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Qumox 4GB 8GB 16GB DDR3 DDR3L 1333 1600 PC3-12800 SO-DIMM Laptop-Speicher
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Hinweis: Die auf dieser Unterseite aufgelisteten Artikel sind keine B-Ware Artikel
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Qumox 4GB 8GB 16GB DDR3 DDR3L 1333 1600 PC3-12800 SO-DIMM Laptop-Speicher
- KapazitätDDR3 8GB 1600
- MarkeQumox
- SpeicherbandbreiteDDR3-1600 (PC3-12800)
- BesonderheitenUnbuffered
- AnwendungsbereichLaptop
- TypDDR3, SODIMM
- SpeichertypDDR3, SODIMM
- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
- Artikelnr.373797087175
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4GB 8GB Qumox DDR3 Speicher: 4GB / 8GB Für alle DDR3 Laptop Bauform: SO-DIMM Pin-Zahl: 204 Dual-Cannel-Fähig Leistungsmerkmale: Unbuffered/nonECC Marke Qumox Speicherbandbreite DDR3-1600 (PC3-12800) Besonderheiten Unbuffered Anwendungsbereich Laptop Typ DDR3, SODIMM Speichertyp DDR3, SODIMM Busgeschwindigkeit PC3-12800 (DDR3-1600).
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- MarkeSamsung 3rd
- ProduktartDDR3L
- Anzahl der Pins204
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- Anzahl der Module2
- FormfaktorSO-DIMM
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- ProduktartDDR3L
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- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul8GB
- Gesamtkapazität16GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1866 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3L-14900S-13
- JEDEC NormPC3L-14900S
- Spannung1.35V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL13
- CAS-LatenzCL13
- UnbufferedJA
- EAN4262360571576
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- HerstellergarantieUnbekannt
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- FormfaktorSO-DIMM
- HöheSTD
- BusgeschwindigkeitPC3-12800S
- BreiteUnbekannt
- HerstellernummerM471B1G73BH0-CK0
- MarkeSamsung
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- Herstellungsland und -regionChina
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- Bustaktrate1600 MHz
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- HerstellernummerF3-1600C9D-16GRSL
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- ProduktartArbeitsspeicher
- Gewicht (kg) Dezimal0.048
- Speicher Timing - tRCD (RAS to CAS Delay)9
- Speicher Timing - tRAS (RAS Active Time)28.0
- Speicher Timing - tCL (CAS Latency)9.0
- Speicher Modulbestückung - zweiseitigJa
- Speicher Features - Low-VoltageJa
- Speicher Allgemein - Speicherspannung von1,35 V
- Speicher Allgemein - Speicherspannung bis1,35 V
- Speicher Allgemein - Physikalischer Takt800 MHz
- Speicher Allgemein - Anzahl Module2
- Globale BezeichnungF3-1600C9D-16GRSL
- Gewicht inkl. Verpackung48 g
- SerieSL
- Gewicht48 g
- Gewicht in g48
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- HauptfarbeKeine Farbangabe
- StandardDDR3-1600 (PC3-12800)
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- HerstellernummerMTA8ATF2G64HZ-3G2F1
- MarkeMicron
- Herstellungsland und -regionSüdkorea
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Pins260
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- SpeicherbandbreiteDDR3-1600 (PC3-12800)
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- Speicher Timing - tRAS (RAS Active Time)20.0
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- Speicher Allgemein - Speicherspannung von1,425 V
- Speicher Allgemein - Speicherspannung bis1,575 V
- Speicher Allgemein - Physikalischer Takt533 MHz
- Speicher Allgemein - Anzahl Module2
- Globale Bezeichnung997019
- Gewicht inkl. Verpackung39 g
- Gewicht (kg) Dezimal0.039
- Gewicht in g39
- SerieEssentials
- Hersteller-Artikelnummer997019
- HauptfarbeKeine Farbangabe
- StandardDDR3-1066 (PC3-8500)
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- HerstellernummerM471B1G73BH0-CK0
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- SpeicherbandbreiteDDR3-1600 (PC3-12800)
- FormfaktorDIMM 204-pol.
- BesonderheitenUnbuffered
- MPNM471B1G73BH0-CK0
- Kapazität pro Modul8 GB
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module2
- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
- EAN4250591498663
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- Gewicht (kg) Dezimal0.125
- Speicher Timing - tRCD (RAS to CAS Delay)11
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- Speicher Timing - tCL (CAS Latency)11.0
- Speicher Modulbestückung - zweiseitigJa
- Speicher Allgemein - Speicherspannung von1,35 V
- Speicher Allgemein - Speicherspannung bis1,5 V
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- Globale BezeichnungF3-1600C11D-16GSL
- Gewicht inkl. Verpackung125 g
- Gewicht in g125
- Gewicht125 g
- Hersteller-ArtikelnummerF3-1600C11D-16GSL
- HauptfarbeKeine Farbangabe
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