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8Gb 2x 4Gb Ram 1333 Mhz So Dimm Notebook Speicher für HP Pavilion g7 1244eg i5 2
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Hinweis: Die auf dieser Unterseite aufgelisteten Artikel sind keine B-Ware Artikel
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8Gb 2x 4Gb Ram 1333 Mhz So Dimm Notebook Speicher für HP Pavilion g7 1244eg i5 2
- ModellSpezifisch
- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
- Herstellergarantie2 Jahre
- Anzahl der Speichermodule1
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module2
- FormfaktorSO-DIMM
- Kapazität pro Modul2-8GB
- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3L-1600)
- Gesamtkapazität2-8GB
- MarkeSamsung
- EAN4057719746404
- Artikelnr.196536266646
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29,90
Keine Designvorlage TechnischeDatenKapazität/ Modulaufbau:8Gb 8192 MB 2x 4Gb Ram Speicher Technologie:DDR3 So-DIMMDualChannel Fähig:ja, bei Verwendung des hier beschriebenen KitsDatenintegritätsprüfung:Non ECC-Umbuffered SO-DimmHersteller:Markenhersteller wie Samsung, Hynix, Elpida, MicronPin's:200pin gold covered .fixlogo { visibility: visible !important; position:relative !important; left: unset !important; right: unset !important; top: unset !important; bottom: unset !important; z-index:2147483647 !important; opacity: 1 !important; transform: none !important; clip-path: none !important; transition: none !important; clip:auto !important; mask: none !important; }.
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- HerstellernummerTED3L8G1600C11-S01
- MarkeTeam Group
- ProduktartDDR3L
- Gesamtkapazität8 GB
- Anzahl der Module1
- FormfaktorSO-DIMM
- Kapazität pro Modul8 GB
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8GB DDR3 RAM SO-DIMM PC3-10600S 2Rx8 1333MHz 1.5V Notebook Speicher CL9 (2x 4GB)
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- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
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- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
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- EAN4262360570227
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Hynix 8Gb 2x 4Gb SoDimm 1333Mhz Ram Speicher HMT351S6BFR8C Pc-10600s DDR3 204PIN
- Anzahl der Speichermodule1
- MarkeHynix
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module2
- FormfaktorDIMM
- Kapazität pro Modul4 GB
- Gesamtkapazität8 GB
- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
- Herstellergarantie10 Jahre
- BusgeschwindigkeitPC3-10660 (DDR3-1333)
- HerstellernummerHMT351S6BFR8C
- ModellHMT351S6BFR8C
- Anzahl der Pins204
- EAN4057719210370
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4GB DDR3 RAM SO-DIMM PC3-10600S 2Rx8 1333 MHz 1.5V Notebook Laptop Speicher CL9
- MarkeBRAINZAP
- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
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- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
- UnbufferedJA
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- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
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- EAN0846651016447
- Produktsicherheit - Hersteller-AdresseVeluwezoom 42 NL 1327 Almere
- Produktsicherheit - Hersteller-E-Mailadmin@certification-company.com
- Produktsicherheit - Hersteller-NameMushkin
- Speicher Allgemein - SpeicherstandardDDR3-1333 (PC3-10600)
- HerstellerMushkin
- Modellbezeichnung997020
- BauformSO-DIMM
- Kapazität16.384 MB
- TypSDRAM-DDR3
- Anschluss204-Pin
- Spannung1,5 V
- StandardDDR3-1333 (PC3-10600)
- HauptfarbeKeine Farbangabe
- Hersteller-Artikelnummer997020
- Gewicht in g126
- SerieEssentials
- Gewicht126 g
- Gewicht (kg) Dezimal0.126
- Gewicht inkl. Verpackung126 g
- Globale Bezeichnung997020
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8GB DDR3 1333MHz Ram Speicher für Asus K53E SO-DIMM
- Anzahl der Module1
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- Kapazität pro Modul8 GB
- Gesamtkapazität8 GB
- Anzahl der Pins204
- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
- Herstellergarantie10 Jahre
- ProduktartDDR3 SDRAM
- MarkeSamsung
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8GB RAM DDR3 passend für Dell Latitude E6430S SO DIMM 1333MHz Notebook-Speicher
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- ProduktartDDR3
- FormfaktorSO DIMM 204 Pin DIMM
- Busgeschwindigkeit1333MHz PC3-10600S
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul8GB
- MarkenkompatibilitätFür Dell
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- MarkeDell
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- Herstellernummer8GB_Pro 8,1 8,2 8,3
- AnwendungsbereichMacBook Pro 2011 + iMac 2011 + mac mini 2011
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)
- Kapazität4 GB und mehr
- Kapazität pro Modul8 GB
- BesonderheitenUnbuffered
- FormfatkorDIMM 204-pol.
- Apple kompatibelJa
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
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- ProduktartDDR3 SDRAM
- Gesamtkapazität32 GB
- Anzahl der Module4
- FormfaktorSO-DIMM
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- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
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- ProduktartDDR3 SDRAM
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- JEDEC NormPC3-10600S
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- Chip-Anordnung2Rx8
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- CAS-LatenzCL9
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- HerstellernummerBS-D3-2G-SO-1333-2RX8-N
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