Speichermodule2
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8GB DDR3 DDR3L 1600 PC3-12800S PC3L-12800S 204pin SO-Dimm RAM Arbeitsspeicher
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- Gesamtkapazität bei 2 Modulen16GB
- Busgeschwindigkeit auchPC3-12800S
- MarkeIntel
- ProduktartDDR3 SDRAM
- FormfaktorSO-DIMM
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul8 GB
- BusgeschwindigkeitPC3L-12800S(DDR3-1600)
- Gesamtkapazität8 GB
- ModellDDR3
- Anzahl der Pins204
- EAN0760557828617
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8GB DDR3 DDR3L 1600 PC3-12800S PC3L-12800S 204pin SO-Dimm RAM Arbeitsspeicher
- BusgeschwindigkeitPC3L-12800S(DDR3-1600)
- MarkeSamsung 3rd
- ProduktartDDR3L
- Anzahl der Pins204
- Gesamtkapazität8 GB
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul8 GB
- EANnichtzutreffend
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Crucial 8GB DDR4 2400 MHz 260-pin SO-DIMM CL17 1.2V Speicher RAM NEU OVP
- Anzahl der Speichermodule1
- Formfaktor204-pin SO-DIMM
- ModellCrucial CT8G4SFS824A
- HerstellerCrucial
- EAN0649528776334
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8GB DDR4 RAM PC4-2666V SO-DIMM 1Rx8 2666 MHz 1.2V Notebook Laptop Speicher CL19
- MarkeBRAINZAP
- HerstellernummerBS-D4-8G-SO-2666-N
- BusgeschwindigkeitPC4-2666V (DDR4-2666)
- SpeicherbandbreitePC4-2666V (DDR4-2666)
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul8GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 260-pol.
- ProduktartDDR4 SDRAM
- Bustaktrate2666 MHz
- Speicher-SpezifikationPC4-2666V
- JEDEC NormPC4-2666V
- Spannung1.2V
- Chip-Anordnung1Rx8
- Latenz (CL)CL19
- CAS-LatenzCL19
- UnbufferedJA
- EAN4262360570586
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8GB DDR3 RAM SO-DIMM PC3-8500S 2Rx8 1066 MHz 1.5V Notebook Speicher CL7 (2x 4GB)
- MarkeBRAINZAP
- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1066-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-8500 (DDR3-1066)
- SpeicherbandbreitePC3-8500 (DDR3-1066)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1066 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-8500S-7
- JEDEC NormPC3-8500S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL7
- CAS-LatenzCL7
- UnbufferedJA
- EAN4262360571224
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8GB DDR3 RAM SO-DIMM PC3-12800S 2Rx8 1600 MHz 1.5V Notebook Laptop Speicher CL11
- MarkeBRAINZAP
- HerstellernummerBS-D3-8G-SO-1600-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
- SpeicherbandbreitePC3-12800 (DDR3-1600)
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul8GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1600 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-12800S-11
- JEDEC NormPC3-12800S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL11
- CAS-LatenzCL11
- UnbufferedJA
- EAN4262360570630
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Mushkin SO-DIMM 16 GB DDR3-1600 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher
- MarkeMushkin
- Herstellernummer997038
- EAN0846651017031
- ProduktartArbeitsspeicher
- Speicher Allgemein - SpeicherstandardDDR3-1600 (PC3-12800)
- HerstellerMushkin
- Modellbezeichnung997038
- BauformSO-DIMM
- Kapazität16.384 MB
- TypSDRAM-DDR3
- Anschluss204-Pin
- Spannung1,35 V
- StandardDDR3-1600 (PC3-12800)
- HauptfarbeKeine Farbangabe
- Hersteller-Artikelnummer997038
- Gewicht in g41
