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8GB SAMSUNG Hynix (2 X 4GB) DDR2 RAM PC2-6400 800 MHz Arbeitsspeicher nur AMD
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8GB SAMSUNG Hynix (2 X 4GB) DDR2 RAM PC2-6400 800 MHz Arbeitsspeicher nur AMD
- MarkeSamsung
- FormfaktorDIMM 240-pol.
- Kapazität pro Modul4 GB
- ProduktartDDR2 SDRAM
- Anzahl der Module2
- BusgeschwindigkeitPC2-6400 (DDR2-800)
- Artikelnr.391917382359
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- MarkeSamsung
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- BusgeschwindigkeitPC2-6400 (DDR2-800)
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- HerstellernummerBS-D2-2G-SO-800-N
- BusgeschwindigkeitPC2-6400 (DDR2-800)
- SpeicherbandbreitePC2-6400 (DDR2-800)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul2GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorSO DIMM 200-pol.
- ProduktartDDR2 SDRAM
- Bustaktrate800 MHz
- Speicher-SpezifikationPC2-6400S-666
- JEDEC NormPC2-6400S
- Spannung1.8V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL6
- CAS-LatenzCL6
- UnbufferedJA
- EAN4262360570197
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- ProduktartDDR4 SDRAM
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- Anzahl der Pins260
- HerstellernummerHMA851S6DJR6N-XN
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8GB, 2x 4GB DDR3 RAM SO-DIMM PC3-8500S 2Rx8 1066 MHz 1.5 V Notebook Speicher CL7
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- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1066 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-8500S-7
- JEDEC NormPC3-8500S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL7
- CAS-LatenzCL7
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4GB 2x2GB DDR2 RAM DIMM PC2-5300U 2Rx8 667MHz PC Computer Speicher CL5 Intel AMD
- MarkeBRAINZAP
- HerstellernummerBS-D2-2G-667-N
- BusgeschwindigkeitPC2-5300 (DDR2-667)
- SpeicherbandbreitePC2-5300 (DDR2-667)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul2GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorDIMM 240-pol.
- ProduktartDDR2 SDRAM
- Bustaktrate667 MHz
- Speicher-SpezifikationPC2-5300U-555
- JEDEC NormPC2-5300U
- Spannung1.8V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL5
- CAS-LatenzCL5
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8GB DDR3 RAM DIMM UDIMM - PC3-10600U 2Rx8 1333 MHz 1.5V Arbeitsspeicher (2x 4GB)
- MarkeBRAINZAP
- HerstellernummerBS-D3-4G-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
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- FormfaktorDIMM 240-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600U-9
- JEDEC NormPC3-10600U
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
- UnbufferedJA
- EAN4262360571842
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- MarkeBRAINZAP
- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1866-2RX8-L
- BusgeschwindigkeitPC3-14900 (DDR3-1866)
- SpeicherbandbreitePC3-14900 (DDR3-1866)
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1866 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3L-14900S-13
- JEDEC NormPC3L-14900S
- Spannung1.35V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL13
- CAS-LatenzCL13
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- EAN4262360570845
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- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module1
- FormfaktorSO-DIMM
- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
- Speicher-EigenschaftenNon-ECC
- HerstellernummerS0DDR3-0424DK300R309942
- Gesamtkapazität4GB
- Kapazität pro Modul4GB
- Anzahl der Einheiten1
- MaßeinheitEinheit
- ModellDXRSOD3
- Länge68mm
- Breite30mm
- Höhe3mm
- Anzahl der Pins204
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- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- Kapazität8192
- BesonderheitenUnbuffered
- AnwendungsbereichNotebooks
- SpeicherbandbreiteDDR3-1066 (PC3-8500)
- Herstellernummer2x4GB_R730 R780
- EAN4250591491244
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8GB (2x 4GB) DDR2 RAM BRAINZAP BS-D2-4G-SO-667-N SO-DIMM - 2Rx8 PC2-5300S
- MarkeBRAINZAP
- HerstellernummerBS-D2-4G-SO-667-N
- BusgeschwindigkeitPC2-5300 (DDR2-667)
- SpeicherbandbreitePC2-5300 (DDR2-667)
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- CAS-LatenzCL6
- UnbufferedJA
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- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module2
- FormfaktorDIMM
- Kapazität pro Modul4 GB
- Gesamtkapazität8 GB
- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
- Herstellergarantie10 Jahre
- BusgeschwindigkeitPC3-10660 (DDR3-1333)
- HerstellernummerHMT351S6BFR8C
- ModellHMT351S6BFR8C
- Anzahl der Pins204
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- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
- Herstellergarantie10 Jahre
- FormfaktorSO-DIMM
- BusgeschwindigkeitPC3-8500S
- ModellM471B5273CH0-CF8
- Anzahl der Pins204
- EAN4057719188143
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- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1600-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
- SpeicherbandbreitePC3-12800 (DDR3-1600)
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- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität4GB
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- ProduktartDDR3 SDRAM
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- Spannung1.5V
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- FormfaktorDIMM 240-pol
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- Gesamtkapazität4GB
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- Kapazität pro Modul2GB
- AngebotspaketNein
- Herstellergarantie2 Jahre
- Anzahl der Pins240
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- ProduktartDDR4 SDRAM
- FormfaktorSO-DIMM
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- BusgeschwindigkeitPC4-25600 (DDR4-3200)
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- Herstellungsland und -regionChina
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- ProduktartDDR3 SDRAM
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- FormfaktorSO-DIMM
- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
- Speicher-EigenschaftenNon-ECC
- Herstellernummer4GB: S0DDR3-0424DK300R360908, 8GB: S0DDR3-0824DK300R360908
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- BesonderheitenUnbuffered
- SpeichertypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- AnwendungsbereichNotebooks
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
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- AngebotspaketNein
- Gesamtkapazität4 GB
- HerstellerteilenummerRMR5030EF68F9W-1600
- HerstellergarantieKeine
- FormfaktorDIMM
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