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2x 4GB 8GB DDR3 RAM Speicher IBM Lenovo ThinkPad T500

2x 4GB 8GB DDR3 RAM Speicher IBM Lenovo ThinkPad T500

 
  • MarkeSamsung
  • AnwendungsbereichNotebooks
  • BesonderheitenUnbuffered
  • SpeicherbandbreiteDDR3-1066 (PC3-8500)
  • TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
  • Kapazität8192
  • Herstellernummer2x4GB_T500
  • EAN4250591491558
  • Artikelnr.360276785303
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  • BusgeschwindigkeitPC4-21300 (DDR4-2666)
  • Anzahl der Module1
  • Kapazität pro Modul4 GB
  • Gesamtkapazität4 GB
  • Bustaktrate2666 MHz
  • Anzahl der Pins260
  • Variante4GB
  • FormfaktorSO-DIMM (Non-ECC unbuffered)
  • Garantie10 Jahre
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  • MarkeSamsung
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Anzahl der Module2
  • Kapazität pro Modul4 GB
  • Gesamtkapazität8 GB
  • Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
  • Herstellergarantie10 Jahre
  • FormfaktorSO-DIMM
  • BusgeschwindigkeitPC3-8500S
  • ModellM471B5273CH0-CF8
  • Anzahl der Pins204
  • EAN4057719188143
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  • HerstellernummerMTA4ATF5126HZ-3G2J1
  • MarkeMicron
  • ModellMTA4ATF5126HZ-3G2J1
  • ProduktartDDR4 SO-DIMM
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  • Gesamtkapazität8 GB
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  • FormfaktorSO-DIMM
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  • FormfaktorSO DIMM 200-pol.
  • ProduktartDDR2 SDRAM
  • Bustaktrate667 MHz
  • Speicher-SpezifikationPC2-5300S-555
  • JEDEC NormPC2-5300S
  • Spannung1.8V
  • Chip-Anordnung2Rx8
  • Latenz (CL)CL5
  • CAS-LatenzCL5
  • UnbufferedJA
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  • SpeicherbandbreitePC2-6400 (DDR2-800)
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  • Kapazität pro Modul2GB
  • Gesamtkapazität4GB
  • FormfaktorDIMM 240-pol.
  • ProduktartDDR2 SDRAM
  • Bustaktrate800 MHz
  • Speicher-SpezifikationPC2-6400U-666
  • JEDEC NormPC2-6400U
  • Spannung1.8V
  • Chip-Anordnung2Rx8
  • Latenz (CL)CL6
  • CAS-LatenzCL6
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  • BusgeschwindigkeitPC2-6400 (DDR2-800)
  • SpeicherbandbreitePC2-6400 (DDR2-800)
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  • Kapazität pro Modul4GB
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  • ProduktartDDR2 SDRAM
  • Bustaktrate800 MHz
  • Speicher-SpezifikationPC2-6400S
  • JEDEC NormPC2-6400S
  • Spannung1.8V
  • Chip-Anordnung2Rx8
  • Latenz (CL)CL6
  • CAS-LatenzCL6
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  • ProduktartDDR2 SDRAM
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  • Speicher-SpezifikationPC2-5300S
  • JEDEC NormPC2-5300S
  • Spannung1.8V
  • Chip-Anordnung2Rx8
  • Latenz (CL)CL6
  • CAS-LatenzCL6
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  • Kapazität pro Modul4GB
  • Gesamtkapazität16GB
  • FormfaktorDIMM 240-pol.
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Bustaktrate1066 MHz
  • Speicher-SpezifikationPC3-8500U-7
  • JEDEC NormPC3-8500U
  • Spannung1.5V
  • Chip-Anordnung2Rx8
  • Latenz (CL)CL7
  • CAS-LatenzCL7
  • UnbufferedJA
  • EAN4262360571811
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  • Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
  • Herstellergarantie2 Jahre
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  • ProduktartDDR3 SDRAM
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  • BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3L-1600)
  • Gesamtkapazität2-8GB
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  • HerstellernummerBS-D3-4G-1333-2RX8-N
  • BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
  • SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
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  • Gesamtkapazität8GB
  • FormfaktorDIMM 240-pol.
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Bustaktrate1333 MHz
  • Speicher-SpezifikationPC3-10600U-9
  • JEDEC NormPC3-10600U
  • Spannung1.5V
  • Chip-Anordnung2Rx8
  • Latenz (CL)CL9
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  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Bustaktrate1333 MHz
  • Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
  • JEDEC NormPC3-10600S
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  • HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1066-2RX8-N
  • BusgeschwindigkeitPC3-8500S
  • SpeicherbandbreitePC3-8500S
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  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Bustaktrate1066 MHz
  • Speicher-SpezifikationPC3-8500S-7
  • JEDEC NormPC3-8500S
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  • HerstellernummerBS-D2-2G-SO-800-N
  • BusgeschwindigkeitPC2-6400 (DDR2-800)
  • SpeicherbandbreitePC2-6400 (DDR2-800)
  • Anzahl der Module2
  • Kapazität pro Modul2GB
  • Gesamtkapazität4GB
  • FormfaktorSO DIMM 200-pol.
  • ProduktartDDR2 SDRAM
  • Bustaktrate800 MHz
  • Speicher-SpezifikationPC2-6400S-666
  • JEDEC NormPC2-6400S
  • Spannung1.8V
  • Chip-Anordnung2Rx8
  • Latenz (CL)CL6
  • CAS-LatenzCL6
  • UnbufferedJA
  • EAN4262360570197
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  • Anzahl der Module1
  • Kapazität pro Modul4GB
  • Gesamtkapazität4GB
  • FormfaktorSO DIMM 204-pol.
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Bustaktrate1066 MHz
  • Speicher-SpezifikationPC3-8500S-7
  • JEDEC NormPC3-8500S
  • Spannung1.5V
  • Chip-Anordnung2Rx8
  • Latenz (CL)CL7
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  • MarkeMicron Technology
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  • FormfaktorSO-DIMM
  • Anzahl der Module1
  • BusgeschwindigkeitPC4-25600 (DDR4-3200)
  • Gesamtkapazität4 GB
  • Kapazität pro Modul4 GB
  • Anzahl der Pins260
  • Herstellungsland und -regionChina
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  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Anzahl der Module1
  • FormfaktorSO-DIMM
  • BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
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  • Herstellernummer4GB: S0DDR3-0424DK300R360908, 8GB: S0DDR3-0824DK300R360908
  • Gesamtkapazität8GB 4GB
  • Kapazität pro Modul8GB 4GB
  • Anzahl der Einheiten1
  • MaßeinheitEinheit
  • ModellDXRSOD3
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  • Anzahl der Module1
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  • BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
  • Speicher-EigenschaftenNon-ECC
  • HerstellernummerS0DDR3-0424DK300R318476
  • Gesamtkapazität4GB
  • Kapazität pro Modul4GB
  • Anzahl der Einheiten1
  • MaßeinheitEinheit
  • ModellDXRSOD3
  • Länge68mm
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