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Tecmiyo Laptop-Ram 8 GB DDR3 1600 MHz PC3-12800-SODIMM 1,5 V Nicht-ECC-Speicher
Tecmiyo Laptop-Ram 8 GB DDR3 1600 MHz PC3-12800-SODIMM 1,5 V Nicht-ECC-Speicher
Tecmiyo Laptop-Ram 8 GB DDR3 1600 MHz PC3-12800-SODIMM 1,5 V Nicht-ECC-Speicher
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Tecmiyo Laptop-Ram 8 GB DDR3 1600 MHz PC3-12800-SODIMM 1,5 V Nicht-ECC-Speicher

 
  • ProduktartDDR 3 SODIMM
  • Anzahl der Pins204
  • FormfaktorSO-DIMM
  • Busgeschwindigkeit1600 MHz
  • MarkeTecmiyo / HYNIX
  • ModellSKhynix H5TC4G43BFR-PBA
  • Herstellungsland und -regionChina
  • Gesamtkapazität8 GB
  • Anzahl der Module1
  • Speicher-EigenschaftenNON ECC
  • Kapazität pro Modul8 GB
  • Artikelnr.186896118473
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  • Anzahl der Pins260
  • HerstellergarantieLebenszeit
  • FormfaktorSO-DIMM
  • BusgeschwindigkeitPC4-25600 (DDR4-3200)
  • HerstellernummerHMAA1GS6CJR6N-XN
  • MarkeHynix
  • Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
  • ModellHMAA1GS6CJR6N-XN
  • EAN4057208194587
  • Gesamtkapazität8 GB
  • Anzahl der Module1
  • Kapazität pro Modul8 GB
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  • ProduktartDDR4 SO-DIMM
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  • Anzahl der Module2
  • FormfaktorSO-DIMM
  • Kapazität pro Modul4 GB
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  • HerstellernummerBS-D4-8G-SO-3200-N
  • BusgeschwindigkeitPC4-3200 (DDR4-3200)
  • SpeicherbandbreitePC4-3200 (DDR4-3200)
  • Anzahl der Module1
  • Kapazität pro Modul8GB
  • Gesamtkapazität8GB
  • FormfaktorSO DIMM 260-pol.
  • ProduktartDDR4 SDRAM
  • Bustaktrate3200 MHz
  • Speicher-SpezifikationPC4-3200
  • JEDEC NormPC4-3200
  • Spannung1.2V
  • Chip-Anordnung1Rx8
  • Latenz (CL)CL22
  • CAS-LatenzCL22
  • UnbufferedJA
  • EAN4262360573082
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  • MarkeSK hynix
  • ProduktartDDR4 SDRAM
  • HerstellernummerHMAA1GS6CJR6N
  • FormfaktorSO-DIMM
  • BusgeschwindigkeitPC4-25600 (DDR4-3200)
  • Anzahl der Module1
  • Anzahl der Pins260
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  • BesonderheitenUnbuffered
  • Kapazität4 GB und mehr
  • TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
  • FormfaktorSO-DIMM
  • SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)
  • FormfatkorDIMM 204-pol.
  • BusgeschwindigkeitPc3-10600S
  • Herstellernummer1x8GB_10600S
  • MarkeHynix
  • Apple kompatibelJa
  • AnwendungsbereichNotebook mit Core i3/i5/i7 2. und 3. Generation
  • Gesamtkapazität8 GB
  • Anzahl der Module1
  • Kapazität pro Modul8 GB
  • EAN4250591487629
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  • ProduktartDDR4 SDRAM
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  • Anzahl der Module1
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  • BusgeschwindigkeitPC4-17000 (DDR4-2133)
  • HerstellernummerHMA41GU7AFR8N-TF
  • MarkeHynix
  • ProduktartECC RAM
  • Anzahl der Pins288
  • BesonderheitenECC, Unbuffered
  • Gesamtkapazität8 GB
  • Anzahl der Module1
  • MPNM391A1K43BB1CRC
  • Speicher-EigenschaftenECC-Speicher
  • FormfaktorUDIMM
  • Kapazität pro Modul8 GB
  • EAN4260580370542
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  • BusgeschwindigkeitPC3L-14900 (DDR3L-1866)
  • HerstellernummerHynix-2x8GB-PC3-14900S
  • MarkeHynix
  • Händergarantie10 Jahre
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Apple kompatibelJa
  • Gesamtkapazität8 GB
  • TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
  • Anzahl der Module2
  • FormfaktorDIMM 204-pol.
