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8GB DDR3 1866MHZ Ram Speicher für Asus F75V SO-DIMM

8GB DDR3 1866MHZ Ram Speicher für Asus F75V SO-DIMM

 
  • ProduktartDDR3L
  • Anzahl der Module1
  • FormfaktorSO-DIMM
  • Kapazität pro Modul8 GB
  • BusgeschwindigkeitPC3-14900 (DDR3-1866)
  • Gesamtkapazität8 GB
  • Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
  • Herstellergarantie10 Jahre
  • MarkeSamsung
  • EAN4069043721958
  • Artikelnr.196330274747
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Ram Speicher für Asus F75V SO-DIMM 8GB DDR3 1866MHZ Ram Speicher für Asus F75V SO-DIMM 204 PIN 53,55 Max Ram 12GB.

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  • Herstellernummer8GB_DDR3_SO_NEU
  • MarkeIntel
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • FormfaktorSO-DIMM
  • Anzahl der Module2
  • Kapazität pro Modul8 GB
  • BusgeschwindigkeitPC3L-12800 (DDR3L-1600)
  • Gesamtkapazität16 GB
  • ModellDDR3
  • Anzahl der Pins204
  • EAN0760557828617
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  • HerstellernummerBS-D2-4G-SO-800-N
  • BusgeschwindigkeitPC2-6400 (DDR2-800)
  • SpeicherbandbreitePC2-6400 (DDR2-800)
  • Anzahl der Module2
  • Kapazität pro Modul4GB
  • Gesamtkapazität8GB
  • FormfaktorSO DIMM 200-pol.
  • ProduktartDDR2 SDRAM
  • Bustaktrate800 MHz
  • Speicher-SpezifikationPC2-6400S
  • JEDEC NormPC2-6400S
  • Spannung1.8V
  • Chip-Anordnung2Rx8
  • Latenz (CL)CL6
  • CAS-LatenzCL6
  • UnbufferedJA
  • EAN4262360570326
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  • HerstellernummerBS-D3-8G-SO-1600-2RX8-L
  • BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
  • SpeicherbandbreitePC3-12800 (DDR3-1600)
  • Anzahl der Module2
  • Kapazität pro Modul8GB
  • Gesamtkapazität16GB
  • FormfaktorSO DIMM 204-pol.
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Bustaktrate1600 MHz
  • Speicher-SpezifikationPC3L-12800S-11
  • JEDEC NormPC3L-12800S
  • Spannung1.35V
  • Chip-Anordnung2Rx8
  • Latenz (CL)CL11
  • CAS-LatenzCL11
  • UnbufferedJA
  • EAN4262360571118
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  • Busgeschwindigkeit3200 MHz
  • MarkeSamsung
  • ProduktartDDR4 SO-DIMM
  • Anzahl der Pins260
  • FormfaktorSO-DIMM
  • Kapazität pro Modul4 GB
  • HerstellernummerM471A5244CB0
  • ModellM471A5244CB0
  • Herstellergarantie2 Jahre
  • Speicher-EigenschaftenNicht-ECC
  • Gesamtkapazität8 GB
  • Anzahl der Module2
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  • Herstellernummer8GB_DDR3_SO_NEU
  • Gesamtkapazität bei 2 Modulen16GB
  • Busgeschwindigkeit auchPC3-12800S
  • MarkeIntel
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • FormfaktorSO-DIMM
  • Anzahl der Module1
  • Kapazität pro Modul8 GB
  • BusgeschwindigkeitPC3L-12800S(DDR3-1600)
  • Gesamtkapazität8 GB
  • ModellDDR3
  • Anzahl der Pins204
  • EAN0760557828617
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  • Anzahl der Pins204
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  • Kapazität pro Modul8 GB
  • EANnichtzutreffend
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  • HerstellerCrucial
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  • HerstellernummerBS-D4-8G-SO-2666-N
  • BusgeschwindigkeitPC4-2666V (DDR4-2666)
  • SpeicherbandbreitePC4-2666V (DDR4-2666)
  • Anzahl der Module1
  • Kapazität pro Modul8GB
  • Gesamtkapazität8GB
  • FormfaktorSO DIMM 260-pol.
