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Samsung 4GB DDR4 SO DIMM 3200 MHz CL22 (M471A5244CB0-CWE) RAM Speicher
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Hinweis: Die auf dieser Unterseite aufgelisteten Artikel sind keine B-Ware Artikel
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Samsung 4GB DDR4 SO DIMM 3200 MHz CL22 (M471A5244CB0-CWE) RAM Speicher
- HerstellernummerM471A5244CB0-CWE
- MarkeSamsung
- ProduktartDDR4 SDRAM
- FormfaktorSO-DIMM
- Anzahl der Module1
- BusgeschwindigkeitPC4-25600 (DDR4-3200)
- Gesamtkapazität4 GB
- Anzahl der Pins260
- EAN0850001401784
- Artikelnr.235264598182
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Samsung M471A5244CB0. DDR4 SODIMM 260pin. Sie sind zur Rückgabe gebrauchter Batterien als Endnutzer gesetzlich verpflichtet. Die auf den Batterien abgebildeten Symbole haben folgende Bedeutung Modul mit 4 GB 3200 MHz (PC4-25600).
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- BusgeschwindigkeitPC4-25600 (DDR4-3200)
- Gesamtkapazität4 GB
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- BusgeschwindigkeitPC4-21300 (DDR4-2666)
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul4 GB
- Gesamtkapazität4 GB
- Bustaktrate2666 MHz
- Anzahl der Pins260
- Variante4GB
- FormfaktorSO-DIMM (Non-ECC unbuffered)
- Garantie10 Jahre
- HerstellernummerMX.M56930/4S04
- EAN4099753389537
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- Anzahl der Speichermodule1
- MarkeSamsung
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- Kapazität pro Modul4 GB
- Gesamtkapazität8 GB
- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
- Herstellergarantie10 Jahre
- FormfaktorSO-DIMM
- BusgeschwindigkeitPC3-8500S
- ModellM471B5273CH0-CF8
- Anzahl der Pins204
- EAN4057719188143
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- BusgeschwindigkeitPC4-25600 (DDR4-3200)
- HerstellernummerMTA4ATF5126HZ-3G2J1
- MarkeMicron
- ModellMTA4ATF5126HZ-3G2J1
- ProduktartDDR4 SO-DIMM
- Anzahl der Pins260
- Gesamtkapazität8 GB
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- Kapazität pro Modul4 GB
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- Anzahl der Module2
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- BusgeschwindigkeitPC2-5300 (DDR2-667)
- SpeicherbandbreitePC2-5300 (DDR2-667)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul2GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorSO DIMM 200-pol.
- ProduktartDDR2 SDRAM
- Bustaktrate667 MHz
- Speicher-SpezifikationPC2-5300S-555
- JEDEC NormPC2-5300S
- Spannung1.8V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL5
- CAS-LatenzCL5
- UnbufferedJA
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- BusgeschwindigkeitPC2-6400 (DDR2-800)
- SpeicherbandbreitePC2-6400 (DDR2-800)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul2GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorDIMM 240-pol.
- ProduktartDDR2 SDRAM
- Bustaktrate800 MHz
- Speicher-SpezifikationPC2-6400U-666
- JEDEC NormPC2-6400U
- Spannung1.8V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL6
- CAS-LatenzCL6
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- HerstellernummerBS-D2-4G-SO-800-N
- BusgeschwindigkeitPC2-6400 (DDR2-800)
- SpeicherbandbreitePC2-6400 (DDR2-800)
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorSO DIMM 200-pol.
- ProduktartDDR2 SDRAM
- Bustaktrate800 MHz
- Speicher-SpezifikationPC2-6400S
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- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL6
- CAS-LatenzCL6
- UnbufferedJA
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- HerstellernummerBS-D2-4G-SO-667-N
- BusgeschwindigkeitPC2-5300 (DDR2-667)
- SpeicherbandbreitePC2-5300 (DDR2-667)
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- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 200-pol.
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- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL6
- CAS-LatenzCL6
- UnbufferedJA
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- HerstellernummerBS-D3-4G-1066-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-8500 (DDR3-1066)
- SpeicherbandbreitePC3-8500 (DDR3-1066)
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- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module2
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- ProduktartDDR3 SDRAM
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- ProduktartDDR3 SDRAM
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- Speicher-EigenschaftenNon-ECC
- HerstellernummerS0DDR3-0424DK300R318476
- Gesamtkapazität4GB
- Kapazität pro Modul4GB
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- MaßeinheitEinheit
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- ProduktartDDR3 SDRAM
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- BesonderheitenUnbuffered
- SpeicherbandbreiteDDR3-1066 (PC3-8500)
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- Kapazität8192
- Herstellernummer2x4GB_T500
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- MarkeSamsung
- ProduktartDDR3 SDRAM
- FormfaktorDIMM 204-pol.
- Gesamtkapazität16 GB
- Anzahl der Pins204
- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
- Herstellergarantie10 Jahre
- BusgeschwindigkeitPC3L-8500 (DDR3-1066)
- Anzahl der Module4
- Kapazität pro Modul4 GB
- HerstellernummerM471B5273CH0-CF8
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- HerstellernummerM471B5273DH0-CH9
- EAN4057719116580
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