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Samsung M471B1G73QH0-CH9 8GB DDR3 SODIMM Notebook RAM 1333 Mhz 204pin PC3-10600S
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Samsung M471B1G73QH0-CH9 8GB DDR3 SODIMM Notebook RAM 1333 Mhz 204pin PC3-10600S
- Kapazität pro Modul8 GB
- BesonderheitenUnbuffered
- SpeichertypDDR3-SDRAM
- AnwendungsbereichNotebooks
- EAN4250591400352
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- HerstellernummerM471B1G73QH0-CH9
- MarkeSamsung
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Gesamtkapazität8GB
- Anzahl der Module1
- FormfaktorSO DIMM
- Artikelnr.374067863410
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SAMSUNG DDR3 Speicher sind mit sämtliche Notebooks mit 204-Pin 8GB DDR3 Slots kompatibel. Es muss auf jeden Fall ein zugänglicher Speicherplatz vorhanden sein. Speicher (SO-DIMMs). Speicher (DIMMs).
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- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
- UnbufferedJA
- EAN4262360570227
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- Anzahl der Speichermodule1
- MarkeHynix
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module2
- FormfaktorDIMM
- Kapazität pro Modul4 GB
- Gesamtkapazität8 GB
- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
- Herstellergarantie10 Jahre
- BusgeschwindigkeitPC3-10660 (DDR3-1333)
- HerstellernummerHMT351S6BFR8C
- ModellHMT351S6BFR8C
- Anzahl der Pins204
- EAN4057719210370
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- BusgeschwindigkeitPC3-10660 (DDR3-1333)
- Gesamtkapazität4 GB
- ModellHMT351S6BFR8C
- Anzahl der Pins204
- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
- Anzahl der Speichermodule1
- HerstellernummerHMT351S6BFR8C
- MarkeHynix
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module1
- FormfaktorDIMM 204-pol.
- Kapazität pro Modul4 GB
- EAN4057719117211
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- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
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- Kapazität pro Modul4GB
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- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
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- Spannung1.5V
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- Latenz (CL)CL9
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- AnwendungsbereichMacBook Pro 2011 + iMac 2011 + mac mini 2011
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)
- Kapazität4 GB und mehr
- Kapazität pro Modul8 GB
- BesonderheitenUnbuffered
- FormfatkorDIMM 204-pol.
- Apple kompatibelJa
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module1
- EAN4053044720058
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- EAN0846651016447
- Speicher Allgemein - SpeicherstandardDDR3-1333 (PC3-10600)
- HerstellerMushkin
- Modellbezeichnung997020
- BauformSO-DIMM
- Kapazität16.384 MB
- TypSDRAM-DDR3
- Anschluss204-Pin
- Spannung1,5 V
- StandardDDR3-1333 (PC3-10600)
- HauptfarbeKeine Farbangabe
- Hersteller-Artikelnummer997020
- Produktsicherheit - Hersteller-NameCertification Company B.V.
- Produktsicherheit - Hersteller-AdresseVeluwezoom 42, NL 1327 Almere
- Produktsicherheit - Hersteller-E-Mailadmin@certification-company.com
- Produktsicherheit - Hersteller-URLhttps://www.certification-company.com
- Gewicht in g126
- SerieEssentials
- Gewicht126 g
- Gewicht (kg) Dezimal0.126
- Gewicht inkl. Verpackung126 g
- BusgeschwindigkeitPC3-10666 (DDR3-1333)
- Herstellernummer997020
- MarkeMushkin Enhanced
- ProduktartDDR3 SDRAM
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- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- Herstellernummer4x8GB_12,1 12,2
- MarkeSamsung
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Gesamtkapazität32 GB
- Anzahl der Module4
- FormfaktorSO-DIMM
- Kapazität pro Modul8 GB
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- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul2GB
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- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
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- Busgeschwindigkeit1333MHz PC3L-10600S
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- ProduktartDDR3
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- BesonderheitenUnbuffered
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