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2GB DDR3 RAM 1333Mhz Speicher Samsung Netbook NC10 Plus (Ab Intel Atom N455)
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Hinweis: Die auf dieser Unterseite aufgelisteten Artikel sind keine B-Ware Artikel
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2GB DDR3 RAM 1333Mhz Speicher Samsung Netbook NC10 Plus (Ab Intel Atom N455)
- MarkeSamsung
- Herstellernummer2GB_NC10 Plus
- AnwendungsbereichNotebooks
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)
- Kapazität2 GB
- BesonderheitenDual Channel-fähig
- ZustandNeu
- EAN4250591480262
- Artikelnr.350453532573
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Für alle aktuellen SAMSUNG DDR3 Netbooks ab N455 Prozessor! Speicher (SO-DIMMs). NC10 PLUS NETBOOK (AB N455 PROZESSOR). Speicher (DIMMs). Apple Speicher. Diese Speicher sind am besten für Kunden geeignet, die auf absolute Stabilität und beste Leistung zum fairen Preis Wert legen.
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- MarkeBRAINZAP
- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
- UnbufferedJA
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- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorDIMM 240-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600U-9
- JEDEC NormPC3-10600U
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
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- EAN4262360571842
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- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
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- JEDEC NormPC3-10600S
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- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
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- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
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- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module2
- FormfaktorDIMM
- Anzahl der Pins240
- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
- Herstellergarantie10 Jahre
- Kapazität pro Modul8 GB
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- HerstellernummerSam3rd1333
- ModellSam3rd1333
- Gesamtkapazität16 GB
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- Anzahl der Speichermodule1
- MarkeKingston
- ProduktartDDR3 SDRAM
- FormfaktorDIMM
- Kapazität pro Modul4 GB
- Anzahl der Pins240
- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
- Herstellergarantie10 Jahre
- Anzahl der Module1
- BusgeschwindigkeitPC3-10660 (DDR3-1333)
- Gesamtkapazität4 GB
- HerstellernummerKVR1333D3N9/4G
- ModellKVR1333D3N9/4G
- EAN4057719117495
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- ProduktartDDR3 SDRAM
- BesonderheitenUnbuffered
- Kapazität4 GB und mehr
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- FormfaktorSO-DIMM
- SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)
- FormfatkorDIMM 204-pol.
- BusgeschwindigkeitPc3-10600S
- Herstellernummer1x8GB_10600S
- MarkeHynix
- Apple kompatibelJa
- AnwendungsbereichNotebook mit Core i3/i5/i7 2. und 3. Generation
- Gesamtkapazität8 GB
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul8 GB
- EAN4250591487629
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- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Pins240
- Kapazität4 GB und mehr
- TypDDR3-SDRAM
- MPNM378B5273DH0-CH9
- SpezifikationUnbuffered, Nicht-ECC
- FormfaktorDIMM 240-pol.
- SpeicherbandbreiteDDR3-1066 (PC3-8500)
- SpeichertypDDR3-SDRAM
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- HerstellernummerM378B5273DH0-CH9
- MarkeSamsung
- Herstellungsland und -regionChina
- AnwendungsbereichPC-Systeme
- Gesamtkapazität8 GB
- ZustandNeu
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4 GB
- EAN4250591488640
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- MarkeBRAINZAP
- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
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- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
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- BesonderheitenUnbuffered
- AnwendungsbereichNotebooks
- Herstellernummer2x4GB_Q530
- EAN4250591490827
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- MarkeHynix
- AnwendungsbereichNotebooks
- BesonderheitenUnbuffered
- SpeicherbandbreiteDDR3-1066 (PC3-8500)
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- Kapazität2048
- ZustandNeu
- Herstellernummer2GB_1015PX
- EAN4250591480163
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8GB DDR3 RAM SODIMM 1333 MHz PC3 CL9-9-9-24 204 PIN Unbuffered NON-ECC (2x 4GB)
- MarkeBRAINZAP
- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
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- ProduktartDDR3 SDRAM
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- Chip-Anordnung2Rx8
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- EAN4262360571798
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- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
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- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600U-9
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- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
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- EAN0846651016348
- Speicher Allgemein - SpeicherstandardDDR3-1333 (PC3-10600)
- HerstellerMushkin
- Modellbezeichnung997017
- BauformDIMM
- Kapazität16.384 MB
- TypSDRAM-DDR3
- Anschluss240-Pin
- Spannung1,5 V
- StandardDDR3-1333 (PC3-10600)
- HauptfarbeKeine Farbangabe
- Hersteller-Artikelnummer997017
- Produktsicherheit - Hersteller-NameCertification Company B.V.
