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Puskill VENENO 16GB (2x8GB) PC3L-12800S DDR3 1600 MHz 1,35V SKhynix Chip
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Hinweis: Die auf dieser Unterseite aufgelisteten Artikel sind keine B-Ware Artikel
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Puskill VENENO 16GB (2x8GB) PC3L-12800S DDR3 1600 MHz 1,35V SKhynix Chip
- BusgeschwindigkeitPC3L-12800S(DDR3-1600)
- MarkePUSKILL
- ProduktartDDR3L
- Anzahl der Pins204
- Gesamtkapazität16 GB
- Anzahl der Module2
- Herstellergarantie3 Jahre
- FormfaktorSO-DIMM
- Kapazität pro Modul8 GB
- Artikelnr.256543684501
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Es kommt im SO-DIMM Formfaktor mit 204 Pins und einer Busgeschwindigkeit von PC3L-12800S (DDR3-1600). Die Gesamtkapazität beträgt 16 GB. Mit einer Kapazität von 8 GB pro Modul ist es eine gute Wahl für die Erweiterung des Arbeitsspeichers.
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- Anzahl der Speichermodule1
- Herstellernummer8GB_DDR3_SO_NEU
- MarkeIntel
- ProduktartDDR3 SDRAM
- FormfaktorSO-DIMM
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul8 GB
- BusgeschwindigkeitPC3L-12800 (DDR3L-1600)
- Gesamtkapazität16 GB
- ModellDDR3
- Anzahl der Pins204
- EAN0760557828617
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- HerstellernummerBS-D3-8G-SO-1866-2RX8-L
- BusgeschwindigkeitPC3-14900 (DDR3-1866)
- SpeicherbandbreitePC3-14900 (DDR3-1866)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul8GB
- Gesamtkapazität16GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1866 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3L-14900S-13
- JEDEC NormPC3L-14900S
- Spannung1.35V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL13
- CAS-LatenzCL13
- UnbufferedJA
- EAN4262360571576
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- HerstellernummerBS-D3-8G-SO-1600-2RX8-L
- BusgeschwindigkeitPC3L-12800 (DDR3L-1600)
- SpeicherbandbreitePC3L-12800 (DDR3L-1600)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul8GB
- Gesamtkapazität16GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1600 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3L-12800S-11
- JEDEC NormPC3L-12800S
- Spannung1.35V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL11
- CAS-LatenzCL11
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- Gesamtkapazität bei 2 Modulen16GB
- Busgeschwindigkeit auchPC3-12800S
- MarkeIntel
- ProduktartDDR3 SDRAM
- FormfaktorSO-DIMM
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul8 GB
- BusgeschwindigkeitPC3L-12800S(DDR3-1600)
- Gesamtkapazität8 GB
- ModellDDR3
- Anzahl der Pins204
- EAN0760557828617
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- MarkeSamsung 3rd
- ProduktartDDR3L
- Anzahl der Pins204
- Gesamtkapazität16 GB
- Anzahl der Module2
- FormfaktorSO-DIMM
- Kapazität pro Modul8 GB
- EANnichtzutreffend
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- HerstellernummerBS-D3-8G-SO-1600-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
- SpeicherbandbreitePC3-12800 (DDR3-1600)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul8GB
- Gesamtkapazität16GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1600 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-12800S-11
- JEDEC NormPC3-12800S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL11
- CAS-LatenzCL11
- UnbufferedJA
- EAN4262360571156
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- Herstellernummer997038
- EAN0846651017031
- ProduktartArbeitsspeicher
- Netzteil laut FunkanlagengesetzFällt nicht unter das FuAG
- Speicher Allgemein - SpeicherstandardDDR3-1600 (PC3-12800)
- HerstellerMushkin
- Modellbezeichnung997038
- BauformSO-DIMM
- Kapazität16.384 MB
- TypSDRAM-DDR3
- Anschluss204-Pin
- Spannung1,35 V
- StandardDDR3-1600 (PC3-12800)
- HauptfarbeKeine Farbangabe
- Hersteller-Artikelnummer997038
- Produktsicherheit - Hersteller-NameCertification Company B.V.
- Produktsicherheit - Hersteller-AdresseVeluwezoom 42, NL 1327 Almere
- Produktsicherheit - Hersteller-E-Mailadmin@certification-company.com
- Produktsicherheit - Hersteller-URLhttps://certification-company.com
- Gewicht in g41
- SerieEssentials
- Gewicht41 g
- Gewicht (kg) Dezimal0.041
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- Herstellergarantie10 Jahre
- FormfaktorDIMM 204-pol.
- Kapazität pro Modul8 GB
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module2
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- EAN4053044736127
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- MarkeV7
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- ModellDDR3 1.866 CL13 Kit (16GB)
- HerstellernummerV7K1490016GBS-LV
- ProduktartSO-DIMM
- MPNV7K1490016GBS-LV
- Farbeschwarz
- EAN5050914992231
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- ProduktartDDR3 SDRAM
- Gesamtkapazität16 GB
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- ProduktartDDR3
- Anzahl der Pins204
- Geschwindigkeit1600 MHz
- CL11
- Rank2Rx8
- MaßeinheitEinheit
- HerstellergarantieUnbekannt
- LängeUnbekannt
- FormfaktorSO-DIMM
- HöheSTD
- BusgeschwindigkeitPC3-12800S
- BreiteUnbekannt
- HerstellernummerM471B1G73BH0-CK0
- MarkeSamsung
- ModellM471B1G73BH0-CK0
- Herstellungsland und -regionChina
- Gesamtkapazität16 GB
- Anzahl der Module2
- Speicher-EigenschaftenNon-ECC
- Anzahl der Einheiten2
- Kapazität pro Modul8 GB
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- MarkeQumox
- SpeicherbandbreiteDDR3-1600 (PC3-12800)
- BesonderheitenUnbuffered
- AnwendungsbereichLaptop
- TypDDR3, SODIMM
- SpeichertypDDR3, SODIMM
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- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
- SpeicherbandbreitePC3-12800 (DDR3-1600)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul8GB
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- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
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- Speicher-SpezifikationPC3L-12800S-11
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- UnbufferedJA
- EAN4262360571118
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- HerstellernummerNicht zutreffend, HMT41GS6AFR8A-PB
- MarkeHynix
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module2
- FormfaktorDIMM 204-pol.
- Kapazität pro Modul8 GB
- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
- Gesamtkapazität16 GB
- Anzahl der Pins204
- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
- HerstellergarantieLebenszeit
- ModellHMT41GS6AFR8A-PB
- EAN4057208193542
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- MarkeSamsung 3rd
- ProduktartDDR3L
- Anzahl der Pins204
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- MarkeMicron
- Herstellungsland und -regionSüdkorea
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Pins260
- Gesamtkapazität16 GB
- TypDDR4-SDRAM, SO-DIMM
- Anzahl der Module1
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- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- FormfaktorSO-DIMM
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