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OWC SO-DIMM 16 GB DDR3-1867 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher

OWC SO-DIMM 16 GB DDR3-1867 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher

 
  • MarkeOWC
  • HerstellernummerOWC1867DDR3S16P
  • EAN0812437022346
  • ProduktartArbeitsspeicher
  • Beschreibung - FürMAC
  • Speicher Features - nur MAC kompatibelJa
  • Speicher Allgemein - Speicherspannung von1,35 V
  • Speicher Allgemein - Speicherspannung bis1,35 V
  • Speicher Allgemein - Physikalischer Takt934 MHz
  • Speicher Allgemein - Anzahl Module2
  • Globale BezeichnungOWC1867DDR3S16P
  • Gewicht inkl. Verpackung13 g
  • Gewicht (kg) Dezimal0.013
  • Gewicht13 g
  • Hersteller-ArtikelnummerOWC1867DDR3S16P
  • Gewicht in g13
  • HauptfarbeKeine Farbangabe
  • StandardDDR3-1867 (PC3-14900)
  • Spannung1,35 V
  • Anschluss204-Pin
  • TypSDRAM-DDR3
  • Kapazität16.384 MB
  • BauformSO-DIMM
  • ModellbezeichnungOWC1867DDR3S16P
  • Artikelnr.285584032011
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Das OWC1867DDR3S16P ist ein Kit aus zwei 8-GB-DDR3-1867-Speichermodulen (PC3-14900). Die Gesamtkapazität beträgt 16 GB. Die 204-pin-unbuffered-SO-DIMMs unterstützen ein Timing von CL 11 bei 1867 MHz und benötigen 1,35 V Spannung.

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  • MarkeQumox
  • SpeicherbandbreiteDDR3-1600 (PC3-12800)
  • BesonderheitenUnbuffered
  • AnwendungsbereichLaptop
  • TypDDR3, SODIMM
  • SpeichertypDDR3, SODIMM
  • BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
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  • Gesamtkapazität8 GB
  • MaßeinheitEinheit
  • FormfaktorSO-DIMM
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  • SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)
  • BesonderheitenUnbuffered
  • AnwendungsbereichLaptop
  • TypDDR3, SODIMM
  • SpeichertypDDR3, SODIMM
  • BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
  • Anzahl der Speichermodule1
  • Kapazität pro Modul8 GB
  • EAN4895187102670
  • BrandUnbranded
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  • Herstellernummer8GB_DDR3_SO_NEU
  • Gesamtkapazität bei 2 Modulen16GB
  • Busgeschwindigkeit auchPC3-12800S
  • MarkeIntel
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • FormfaktorSO-DIMM
  • Anzahl der Module1
  • Kapazität pro Modul8 GB
  • BusgeschwindigkeitPC3L-12800S(DDR3-1600)
  • Gesamtkapazität8 GB
  • ModellDDR3
  • Anzahl der Pins204
  • EAN0760557828617
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  • Gesamtkapazität8GB
  • FormfaktorSO DIMM 204-pol.
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Bustaktrate1600 MHz
  • Speicher-SpezifikationPC3L-12800S-11
  • JEDEC NormPC3L-12800S
  • Spannung1.35V
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  • Kapazität4 GB und mehr
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  • FormfatkorDIMM 204-pol.
  • BusgeschwindigkeitPc3-10600S
  • Herstellernummer1x8GB_10600S
  • MarkeHynix
  • Apple kompatibelJa
  • AnwendungsbereichNotebook mit Core i3/i5/i7 2. und 3. Generation
  • Gesamtkapazität8 GB
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  • MarkeIntel
  • ProduktartDDR3 SDRAM
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  • Kapazität pro Modul8 GB
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  • Gesamtkapazität16 GB
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  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Bustaktrate1066 MHz
  • Speicher-SpezifikationPC3-8500S-7
  • JEDEC NormPC3-8500S
  • Spannung1.5V
  • Chip-Anordnung2Rx8
  • Latenz (CL)CL7
  • CAS-LatenzCL7
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  • Kapazität pro Modul8GB
  • Gesamtkapazität16GB
  • FormfaktorSO DIMM 204-pol.
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Bustaktrate1866 MHz
  • Speicher-SpezifikationPC3L-14900S-13
  • JEDEC NormPC3L-14900S
  • Spannung1.35V
  • Chip-Anordnung2Rx8
  • Latenz (CL)CL13
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  • UnbufferedJA
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  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Bustaktrate1866 MHz
  • Speicher-SpezifikationPC3L-14900S-13
  • JEDEC NormPC3L-14900S
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  • Chip-Anordnung2Rx8
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  • UnbufferedJA
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  • ProduktartDDR3L
  • ModellJUHOR
  • Gesamtkapazität8 GB
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  • FormfaktorSO-DIMM
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  • MarkeOWC
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  • Anzahl der Module2
  • Kapazität pro Modul4GB
  • Gesamtkapazität8GB
  • FormfaktorSO DIMM 204-pol.
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Bustaktrate1333 MHz
  • Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
  • JEDEC NormPC3-10600S
  • Spannung1.5V
  • Chip-Anordnung2Rx8
  • Latenz (CL)CL9
  • CAS-LatenzCL9
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  • MarkeSamsung
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Anzahl der Pins204
  • Gesamtkapazität8 GB
  • Anzahl der Module2
  • Speicher-EigenschaftenDual Channel-fähig, unbuffered, unbuffered, non-ECC
  • FormfaktorSO-DIMM
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  • Anzahl der Module1
  • FormfaktorSO-DIMM
  • Kapazität pro Modul8 GB
  • Gesamtkapazität8 GB
  • Anzahl der Pins204
  • Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
  • Herstellergarantie10 Jahre
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • MarkeSamsung
  • EAN4069043715537
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  • TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
  • Kapazität8192
  • BesonderheitenUnbuffered
  • AnwendungsbereichNotebooks
  • SpeicherbandbreiteDDR3-1066 (PC3-8500)
  • Herstellernummer2x4GB_R730 R780
  • EAN4250591491244
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  • HerstellernummerHynix-2x8GB-PC3-14900S
  • MarkeHynix
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Händergarantie10 Jahre
  • Apple kompatibelJa
  • Gesamtkapazität8 GB
  • TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
  • Anzahl der Module2
  • FormfaktorSO-DIMM
  • Höhe0.8 cm
  • Kapazität pro Modul8 GB
  • EAN4053044710172
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  • HerstellernummerM471B1G73BH0-CK0
  • TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
  • SpeicherbandbreiteDDR3-1600 (PC3-12800)
  • FormfaktorDIMM 204-pol.
  • BesonderheitenUnbuffered
  • MPNM471B1G73BH0-CK0
  • Kapazität pro Modul8 GB
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Anzahl der Module2
  • BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
  • EAN4250591498663
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  • ProduktartDDR3 SODIMM
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  • Anzahl der Pins204
  • Gesamtkapazität8 GB
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  • FormfaktorSO-DIMM
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  • FormfaktorSO DIMM 204-pol.
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Bustaktrate1600 MHz
  • Speicher-SpezifikationPC3L-12800S-11
  • JEDEC NormPC3L-12800S
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  • Chip-Anordnung1Rx8
  • Latenz (CL)CL11
  • CAS-LatenzCL11
  • UnbufferedJA
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