  • ProduktartDDR4 SDRAM
  • Bustaktrate2666 MHz
  • Speicher-SpezifikationPC4-2666V
  • JEDEC NormPC4-2666V
  • Spannung1.2V
  • Chip-Anordnung1Rx8
  • Latenz (CL)CL19
  • CAS-LatenzCL19
  • UnbufferedJA
  • EAN4262360570586
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  • HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1066-2RX8-N
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  • SpeicherbandbreitePC3-8500 (DDR3-1066)
  • Anzahl der Module2
  • Kapazität pro Modul4GB
  • Gesamtkapazität8GB
  • FormfaktorSO DIMM 204-pol.
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Bustaktrate1066 MHz
  • Speicher-SpezifikationPC3-8500S-7
  • JEDEC NormPC3-8500S
  • Spannung1.5V
  • Chip-Anordnung2Rx8
  • Latenz (CL)CL7
  • CAS-LatenzCL7
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  • Anzahl der Module1
  • Kapazität pro Modul8GB
  • Gesamtkapazität8GB
  • FormfaktorSO DIMM 204-pol.
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Bustaktrate1600 MHz
  • Speicher-SpezifikationPC3-12800S-11
  • JEDEC NormPC3-12800S
  • Spannung1.5V
  • Chip-Anordnung2Rx8
  • Latenz (CL)CL11
  • CAS-LatenzCL11
  • UnbufferedJA
  • EAN4262360570630
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  • HerstellerMushkin
  • Modellbezeichnung997038
  • BauformSO-DIMM
  • Kapazität16.384 MB
  • TypSDRAM-DDR3
  • Anschluss204-Pin
  • Spannung1,35 V
  • StandardDDR3-1600 (PC3-12800)
  • HauptfarbeKeine Farbangabe
  • Hersteller-Artikelnummer997038
  • Gewicht in g41
  • SerieEssentials
  • Gewicht41 g
  • Gewicht (kg) Dezimal0.041
  • Gewicht inkl. Verpackung41 g
  • Globale Bezeichnung997038
  • Speicher Allgemein - Anzahl Module2
  • Speicher Allgemein - Physikalischer Takt800 MHz
  • Speicher Allgemein - Speicherspannung bis1,35 V
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  • HerstellernummerBS-D3-8G-SO-1600-2RX8-N
  • BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
  • SpeicherbandbreitePC3-12800 (DDR3-1600)
  • Anzahl der Module2
  • Kapazität pro Modul8GB
  • Gesamtkapazität16GB
  • FormfaktorSO DIMM 204-pol.
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Bustaktrate1600 MHz
  • Speicher-SpezifikationPC3-12800S-11
  • JEDEC NormPC3-12800S
  • Spannung1.5V
  • Chip-Anordnung2Rx8
  • Latenz (CL)CL11
  • CAS-LatenzCL11
  • UnbufferedJA
  • EAN4262360571156
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  • ProduktartDDR4 SDRAM
  • Anzahl der Pins260
  • BesonderheitenUnbuffered
  • TypDDR4-SDRAM, SO-DIMM
  • FormfaktorSO-DIMM
  • BusgeschwindigkeitPC4-25600 (DDR4-3200)
  • HerstellernummerM471A1G44CB0-CWE
  • MarkeSamsung
  • Herstellungsland und -regionSüdkorea
  • ModellM471A1G44CB0-CWE
  • Gesamtkapazität8 GB
  • Anzahl der Module1
  • Kapazität pro Modul8 GB
  • EAN4053044712701
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  • Anzahl der Module1
  • MarkeSamsung
  • ProduktartDDR4 SO-DIMM
  • Anzahl der Pins260
  • FormfaktorSO-DIMM
  • Herstellergarantie5 Jahre
  • Anzahl der Speichermodule1
  • BusgeschwindigkeitPC4-25600 (DDR4-3200)
  • Speicher-EigenschaftenNicht-ECC
  • Speichergeschwindigkeit3200MHz
  • Gesamtkapazität8 GB
  • HerstellernummerM471A1G44bb0-CWE
  • Kapazität pro Modul8 GB
  • ModellM471A1G44bb0-CWE
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  • HerstellernummerBS-D3-8G-SO-1866-2RX8-L
  • BusgeschwindigkeitPC3-14900 (DDR3-1866)
  • SpeicherbandbreitePC3-14900 (DDR3-1866)
  • Anzahl der Module2
  • Kapazität pro Modul8GB
  • Gesamtkapazität16GB
  • FormfaktorSO DIMM 204-pol.
