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2X SI7149ADP-T1-GE3 Transistor P-MOSFET unipolar -30V -50A 31W PowerPAK SO8 VI
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2X SI7149ADP-T1-GE3 Transistor P-MOSFET unipolar -30V -50A 31W PowerPAK SO8 VI
- HerstellernummerSI7149ADP-T1-GE3
- MarkeVISHAY
- HerstellerVISHAY
- MarkenkompatibilitätFür VISHAY
- ProduktartElektronik
- EAN3152034172936
- Artikelnr.196440214504
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Gehäuse: PowerPAK® SO8. Boîtier: PowerPAK® SO8. Polarisierung: unipolar. Verlustleistung: 31W. Puissance de dissipation: 31W. Transistor-Typ: P-MOSFET. Drainstrom: -50A. Drain-Source Spannung: -30V.
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AO3403 AO P-Channel Mosfet 30V 2,2A 0,9W SOT23 NEW [4 pcs] BP
- MaßeinheitEinheit
- MarkeAlpha & Omega
- Anzahl der Einheiten4
- HerstellernummerAO3403
- ProduktartN-Channel Mosfet
- Maximale Betriebstemperatur85 °C
- Minimale Betriebstemperatur-25 °C
- MontageartOberflächenmontage
- Anzahl der Pins3
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- Typ / TypeIRF9540
- MarkeInternational Rectifier
- Transistor-TypP Kanal HEXFET
- MontageartDurchsteckmontage
- HerstellernummerIRF
- ProduktartPWM Mosfet
- Anzahl der Einheiten2
- GehäusegrößeTO-220
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- TransistortypP-Kanal Mosfet
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- Transistor-TypKleiner Schalttransistor
- HerstellernummerZVP3306A
- MarkeDiodes, Inc.
- ProduktartP-Kanal Anreicherungs-MOSFET
- Maximale Betriebstemperatur150 °C
- Anzahl der Pins3
- MontageartDurchsteckmontage
- SerieZVP
- Minimale Betriebstemperatur-55 °C
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- MarkeSTMicroelectronics
- GehäuseTO-220
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- Kollektor-Emitter-Spannung-150 V
- Maximale Kollektor-Basis Spannung-220 V
- Maximale Basis-Emitter Spannung-6 V
- Maximale Kollektor-Emitter Sättigungsspannung-3 V
- Maximale Basis-Emitter Sättigungsspannung2,5 V
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- GehäuseSOIC8
- Maximale Betriebstemperatur120 °C
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- ProduktartP-Kanal Anreicherungs-MOSFET
- Anzahl der Elemente pro Chip1
- KonfigurationEinfach
- Transistor-TypLeistungstransistor
- MontageartOberflächenmontage
- HerstellernummerFDS9435A
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- MarkeMarkenlos
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- MarkeFairchild
- ProduktartP-Kanal Anreicherungs-MOSFET
- Anzahl der Elemente pro Chip1
- KonfigurationEinfach
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- ProduktartP-Kanal Anreicherungs-MOSFET
- Anzahl der Elemente pro Chip1
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- Transistor-TypLeistungstransistor
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- ProduktartP-Kanal Anreicherungs-MOSFET
- Anzahl der Elemente pro Chip1
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- KonfigurationEinfach
- Maximale Betriebstemperatur120 °C
- Transistor-TypLeistungstransistor
- Minimale Betriebstemperatur-40 °C
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- KonfigurationEinfach
- Maximale Betriebstemperatur120 °C
- Transistor-TypLeistungstransistor
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- HerstellernummerIRF4905
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- Modifizierter ArtikelNein
- MontageartDurchsteckmontage
- KonfigurationEinfach
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- Maximale Verlustleistung200 W
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- ProduktartElektronik
- EAN7431906398398
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