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4GB SAMSUNG DDR3 SODIMM RAM 1333 Mhz M471B5273CH0-CH9 PC3-10600S Notebook Memory
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Hinweis: Die auf dieser Unterseite aufgelisteten Artikel sind keine B-Ware Artikel
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4GB SAMSUNG DDR3 SODIMM RAM 1333 Mhz M471B5273CH0-CH9 PC3-10600S Notebook Memory
- MarkeSamsung
- HerstellernummerM471B5273DH0-CH9
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- EAN4053044726401
- Artikelnr.361488761176
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SAMSUNG DDR3 Speicher sind mit sämtliche Notebooks mit 204-Pin 4GB DDR3 Slots kompatibel. Es müssen auf jeden Fall zwei zugängliche Speicherplatz vorhanden sein. Speicher (SO-DIMMs). Speicher (DIMMs).
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8GB DDR3 RAM SO-DIMM PC3-10600S 2Rx8 1333MHz 1.5V Notebook Speicher CL9 (2x 4GB)
- MarkeBRAINZAP
- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
- UnbufferedJA
- EAN4262360570227
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4GB DDR3 RAM SO-DIMM PC3-10600S 2Rx8 1333 MHz 1.5V Notebook Laptop Speicher CL9
- MarkeBRAINZAP
- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
- UnbufferedJA
- EAN4262360570210
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4GB DDR3 RAM SODIMM PC3-10600S 1333 MHz Notebook MacBook Laptop Arbeitsspeicher
- MarkeBRAINZAP
- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
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- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPc3-10600S
- SpeicherbandbreitePc3-10600S
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
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- Bustakt10600S
- Layout8 Chip 1RX8
- Herstellernummer#-27831
- FormfaktorDIMM 200-pol./DIMM 204-pol.
- Busgeschwindigkeit8500S/10600S/12800S
- Anzahl der Speichermodule1
- Kapazität pro Modul1GB/2GB/4GB/8GB
- Markediverse Marken Hersteller
- Markenkompatibilitätfür diverse Marken Hersteller
- ProduktartErsatzteil
- EAN4066861349951
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- Layout16 Chip 2RX8
- Markediverse Markenhersteller
- Herstellernummer#-27828
- FormfaktorDIMM 200-pol./DIMM 204-pol.
- Busgeschwindigkeit8500/10600/12800
- Anzahl der Speichermodule1
- Kapazität pro Modul1GB/2GB/4GB/8GB
- Markenkompatibilitätfür diverse Marken Hersteller
- ProduktartErsatzteil
- EAN4066861350100
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Hynix RAM 1 x 4 GB 204 pin DDR3 1333Mhz Notebook Speicher Pc-10600s 204Pin Ram
- BusgeschwindigkeitPc3-10600S
- Gesamtkapazität4 GB
- ModellHMT351S6BFR8C
- Anzahl der Pins204
- MarkeHynix
- Anzahl der Speichermodule1
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Kapazität pro Modul4 GB
- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
- Herstellergarantie10 Jahre
- Anzahl der Module1
- FormfaktorSO-DIMM
- EAN4057719117402
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2x 4GB 8GB DDR3 1333 Mhz RAM Speicher Samsung R730 R780 PC3-10600S
- MarkeSamsung
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- Kapazität8192
- BesonderheitenUnbuffered
- AnwendungsbereichNotebooks
- SpeicherbandbreiteDDR3-1066 (PC3-8500)
- Herstellernummer2x4GB_R730 R780
- EAN4250591491244
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Samsung 4GB 2x2 GB DDR3 1333MHz PC3-10600S SODIMM 204PIN Laptop RAM Speicher neu
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Pins204
- Herstellergarantie3 Jahre
- FormfaktorSO-DIMM
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- HerstellernummerM47185673EH1-CH9
- MarkeSamsung
- ModellM47185673EH1-CH9
- Herstellungsland und -regionChina
- Gesamtkapazität4 GB
- Anzahl der Module2
- Speicher-EigenschaftenNicht-ECC
- Kapazität pro Modul2 GB
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- MarkeSamsung
- Herstellernummer2x8GB_M6500
- AnwendungsbereichNotebooks
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)
- Kapazität4 GB und mehr
- BesonderheitenUnbuffered
- EAN4250591498458
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2GB Samsung DDR3 1333 Mhz Netbook RAM 204pin SODIMM PC3-10600S M471B5773DH0-CH9
- MarkeSamsung
- Kapazität2 GB
- SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)
- BesonderheitenUnbuffered
- AnwendungsbereichNotebooks
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- MPNM471B5773DH0-CH9
- SpeichertypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- ZustandNeu
- EAN4053044706465
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4GB DDR3 RAM SO-DIMM PC3-10600S 2Rx8 1333 MHz 1.5 V - Notebook Laptop Memory CL9
- MarkeBRAINZAP
- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
- UnbufferedJA
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2GB DDR3 RAM SO-DIMM PC3-10600S 2Rx8 1333 MHz 1.5V Notebook Laptop Speicher CL9
- MarkeBRAINZAP
- HerstellernummerBS-D3-2G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul2GB
- Gesamtkapazität2GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
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- Chip-Anordnung2Rx8
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4GB DDR3 RAM SO-DIMM - 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F2 1.5V CL9 Notebook Laptop MacBook
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- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RN-09-10-F2
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-09-10-F2
- JEDEC NormPC3-10600S
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- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
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Samsung 2 GB 204 pin DDR3-1333 SO-DIMM 1333Mhz PC3-10600S Part M471B5773CHS-CH9
- Anzahl der Speichermodule1
- MarkeSamsung
- ProduktartDDR3 SDRAM
- BusgeschwindigkeitPC3-10660 (DDR3-1333)
- FormfaktorDIMM 204-pol.
- Anzahl der Pins204
- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
- Herstellergarantie10 Jahre
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- Kapazität pro Modul2 GB
- Gesamtkapazität2 GB
- HerstellernummerM471B5773CHS-CH9
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- MarkeSamsung
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- AngebotspaketNein
- Ausländisches ProduktNein
- Modifizierter ArtikelNein
- SpezifikationUnbuffered, Nicht-ECC
- Händlergarantie10 Jahre
- Apple kompatibelJa
- Gesamtkapazität4 GB
- FormfaktorSO-DIMM
- Kapazität pro Modul4 GB
- Anzahl der Pins204
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- SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)
- BesonderheitenUnbuffered
- SpeichertypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- AnwendungsbereichApple iMac 2011
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
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- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)
- Kapazität2 GB
- BesonderheitenDual Channel-fähig
- MarkeSamsung
- Herstellernummer2GB_NC110-HZ1
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