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Bustaktrate1866 MHz
  • Speicher-SpezifikationPC3L-14900S-13
  • JEDEC NormPC3L-14900S
  • Spannung1.35V
  • Chip-Anordnung2Rx8
  • Latenz (CL)CL13
  • CAS-LatenzCL13
  • UnbufferedJA
  • EAN4262360571576
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  • HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
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  • SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
  • Anzahl der Module2
  • Kapazität pro Modul4GB
  • Gesamtkapazität8GB
  • FormfaktorSO DIMM 204-pol.
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Bustaktrate1333 MHz
  • Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
  • JEDEC NormPC3-10600S
  • Spannung1.5V
  • Chip-Anordnung2Rx8
  • Latenz (CL)CL9
  • CAS-LatenzCL9
  • UnbufferedJA
  • EAN4262360570227
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  • BesonderheitenUnbuffered
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  • Anzahl der Module1
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  • TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
  • FormfaktorSO-DIMM
  • SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)
  • FormfatkorDIMM 204-pol.
  • BusgeschwindigkeitPc3-10600S
  • Herstellernummer1x8GB_10600S
  • MarkeHynix
  • Apple kompatibelJa
  • AnwendungsbereichNotebook mit Core i3/i5/i7 2. und 3. Generation
  • Gesamtkapazität8 GB
  • Anzahl der Module1
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  • Gesamtkapazität8 GB
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  • ProduktartDDR5 SDRAM
  • HerstellernummerMTC4C10163S1SC48B
  • FormfaktorSO-DIMM
  • BusgeschwindigkeitPC5-38400S (DDR5-4800)
  • Anzahl der Module1
  • Anzahl der Pins262
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  • EAN4719692007667
  • ProduktartArbeitsspeicher
  • Speicher Allgemein - SpeicherstandardDDR4-2400 (PC4-19200)
  • HerstellerG.Skill
  • ModellbezeichnungF4-2400C16D-16GRS
  • BauformSO-DIMM
  • Kapazität16.384 MB
  • TypSDRAM-DDR4
  • Anschluss260-Pin
  • Spannung1,2 V
  • StandardDDR4-2400 (PC4-19200)
  • HauptfarbeKeine Farbangabe
  • Hersteller-ArtikelnummerF4-2400C16D-16GRS
  • Gewicht in g42
  • SerieRipjaws
  • Gewicht42 g
  • Gewicht (kg) Dezimal0.042
  • Gewicht inkl. Verpackung42 g
  • Globale BezeichnungF4-2400C16D-16GRS
  • Speicher Allgemein - Anzahl Module2
  • Speicher Allgemein - Physikalischer Takt1.200 MHz
  • Speicher Allgemein - Speicherspannung bis1,2 V
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  • Speicher-SpezifikationPC3-12800S-11
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  • Spannung1.5V
  • Chip-Anordnung2Rx8
  • Latenz (CL)CL11
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  • UnbufferedJA
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  • EAN4719692007605
  • ProduktartArbeitsspeicher
  • Speicher Allgemein - SpeicherstandardDDR4-2133 (PC4-17000)
  • HerstellerG.Skill
  • ModellbezeichnungF4-2133C15D-16GRS
  • BauformSO-DIMM
  • Kapazität16.384 MB
  • TypSDRAM-DDR4
  • Anschluss260-Pin
  • Spannung1,2 V
  • StandardDDR4-2133 (PC4-17000)
  • HauptfarbeKeine Farbangabe
  • Hersteller-ArtikelnummerF4-2133C15D-16GRS
  • Gewicht in g52
  • SerieRipjaws
  • Gewicht52 g
  • Gewicht (kg) Dezimal0.052
  • Gewicht inkl. Verpackung52 g
  • Globale BezeichnungF4-2133C15D-16GRS
  • Speicher Allgemein - Anzahl Module2
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  • Hersteller-ArtikelnummerF4-2666C19D-16GRS
  • Gewicht in g25
  • SerieRipjaws
  • Gewicht25 g
  • Gewicht (kg) Dezimal0.025
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 19,99
  • MarkeBRAINZAP
  • HerstellernummerBS-D4-8G-SO-2400-N
  • BusgeschwindigkeitPC4-2400T (DDR4-2400)
  • SpeicherbandbreitePC4-2400T (DDR4-2400)
  • Anzahl der Module1
  • Kapazität pro Modul8GB
  • Gesamtkapazität8GB
  • FormfaktorSO DIMM 260-pol.