- SerieEssentials
- Gewicht41 g
- Gewicht (kg) Dezimal0.041
- Gewicht inkl. Verpackung41 g
- Globale Bezeichnung997038
- Speicher Allgemein - Anzahl Module2
- Speicher Allgemein - Physikalischer Takt800 MHz
- Speicher Allgemein - Speicherspannung bis1,35 V
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16GB DDR3 RAM SO-DIMM PC3-12800S 2Rx8 1600 MHz 1.5V Notebook Speicher (2x 8GB)
- MarkeBRAINZAP
- HerstellernummerBS-D3-8G-SO-1600-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
- SpeicherbandbreitePC3-12800 (DDR3-1600)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul8GB
- Gesamtkapazität16GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1600 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-12800S-11
- JEDEC NormPC3-12800S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL11
- CAS-LatenzCL11
- UnbufferedJA
- EAN4262360571156
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8GB Samsung DDR4 3200 Mhz RAM SO DIMM M471A1G44CB0-CWE kompatibel HP L46598-005
- ProduktartDDR4 SDRAM
- Anzahl der Pins260
- BesonderheitenUnbuffered
- TypDDR4-SDRAM, SO-DIMM
- FormfaktorSO-DIMM
- BusgeschwindigkeitPC4-25600 (DDR4-3200)
- HerstellernummerM471A1G44CB0-CWE
- MarkeSamsung
- Herstellungsland und -regionSüdkorea
- ModellM471A1G44CB0-CWE
- Gesamtkapazität8 GB
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul8 GB
- EAN4053044712701
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Samsung 8GB DDR4 3200 M471A1G44BB0 PC4-25600 SODIMM für Notebook, Laptop
- Anzahl der Module1
- MarkeSamsung
- ProduktartDDR4 SO-DIMM
- Anzahl der Pins260
- FormfaktorSO-DIMM
- Herstellergarantie5 Jahre
- Anzahl der Speichermodule1
- BusgeschwindigkeitPC4-25600 (DDR4-3200)
- Speicher-EigenschaftenNicht-ECC
- Speichergeschwindigkeit3200MHz
- Gesamtkapazität8 GB
- HerstellernummerM471A1G44bb0-CWE
- Kapazität pro Modul8 GB
- ModellM471A1G44bb0-CWE
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16GB DDR3 RAM SO-DIMM PC3L-14900S 2Rx8 1866 MHz 1.35V Notebook Speicher (2x 8GB)
- MarkeBRAINZAP
- HerstellernummerBS-D3-8G-SO-1866-2RX8-L
- BusgeschwindigkeitPC3-14900 (DDR3-1866)
- SpeicherbandbreitePC3-14900 (DDR3-1866)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul8GB
- Gesamtkapazität16GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1866 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3L-14900S-13
- JEDEC NormPC3L-14900S
- Spannung1.35V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL13
- CAS-LatenzCL13
- UnbufferedJA
- EAN4262360571576
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8GB DDR3 RAM SO-DIMM PC3-10600S 2Rx8 1333MHz 1.5V Notebook Speicher CL9 (2x 4GB)
- MarkeBRAINZAP
- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
- UnbufferedJA
- EAN4262360570227
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8GB Samsung DDR4 3200 Mhz RAM SO DIMM M471A1K43EB1-CWE kompatibel HP 13L77AT
- Herstellungsland und -regionSüdkorea
- BesonderheitenUnbuffered
- TypDDR4-SDRAM, SO-DIMM
- EAN4053044724858
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8GB Samsung DDR4 2666Mhz RAM SO-DIMM für Synology NAS DiskStation DS224
- BusgeschwindigkeitPC4-21300 (DDR4-2666)
- Herstellernummer1x M471A1K43CB1-CTD
- MarkeSamsung
- ProduktartDDR4 SDRAM
- Herstellungsland und -regionSüdkorea
- BesonderheitenUnbuffered
- Gesamtkapazität8GB
- TypDDR4-SDRAM, SO-DIMM
- Anzahl der Module1
- FormfaktorSO DIMM 260-pol.