  • Höhe0.8 cm
  • Kapazität pro Modul8 GB
  • EAN4053044710172
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  • MarkeSK hynix
  • ProduktartDDR4 SDRAM
  • Gesamtkapazität8 GB
  • Anzahl der Module1
  • FormfaktorSO-DIMM
  • Kapazität pro Modul8 GB
  • EANnichtzutreffend
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  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Anzahl der Pins204
  • TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
  • MaßeinheitEinheit
  • FormfaktorSO-DIMM
  • BusgeschwindigkeitPC3L-14900 (DDR3L-1866)
  • HerstellernummerHMT41GS6DFR8A-RD
  • MarkeHynix
  • Händergarantie10 Jahre
  • Apple kompatibelJa
  • Gesamtkapazität32 GB
  • Anzahl der Module4
  • Anzahl der Einheiten4
  • Kapazität pro Modul8 GB
  • EAN4053044727972
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  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • MarkeHynix
  • HerstellernummerHMT41GS6MFR8C-PB
  • FormfaktorDIMM 204-pol.
  • BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
  • Anzahl der Module2
  • Kapazität pro Modul8 GB
  • HerstellergarantieSonstiges: Siehe Artikelbeschreibung
  • AnwendungsbereichNotebooks
  • TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
  • SpeicherbandbreiteDDR3-1600 (PC3-12800)
  • Kapazität4 GB und mehr
  • BesonderheitenUnbuffered
  • MPNHMT41GS6MFR8C-PB
  • EAN4053044708483
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  • MarkeBRAINZAP
  • HerstellernummerBS-D4-8G-SO-1R-2666V-SA1-11
  • BusgeschwindigkeitPC4-2666V (DDR4-2666)
  • SpeicherbandbreitePC4-2666V (DDR4-2666)
  • Anzahl der Module1
  • Kapazität pro Modul8GB
  • Gesamtkapazität8GB
  • FormfaktorSO DIMM 260-pol.
  • ProduktartDDR4 SDRAM
  • Bustaktrate2666 MHz
  • Speicher-SpezifikationPC4-2666V-SA1-11
  • JEDEC NormPC4-2666V
  • Spannung1.2V
  • Chip-Anordnung1Rx8
  • Latenz (CL)CL19
  • CAS-LatenzCL19
  • UnbufferedJA
  • EAN4262360574959
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  • Kapazität pro Modul8 GB
  • Herstellernummer2x4GB_P6624
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • EAN4250591400062
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  • MarkeHynix
  • Kapazität pro Modul8 GB
  • Herstellernummer2x4GB_E7214
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • EAN4250591489555
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  • HerstellernummerHMT41GS6AFR8A-PB
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  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Anzahl der Module2
  • FormfaktorDIMM 204-pol.
  • BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
  • Kapazität pro Modul8 GB
  • Gesamtkapazität16 GB
  • ModellHMT41GS6AFR8A-PB
  • Anzahl der Pins204
  • Herstellergarantie10 Jahre
  • Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
  • EAN4057719194700
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  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Anzahl der Module2
  • FormfaktorDIMM
  • Kapazität pro Modul4 GB
  • Gesamtkapazität8 GB
  • Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
  • Herstellergarantie10 Jahre
  • BusgeschwindigkeitPC3-10660 (DDR3-1333)
  • HerstellernummerHMT351S6BFR8C
  • ModellHMT351S6BFR8C
  • Anzahl der Pins204
  • EAN4057719210370
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  • ProduktartDDR3 RAM
  • FormfaktorDIMM 204-pol.
  • BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
  • Gesamtkapazität8GB
  • Anzahl der Module1
  • Kapazität pro Modul8GB
  • Herstellergarantie2 Jahre
  • Herstellungsland und -regionDeutschland
  • EAN4053044743859
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  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • FormfaktorDIMM
  • Gesamtkapazität8 GB
  • Anzahl der Pins240
  • Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
  • Herstellergarantie10 Jahre
  • Anzahl der Module1
  • Kapazität pro Modul8 GB
  • BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
  • Herstellernummerhmt41gu6bfr8 a-pb
  • Modellhmt41gu6bfr8 a-pb
  • EAN4057208194396
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  • ProduktartDDR4 SDRAM
  • Anzahl der Module1
  • FormfaktorSO-DIMM
  • Anzahl der Pins288
  • Herstellergarantie10 Jahre
  • Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
  • BusgeschwindigkeitPC4-19200 (DDR4-2400)
  • Kapazität pro Modul8 GB
  • Gesamtkapazität8 GB
  • HerstellernummerHMA81GS6AFr8N
  • ModellHMA81GS6AFr8N
  • EAN4057208036559
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  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • FormfaktorDIMM 204-pol.
  • Kapazität pro Modul8 GB
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  • Herstellergarantie10 Jahre
  • BusgeschwindigkeitPC3-14900 (DDR3-1866)
  • Anzahl der Module1
  • Gesamtkapazität8 GB
  • ModellHMT41GS6BFR8A-RD
  • MarkeHynix
  • EAN4057719170650
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  • ProduktartDDR3 SDRAM
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  • ModellSam_2x8GB
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  • TypDDR4-SDRAM, SO-DIMM
  • MarkeHynix
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