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4GB RAM für Synology DiskStation DS224 1 x 4 GB DDR4 SODIMM 2666MHz Samsung
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4GB RAM für Synology DiskStation DS224 1 x 4 GB DDR4 SODIMM 2666MHz Samsung
- BusgeschwindigkeitPC4-21300 (DDR4-2666)
- MarkeSamsung
- ProduktartDDR4 SDRAM
- Modell4056-4GB-DSx20
- Anzahl der Pins260
- Gesamtkapazität4 GB
- Anzahl der Module1
- MaßeinheitStück
- FormfaktorSO-DIMM
- Anzahl der Einheiten1
- kompatibel zu Synology Artikelnummer*D4NESO-2666-4G
- Kapazität pro Modul4 GB
- EAN4262421570005
- Artikelnr.395121005656
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Eine Verbesserung der Leistung können Sie bei Ihrer Synology NAS erreichen, wenn Sie einen zu geringen Arbeitsspeicher erweitern. Es kommt sonst zu Performance Einbußen, weil Arbeitsspeicherinhalte ausgelagert werden müssen.
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- HerstellernummerBS-D2-2G-800-N
- BusgeschwindigkeitPC2-6400 (DDR2-800)
- SpeicherbandbreitePC2-6400 (DDR2-800)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul2GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorDIMM 240-pol.
- ProduktartDDR2 SDRAM
- Bustaktrate800 MHz
- Speicher-SpezifikationPC2-6400U-666
- JEDEC NormPC2-6400U
- Spannung1.8V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL6
- CAS-LatenzCL6
- UnbufferedJA
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- HerstellernummerBS-D2-2G-667-N
- BusgeschwindigkeitPC2-5300 (DDR2-667)
- SpeicherbandbreitePC2-5300 (DDR2-667)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul2GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorDIMM 240-pol.
- ProduktartDDR2 SDRAM
- Bustaktrate667 MHz
- Speicher-SpezifikationPC2-5300U-555
- JEDEC NormPC2-5300U
- Spannung1.8V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL5
- CAS-LatenzCL5
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- BusgeschwindigkeitPC2-6400 (DDR2-800)
- Herstellernummer2x2GB_Channel PC / Desktop
- MarkeMarkenspeicher nach Verfügbarkeit
- EAN4053044722342
- ProduktartDDR2 SDRAM
- BesonderheitenNon-ECC, Unbuffered, Intel kompatibel
- AnwendungsbereichPC-Systeme
- Gesamtkapazität4 GB
- Anzahl der Module2
- FormfaktorDIMM 240-pol.
- Kapazität pro Modul2 GB
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- MarkeBRAINZAP
- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1066-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-8500S
- SpeicherbandbreitePC3-8500S
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1066 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-8500S-7
- JEDEC NormPC3-8500S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL7
- CAS-LatenzCL7
- UnbufferedJA
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- Kapazität pro Modul4 GB
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- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1600-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
- SpeicherbandbreitePC3-12800 (DDR3-1600)
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1600 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-12800S-11
- JEDEC NormPC3-12800S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL11
- CAS-LatenzCL11
- UnbufferedJA
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4GB DDR3 RAM SO-DIMM PC3-10600S 2Rx8 1333 MHz 1.5V Notebook Laptop Speicher CL9
- MarkeBRAINZAP
- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
- UnbufferedJA
- EAN4262360570210
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- HerstellernummerBS-D4-4G-SO-2133-N
- BusgeschwindigkeitPC4-2133P (DDR4-2133)
- SpeicherbandbreitePC4-2133P (DDR4-2133)
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorSO DIMM 260-pol.
- ProduktartDDR4 SDRAM
- Bustaktrate2133 MHz
- Speicher-SpezifikationPC4-2133P
- JEDEC NormPC4-2133P
- Spannung1.2V
- Chip-Anordnung1Rx8
- Latenz (CL)CL15
- CAS-LatenzCL15
- UnbufferedJA
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- ProduktartDDR4 SDRAM
- FormfaktorSO-DIMM
- Anzahl der Module1
- BusgeschwindigkeitPC4-25600 (DDR4-3200)
- Gesamtkapazität4 GB
- Kapazität pro Modul4 GB
- Anzahl der Pins260
- Herstellungsland und -regionChina
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- BusgeschwindigkeitPC2-6400 (DDR2-800)
- SpeicherbandbreitePC2-6400 (DDR2-800)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul2GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorSO DIMM 200-pol.
- ProduktartDDR2 SDRAM
- Bustaktrate800 MHz
- Speicher-SpezifikationPC2-6400S-666
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- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL6
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- Kapazität4 GB und mehr
- SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)
- MarkeSamsung
- HerstellernummerM378B5273DH0-CK0
- Kapazität pro Modul4 GB
- AnwendungsbereichPC-Systeme
- TypDDR3-SDRAM
- SpeichertypDDR3-SDRAM
- SpezifikationenNicht ECC, unbuffered
- Anzahl der Module2
- FormfaktorDIMM 240-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
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- SpeicherbandbreitePC2-5300 (DDR2-667)
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- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul4 GB
- Gesamtkapazität4 GB
- Bustaktrate1600 MHz
- Anzahl der Pins204
- Variante4GB
- FormfaktorSO-DIMM (Non-ECC unbuffered)
- Garantie10 Jahre
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- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
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- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
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- Gesamtkapazität4 GB
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- Anzahl der Einheiten1
- Kapazität pro Modul4 GB
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