- Kapazität pro Modul8GB
- EAN4053044795957
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Micron 8GB SO-DIMM DDR5-4800 Notebook Arbeitsspeicher MTC4C10163S1SC48B RAM
- Gesamtkapazität8 GB
- MarkeMicron
- ProduktartDDR5 SDRAM
- HerstellernummerMTC4C10163S1SC48B
- FormfaktorSO-DIMM
- BusgeschwindigkeitPC5-38400S (DDR5-4800)
- Anzahl der Module1
- Anzahl der Pins262
- Kapazität pro Modul8 GB
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G.Skill SO-DIMM 16 GB DDR4-2400 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher
- MarkeG.Skill
- HerstellernummerF4-2400C16D-16GRS
- EAN4719692007667
- ProduktartArbeitsspeicher
- Speicher Allgemein - SpeicherstandardDDR4-2400 (PC4-19200)
- HerstellerG.Skill
- ModellbezeichnungF4-2400C16D-16GRS
- BauformSO-DIMM
- Kapazität16.384 MB
- TypSDRAM-DDR4
- Anschluss260-Pin
- Spannung1,2 V
- StandardDDR4-2400 (PC4-19200)
- HauptfarbeKeine Farbangabe
- Hersteller-ArtikelnummerF4-2400C16D-16GRS
- Gewicht in g42
- SerieRipjaws
- Gewicht42 g
- Gewicht (kg) Dezimal0.042
- Gewicht inkl. Verpackung42 g
- Globale BezeichnungF4-2400C16D-16GRS
- Speicher Allgemein - Anzahl Module2
- Speicher Allgemein - Physikalischer Takt1.200 MHz
- Speicher Allgemein - Speicherspannung bis1,2 V
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8GB DDR3 RAM SO-DIMM PC3-12800S 2Rx8 1600 MHz 1.5V Notebook Speicher (2x 4GB)
- MarkeBRAINZAP
- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1600-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
- SpeicherbandbreitePC3-12800 (DDR3-1600)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1600 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-12800S-11
- JEDEC NormPC3-12800S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL11
- CAS-LatenzCL11
- UnbufferedJA
- EAN4262360571149
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Samsung 8GB SO-DIMM DDR5-5600 Arbeitsspeicher M425R1GB4BB0 RAM Notebook 5600 MHz
- Gesamtkapazität8 GB
- MarkeSamsung
- ProduktartDDR5 SDRAM
- HerstellernummerM425R1GB4BB0-CWM
- FormfaktorSO-DIMM
- BusgeschwindigkeitPC5-44800 (DDR5-5600)
- Anzahl der Module1
- Anzahl der Pins262
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G.Skill SO-DIMM 16 GB DDR4-2133 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher
- MarkeG.Skill
- HerstellernummerF4-2133C15D-16GRS
- EAN4719692007605
- ProduktartArbeitsspeicher
- Speicher Allgemein - SpeicherstandardDDR4-2133 (PC4-17000)
- HerstellerG.Skill
- ModellbezeichnungF4-2133C15D-16GRS
- BauformSO-DIMM
- Kapazität16.384 MB
- TypSDRAM-DDR4
- Anschluss260-Pin
- Spannung1,2 V
- StandardDDR4-2133 (PC4-17000)
- HauptfarbeKeine Farbangabe
- Hersteller-ArtikelnummerF4-2133C15D-16GRS
- Gewicht in g52
- SerieRipjaws
- Gewicht52 g
- Gewicht (kg) Dezimal0.052
- Gewicht inkl. Verpackung52 g
- Globale BezeichnungF4-2133C15D-16GRS
- Speicher Allgemein - Anzahl Module2
- Speicher Allgemein - Physikalischer Takt1.067 MHz
- Speicher Allgemein - Speicherspannung bis1,2 V
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G.Skill SO-DIMM 16 GB DDR4-2666 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher
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- HerstellernummerF4-2666C19D-16GRS
- EAN4713294220844
- ProduktartArbeitsspeicher
- Speicher Allgemein - SpeicherstandardDDR4-2666 (PC4-21300)
- HerstellerG.Skill
- ModellbezeichnungF4-2666C19D-16GRS
- BauformSO-DIMM
- Kapazität16.384 MB
- TypSDRAM-DDR4
- Anschluss260-Pin
- Spannung1,2 V
- StandardDDR4-2666 (PC4-21300)
- Hersteller-ArtikelnummerF4-2666C19D-16GRS
- Gewicht in g25
- SerieRipjaws
- Gewicht25 g
- Gewicht (kg) Dezimal0.025
- Gewicht inkl. Verpackung25 g
- Globale BezeichnungF4-2666C19D-16GRS
- Speicher Allgemein - Anzahl Module2
- Speicher Allgemein - Physikalischer Takt1.333 MHz
- Speicher Allgemein - Speicherspannung bis1,2 V
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8GB DDR4 RAM PC4-2400T SO-DIMM 1Rx8 2400 MHz 1.2V Notebook Laptop Speicher CL17
- MarkeBRAINZAP
- HerstellernummerBS-D4-8G-SO-2400-N
- BusgeschwindigkeitPC4-2400T (DDR4-2400)
- SpeicherbandbreitePC4-2400T (DDR4-2400)
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul8GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 260-pol.