- Produktsicherheit - Hersteller-AdresseVeluwezoom 42, NL 1327 Almere
- Produktsicherheit - Hersteller-E-Mailadmin@certification-company.com
- Produktsicherheit - Hersteller-URLhttps://www.certification-company.com
- Gewicht in g56
- SerieEssentials
- Gewicht56 g
- Gewicht (kg) Dezimal0.056
- Gewicht inkl. Verpackung56 g
- BusgeschwindigkeitPC3-10666 (DDR3-1333)
- Herstellernummer997017
- MarkeMushkin Enhanced
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module2
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- MarkeSamsung
- EAN4053044721093
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- Ausländisches ProduktNein
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- Herstellernummer4x16GB_Pro 4,1 5,1
- MarkeSamsung
- Modifizierter ArtikelNein
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module4
- FormfaktorDIMM 240-pol.
- Spezifikationen:ECC, Registered
- Kapazität pro Modul16 GB
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- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module1
- FormfaktorSO-DIMM
- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
- Speicher-EigenschaftenNon-ECC
- HerstellernummerS0DDR3-0424DK300R309942
- Gesamtkapazität4GB
- Kapazität pro Modul4GB
- Anzahl der Einheiten1
- MaßeinheitEinheit
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- Höhe3mm
- Anzahl der Pins204
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- Speicher Allgemein - SpeicherstandardDDR3-1333 (PC3-10600)
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- ModellbezeichnungF3-1333C9D-16GIS
- BauformDIMM
- Kapazität16.384 MB
- TypSDRAM-DDR3
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- StandardDDR3-1333 (PC3-10600)
- HauptfarbeKeine Farbangabe
- Hersteller-ArtikelnummerF3-1333C9D-16GIS
- SerieAEGIS
- Gewicht25 g
- Globale BezeichnungF3-1333C9D-16GIS
- Netzteil - NetzteilFällt nicht unter das FuAG
- Speicher Allgemein - Anzahl Module2
- Speicher Allgemein - Speicherspannung bis1,5 V
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- BesonderheitenUnbuffered
- SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- Kapazität8192
- ZustandNeu
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- SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)
- BesonderheitenUnbuffered
- AnwendungsbereichNotebooks
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- ZustandNeu
- Herstellernummer2x4GB_8560p
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- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- Kapazität8192
- ZustandNeu
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- Speicherbestückung2Rx8
- LatenzCL9
- Modulkapazität4 GB
- Kapazität pro Modul4 GB
- Gesamtkapazität8 GB
- Speicher-EigenschaftenLaptop Speicher
- Jedec-NormPC3-10600S (DDR3-1333)
- FormfaktorSODIMM
- Modell450220002
- Anzahl der Pins204
- Anzahl der Module2
- Spannung1.5 V
- ProduktartDDR3 SODIMM
- SpeichertypDDR3 SODIMM
- BusgeschwindigkeitPC3-10600S (DDR3-1333)
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- FormfaktorDIMM
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- Herstellernummer4GB: U0DDR3-0424DK300R312415, 8GB: U0DDR3-0824DK300R312415
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- Kapazität pro Modul2GB
- Gesamtkapazität8GB
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- Spannung1.5V
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