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2x 4GB 8GB DDR3 1333 Mhz RAM Speicher Samsung R730 R780 PC3-10600S
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Hinweis: Die auf dieser Unterseite aufgelisteten Artikel sind keine B-Ware Artikel
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2x 4GB 8GB DDR3 1333 Mhz RAM Speicher Samsung R730 R780 PC3-10600S
- MarkeSamsung
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- Kapazität8192
- BesonderheitenUnbuffered
- AnwendungsbereichNotebooks
- SpeicherbandbreiteDDR3-1066 (PC3-8500)
- Herstellernummer2x4GB_R730 R780
- EAN4250591491244
- Artikelnr.360661571967
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Speicher (SO-DIMMs). Speicher (DIMMs). Apple Speicher. Diese Speicher sind am besten für Kunden geeignet, die auf absolute Stabilität und beste Leistung zum fairen Preis Wert legen. SAMSUNG DDR3 SPEICHER.
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- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
- UnbufferedJA
- EAN4262360570210
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- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
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- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
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- ProduktartDDR3 SDRAM
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- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
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- ProduktartDDR3 SDRAM
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- JEDEC NormPC3-10600S
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- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
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- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
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- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- FormfaktorSO-DIMM
- SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)
- FormfatkorDIMM 204-pol.
- BusgeschwindigkeitPc3-10600S
- Herstellernummer1x8GB_10600S
- MarkeHynix
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- AnwendungsbereichNotebook mit Core i3/i5/i7 2. und 3. Generation
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- Herstellernummer#-27831
- FormfaktorDIMM 200-pol./DIMM 204-pol.
- Busgeschwindigkeit8500S/10600S/12800S
- Anzahl der Speichermodule1
- Kapazität pro Modul1GB/2GB/4GB/8GB
- Markediverse Marken Hersteller
- Markenkompatibilitätfür diverse Marken Hersteller
- ProduktartErsatzteil
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- Anzahl der Pins204
- MaßeinheitEinheit
- FormfaktorSO-DIMM
- BusgeschwindigkeitPc3-10600S
- HerstellernummerNichtzutreffend
- MarkeNanja
- Modell1333MHz
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- Anzahl der Module1
- Speicher-EigenschaftenSODIMM
- Anzahl der Einheiten1
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- BusgeschwindigkeitPc3-10600S
- Gesamtkapazität4 GB
- ModellHMT351S6BFR8C
- Anzahl der Pins204
- MarkeHynix
- Anzahl der Speichermodule1
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Kapazität pro Modul4 GB
- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
- Herstellergarantie10 Jahre
- Anzahl der Module1
- FormfaktorSO-DIMM
- EAN4057719117402
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- Herstellernummer2x4GB_5732Z 5737Z
- ProduktartDDR3 SDRAM
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- HerstellernummerBS-D3-2G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul2GB
- Gesamtkapazität2GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
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- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
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- CAS-LatenzCL9
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- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
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- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module2
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- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
- Herstellergarantie10 Jahre
- BusgeschwindigkeitPC3-10660 (DDR3-1333)
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- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
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