- ProduktartDDR4 SDRAM
- Bustaktrate2400 MHz
- Speicher-SpezifikationPC4-2400T
- JEDEC NormPC4-2400T
- Spannung1.2V
- Chip-Anordnung1Rx8
- Latenz (CL)CL17
- CAS-LatenzCL17
- UnbufferedJA
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- Speicher Allgemein - SpeicherstandardDDR3-1333 (PC3-10600)
- HerstellerG.Skill
- ModellbezeichnungF3-10666CL9D-8GBSQ
- BauformSO-DIMM
- Kapazität8.192 MB
- TypSDRAM-DDR3
- Anschluss204-Pin
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- StandardDDR3-1333 (PC3-10600)
- HauptfarbeKeine Farbangabe
- Hersteller-ArtikelnummerF3-10666CL9D-8GBSQ
- LieferzustandLite Retail
- Gewicht in g41
- Gewicht41 g
- Gewicht (kg) Dezimal0.041
- Gewicht inkl. Verpackung41 g
- Globale BezeichnungF3-10666CL9D-8GBSQ
- Speicher Allgemein - Anzahl Module2
- Speicher Allgemein - Physikalischer Takt667 MHz
- Speicher Allgemein - Speicherspannung bis1,575 V
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Kingston FURY SO-DIMM 16 GB DDR4-3200 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher
- MarkeKingston FURY
- HerstellernummerKF432S20IBK2/16
- EAN0740617318425
- ProduktartArbeitsspeicher
- Speicher Allgemein - SpeicherstandardDDR4-3200 (PC4-25600)
- HerstellerKingston FURY
- Farbeschwarz
- ModellbezeichnungKF432S20IBK2/16
- BauformSO-DIMM
- Kapazität16.384 MB
- TypSDRAM-DDR4
- Anschluss260-Pin
- Spannung1,2 V
- StandardDDR4-3200 (PC4-25600)
- Abmessungen3 x 6,96 x 0 cm
- HauptfarbeSchwarz
- Hersteller-ArtikelnummerKF432S20IBK2/16
- HinweisSingle Rank
- SerieImpact
- Gewicht inkl. Verpackung39 g
- Globale BezeichnungKF432S20IBK2/16
- Höhe (cm)3.00
- Speicher Allgemein - Anzahl Module2
- Speicher Allgemein - Physikalischer Takt1.600 MHz
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8GB DDR3 1600MHz Ram Speicher für MSI MS-16GD SO-DIMM
- Anzahl der Module1
- FormfaktorSO-DIMM
- Kapazität pro Modul8 GB
- Gesamtkapazität8 GB
- Anzahl der Pins204
- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
- Herstellergarantie10 Jahre
- ProduktartDDR3 SDRAM
- MarkeSamsung
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8GB DDR3 1866MHZ Ram Speicher für Asus F75V SO-DIMM
- ProduktartDDR3L
- Anzahl der Module1
- FormfaktorSO-DIMM
- Kapazität pro Modul8 GB
- BusgeschwindigkeitPC3-14900 (DDR3-1866)
- Gesamtkapazität8 GB
- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
- Herstellergarantie10 Jahre
- MarkeSamsung
- EAN4069043721958
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