  • ProduktartDDR4 SDRAM
  • Bustaktrate2400 MHz
  • Speicher-SpezifikationPC4-2400T
  • JEDEC NormPC4-2400T
  • Spannung1.2V
  • Chip-Anordnung1Rx8
  • Latenz (CL)CL17
  • CAS-LatenzCL17
  • UnbufferedJA
  • EAN4262360572047
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G.Skill SO-DIMM 8 GB DDR3-1333 (2x 4 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher
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 25,48
  • EAN4711148594837
  • Speicher Allgemein - SpeicherstandardDDR3-1333 (PC3-10600)
  • HerstellerG.Skill
  • ModellbezeichnungF3-10666CL9D-8GBSQ
  • BauformSO-DIMM
  • Kapazität8.192 MB
  • TypSDRAM-DDR3
  • Anschluss204-Pin
  • Spannung1,5 V
  • StandardDDR3-1333 (PC3-10600)
  • HauptfarbeKeine Farbangabe
  • Hersteller-ArtikelnummerF3-10666CL9D-8GBSQ
  • LieferzustandLite Retail
  • Gewicht in g41
  • Gewicht41 g
  • Gewicht (kg) Dezimal0.041
  • Gewicht inkl. Verpackung41 g
  • Globale BezeichnungF3-10666CL9D-8GBSQ
  • Speicher Allgemein - Anzahl Module2
  • Speicher Allgemein - Physikalischer Takt667 MHz
  • Speicher Allgemein - Speicherspannung bis1,575 V
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Kingston FURY SO-DIMM 16 GB DDR4-3200 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher
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 42,28
  • MarkeKingston FURY
  • HerstellernummerKF432S20IBK2/16
  • EAN0740617318425
  • ProduktartArbeitsspeicher
  • Speicher Allgemein - SpeicherstandardDDR4-3200 (PC4-25600)
  • HerstellerKingston FURY
  • Farbeschwarz
  • ModellbezeichnungKF432S20IBK2/16
  • BauformSO-DIMM
  • Kapazität16.384 MB
  • TypSDRAM-DDR4
  • Anschluss260-Pin
  • Spannung1,2 V
  • StandardDDR4-3200 (PC4-25600)
  • Abmessungen3 x 6,96 x 0 cm
  • HauptfarbeSchwarz
  • Hersteller-ArtikelnummerKF432S20IBK2/16
  • HinweisSingle Rank
  • SerieImpact
  • Gewicht inkl. Verpackung39 g
  • Globale BezeichnungKF432S20IBK2/16
  • Höhe (cm)3.00
  • Speicher Allgemein - Anzahl Module2
  • Speicher Allgemein - Physikalischer Takt1.600 MHz
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8GB DDR3 1600MHz Ram Speicher für MSI MS-16GD SO-DIMM
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 22,90
  • Anzahl der Module1
  • FormfaktorSO-DIMM
  • Kapazität pro Modul8 GB
  • Gesamtkapazität8 GB
  • Anzahl der Pins204
  • Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
  • Herstellergarantie10 Jahre
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • MarkeSamsung
  • EAN4069043715865
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