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2x 4GB 8GB DDR3 1333 RAM für Dell Inspiron 15R (N5010) SO-DIMM Speicher Samsung
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Hinweis: Die auf dieser Unterseite aufgelisteten Artikel sind keine B-Ware Artikel
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2x 4GB 8GB DDR3 1333 RAM für Dell Inspiron 15R (N5010) SO-DIMM Speicher Samsung
- MarkeSamsung
- AnwendungsbereichNotebooks
- BesonderheitenUnbuffered
- SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- Kapazität8192
- ZustandNeu
- Herstellernummer2x4GB_Inspiron 15R
- EAN4250591491299
- Artikelnr.360457085395
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- SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)
- BesonderheitenUnbuffered
- AnwendungsbereichLaptop
- TypDDR3, SODIMM
- SpeichertypDDR3, SODIMM
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Speichermodule1
- Kapazität pro Modul8 GB
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- BrandUnbranded
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- Kapazität pro Modul4GB
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- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
- UnbufferedJA
- EAN4262360570227
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- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600U-9
- JEDEC NormPC3-10600U
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
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- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
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- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
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- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
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- FormfaktorSO-DIMM
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- ProduktartDDR3 SDRAM
- FormfaktorDIMM
- Kapazität pro Modul4 GB
- Anzahl der Pins240
- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
- Herstellergarantie10 Jahre
- Anzahl der Module1
- BusgeschwindigkeitPC3-10660 (DDR3-1333)
- Gesamtkapazität4 GB
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- ModellKVR1333D3N9/4G
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- Gesamtkapazität4 GB
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- Anzahl der Pins204
- MarkeHynix
- Anzahl der Speichermodule1
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Kapazität pro Modul4 GB
- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
- Herstellergarantie10 Jahre
- Anzahl der Module1
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- FormfaktorDIMM 204-pol.
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- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
- Gesamtkapazität16 GB
- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
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- MarkeCSX
- HerstellernummerCSX_1333
- ModellCSX_1333
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- EAN4250591498878
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- SpeichertypDDR3-SDRAM
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- ModellM378B5273CH0-CH9
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- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
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- Kapazität pro Modul4GB
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- FormfaktorDIMM 240-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
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- Chip-Anordnung1Rx8
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- Herstellernummer#-27831
- FormfaktorDIMM 200-pol./DIMM 204-pol.
- Busgeschwindigkeit8500S/10600S/12800S
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- EAN4066861349951
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- ProduktartDDR3 SDRAM
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- MPNHMT325S6CFR8C-H9 N0 AA
- FormfaktorSO DIMM 204-polig
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- MarkeHynix
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- EAN3067980088890
- ISBNTut nicht anbringen
- Gesamtkapazität2 GB
- Anzahl der Module1
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- ProduktartDDR3 SDRAM
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- HerstellerMushkin
- Modellbezeichnung997017
- BauformDIMM
- Kapazität16.384 MB
- TypSDRAM-DDR3
- Anschluss240-Pin
- Spannung1,5 V
- StandardDDR3-1333 (PC3-10600)
- HauptfarbeKeine Farbangabe
- Hersteller-Artikelnummer997017
- Gewicht in g56
- SerieEssentials
- Gewicht56 g
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- Gewicht inkl. Verpackung56 g
- Globale Bezeichnung997017
- Speicher Allgemein - Anzahl Module2
- Speicher Allgemein - Physikalischer Takt667 MHz
- Speicher Allgemein - Speicherspannung bis1,575 V
- BusgeschwindigkeitPC3-10666 (DDR3-1333)
- Herstellernummer997017
- MarkeMushkin Enhanced
- ProduktartDDR3 SDRAM
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- MarkeSamsung
- AnwendungsbereichNotebooks
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)
- Kapazität4 GB und mehr
- BesonderheitenUnbuffered
- Herstellernummer2x8GB_GT70-i789BLW7H
- EAN4250591498663
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- Anzahl der Speichermodule1
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- ProduktartDDR3 SDRAM
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- FormfaktorSO-DIMM
- Kapazität pro Modul8GB
- Gesamtkapazität16 GB
- ModellM471B1G73EB0-YK0
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- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
- Herstellergarantie10 Jahre
- BusgeschwindigkeitPc3-10600S
- HerstellernummerM471B5273DH0-CH9
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- ProduktartDDR3 SODIMM
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- BauformDIMM
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- TypSDRAM-DDR3
- Anschluss240-Pin
- Spannung1,5 V
- StandardDDR3-1333 (PC3-10600)
- HauptfarbeKeine Farbangabe
- Hersteller-ArtikelnummerF3-10600CL9D-8GBNT
- LieferzustandRetail
- SerieNT
- Gewicht120 g
- Globale BezeichnungF3-10600CL9D-8GBNT
- Speicher Allgemein - Anzahl Module2
- Speicher Allgemein - Speicherspannung bis1,5 V
- Speicher Allgemein - Speicherspannung von1,5 V
- Speicher Modulbestückung - zweiseitigJa
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
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