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SK Hynix 4GB DDR4 SO DIMM 3200 MHz CL22 RAM Arbeitsspeicher Notebook NUC PC
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SK Hynix 4GB DDR4 SO DIMM 3200 MHz CL22 RAM Arbeitsspeicher Notebook NUC PC
- MarkeSK Hynix
- ProduktartDDR4 SDRAM
- FormfaktorSO-DIMM
- BusgeschwindigkeitPC4-25600 (DDR4-3200)
- Gesamtkapazität4 GB
- Anzahl der Pins260
- HerstellernummerHMA851S6DJR6N-XN
- Artikelnr.334938354548
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RAM SK Hynix 4GB DDR4 SO DIMM 3200 MHz CL22. DDR4 SODIMM 260pin. Sie sind zur Rückgabe gebrauchter Batterien als Endnutzer gesetzlich verpflichtet. Die auf den Batterien abgebildeten Symbole haben folgende Bedeutung.
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- Kapazität pro Modul4 GB
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- BusgeschwindigkeitPC2-6400 (DDR2-800)
- Anzahl der Module1
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- BusgeschwindigkeitPC4-21300 (DDR4-2666)
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul4 GB
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- Anzahl der Pins260
- Variante4GB
- FormfaktorSO-DIMM (Non-ECC unbuffered)
- Garantie10 Jahre
- HerstellernummerMX.M56930/4S04
- EAN4099753389537
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- Anzahl der Speichermodule1
- MarkeSamsung
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- Kapazität pro Modul4 GB
- Gesamtkapazität8 GB
- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
- Herstellergarantie10 Jahre
- FormfaktorSO-DIMM
- BusgeschwindigkeitPC3-8500S
- ModellM471B5273CH0-CF8
- Anzahl der Pins204
- EAN4057719188143
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- MarkeMicron
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- BusgeschwindigkeitPC2-5300 (DDR2-667)
- SpeicherbandbreitePC2-5300 (DDR2-667)
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- Kapazität pro Modul2GB
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- FormfaktorSO DIMM 200-pol.
- ProduktartDDR2 SDRAM
- Bustaktrate667 MHz
- Speicher-SpezifikationPC2-5300S-555
- JEDEC NormPC2-5300S
- Spannung1.8V
- Chip-Anordnung2Rx8
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- FormfaktorDIMM 240-pol.
- ProduktartDDR2 SDRAM
- Bustaktrate800 MHz
- Speicher-SpezifikationPC2-6400U-666
- JEDEC NormPC2-6400U
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- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL6
- CAS-LatenzCL6
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- HerstellernummerBS-D2-4G-SO-800-N
- BusgeschwindigkeitPC2-6400 (DDR2-800)
- SpeicherbandbreitePC2-6400 (DDR2-800)
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- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorSO DIMM 200-pol.
- ProduktartDDR2 SDRAM
- Bustaktrate800 MHz
- Speicher-SpezifikationPC2-6400S
- JEDEC NormPC2-6400S
- Spannung1.8V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL6
- CAS-LatenzCL6
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8GB (2x 4GB) DDR2 RAM BRAINZAP BS-D2-4G-SO-667-N SO-DIMM - 2Rx8 PC2-5300S
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- HerstellernummerBS-D2-4G-SO-667-N
- BusgeschwindigkeitPC2-5300 (DDR2-667)
- SpeicherbandbreitePC2-5300 (DDR2-667)
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- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 200-pol.
- ProduktartDDR2 SDRAM
- Bustaktrate667 MHz
- Speicher-SpezifikationPC2-5300S
- JEDEC NormPC2-5300S
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- Chip-Anordnung2Rx8
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- CAS-LatenzCL6
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- BusgeschwindigkeitPC3-8500 (DDR3-1066)
- SpeicherbandbreitePC3-8500 (DDR3-1066)
- Anzahl der Module4
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität16GB
- FormfaktorDIMM 240-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1066 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-8500U-7
- JEDEC NormPC3-8500U
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL7
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8Gb 2x 4Gb RAM für HP Compaq EliteBook 8440p DDR3 8500
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- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
- Herstellergarantie2 Jahre
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- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module2
- FormfaktorSO-DIMM
- Kapazität pro Modul2-8GB
- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3L-1600)
- Gesamtkapazität2-8GB
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8GB DDR3 RAM DIMM UDIMM - PC3-10600U 2Rx8 1333 MHz 1.5V Arbeitsspeicher (2x 4GB)
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- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
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- Anzahl der Module2
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- ProduktartDDR3 SDRAM
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- JEDEC NormPC3-10600U
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- UnbufferedJA
- EAN4262360571842
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8GB 4GB RAM Speicher passend für Toshiba Satellite Pro C70-B-34U
- Speicher4GB
- Markedekoelektropunktde
- ProduktartDDR3 SDRAM
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- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
- Speicher-EigenschaftenNon-ECC
- Herstellernummer4GB: S0DDR3-0424DK300R360908, 8GB: S0DDR3-0824DK300R360908
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- BesonderheitenUnbuffered
- SpeicherbandbreiteDDR3-1066 (PC3-8500)
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- Kapazität8192
- Herstellernummer2x4GB_T500
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- MarkeSamsung
- ProduktartDDR3 SDRAM
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- Gesamtkapazität16 GB
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- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
- Herstellergarantie10 Jahre
- BusgeschwindigkeitPC3L-8500 (DDR3-1066)
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- HerstellernummerM471B5273CH0-CF8
- ModellM471B5273CH0-CF8
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