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2GB RAM DDR3 Speicher 1333 Mhz Samsung N Series Netbook NC110-HZ1 PC3-10600S
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2GB RAM DDR3 Speicher 1333 Mhz Samsung N Series Netbook NC110-HZ1 PC3-10600S
- AnwendungsbereichNotebooks
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)
- Kapazität2 GB
- BesonderheitenDual Channel-fähig
- MarkeSamsung
- Herstellernummer2GB_NC110-HZ1
- EAN4053044712671
- Artikelnr.360679683527
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N Series Netbook NC110-HZ1. Speicher (SO-DIMMs). Speicher (DIMMs). Apple Speicher. Diese Speicher sind am besten für Kunden geeignet, die auf absolute Stabilität und beste Leistung zum fairen Preis Wert legen.
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- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
- UnbufferedJA
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- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
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- JEDEC NormPC3-10600S
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- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
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- FormfaktorSO-DIMM
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- BusgeschwindigkeitPc3-10600S
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- Busgeschwindigkeit8500S/10600S/12800S
- Anzahl der Speichermodule1
- Kapazität pro Modul1GB/2GB/4GB/8GB
- Markediverse Marken Hersteller
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- BesonderheitenUnbuffered
- AnwendungsbereichNotebooks
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- FormfaktorSO-DIMM
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- Anzahl der Pins204
- MarkeHynix
- Anzahl der Speichermodule1
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Kapazität pro Modul4 GB
- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
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- Anzahl der Module1
- FormfaktorSO-DIMM
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- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul2GB
- Gesamtkapazität2GB
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- ProduktartDDR3 SDRAM
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- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
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