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Kingston FURY SO-DIMM 8 GB DDR5-4800 , Arbeitsspeicher, schwarz

Kingston FURY SO-DIMM 8 GB DDR5-4800 , Arbeitsspeicher, schwarz

 
  • EAN0740617326178
  • Speicher Allgemein - SpeicherchannelSingle-Channel
  • Speicher Allgemein - SpeicherstandardDDR5-4800 (PC5-38400)
  • Speicherstandard - Standard (DDR5-xxxx)4800
  • Speicherstandard - Standard (PC5-xxxxx)38400
  • HerstellerKingston FURY
  • Farbeschwarz
  • ModellbezeichnungKF548S38IB-8
  • BauformSO-DIMM
  • Kapazität8.192 MB
  • TypSDRAM-DDR5
  • Anschluss262-Pin
  • Spannung1,1 V
  • HauptfarbeSchwarz
  • Hersteller-ArtikelnummerKF548S38IB-8
  • SerieImpact
  • Gewicht inkl. Verpackung20 g
  • Globale BezeichnungKF548S38IB-8
  • Speicher Allgemein - Anzahl Module1
  • Speicher Allgemein - Physikalischer Takt2.400 MHz
  • Speicher Allgemein - Speicherspannung bis1,1 V
  • Artikelnr.285483176776
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Das Kingston KF548S38IB-8 ist ein Modul aus einem 8-GB-DDR5-4800-Speichermodulen (PC5-38400) aus der Impact Serie. Die Gesamtkapazität beträgt 8 GB. Die 262-Pin Module unterstützen eine Latenz von 38 bei 4800 MHz und benötigen 1,1 Volt Spannung.

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  • HerstellernummerBS-D3-8G-SO-1600-2RX8-L
  • BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
  • SpeicherbandbreitePC3-12800 (DDR3-1600)
  • Anzahl der Module2
  • Kapazität pro Modul8GB
  • Gesamtkapazität16GB
  • FormfaktorSO DIMM 204-pol.
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Bustaktrate1600 MHz
  • Speicher-SpezifikationPC3L-12800S-11
  • JEDEC NormPC3L-12800S
  • Spannung1.35V
  • Chip-Anordnung2Rx8
  • Latenz (CL)CL11
  • CAS-LatenzCL11
  • UnbufferedJA
  • EAN4262360571118
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  • Herstellernummer8GB_DDR3_SO_NEU
  • MarkeIntel
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • FormfaktorSO-DIMM
  • Anzahl der Module2
  • Kapazität pro Modul8 GB
  • BusgeschwindigkeitPC3L-12800 (DDR3L-1600)
  • Gesamtkapazität16 GB
  • ModellDDR3
  • Anzahl der Pins204
  • EAN0760557828617
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  • HerstellernummerBS-D3-8G-SO-1600-2RX8-N
  • BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
  • SpeicherbandbreitePC3-12800 (DDR3-1600)
  • Anzahl der Module2
  • Kapazität pro Modul8GB
  • Gesamtkapazität16GB
  • FormfaktorSO DIMM 204-pol.
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Bustaktrate1600 MHz
  • Speicher-SpezifikationPC3-12800S-11
  • JEDEC NormPC3-12800S
  • Spannung1.5V
  • Chip-Anordnung2Rx8
  • Latenz (CL)CL11
  • CAS-LatenzCL11
  • UnbufferedJA
  • EAN4262360571156
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  • MarkeSamsung
  • ProduktartDDR4 SO-DIMM
  • Anzahl der Pins260
  • FormfaktorSO-DIMM
  • Herstellergarantie5 Jahre
  • Anzahl der Speichermodule1
  • BusgeschwindigkeitPC4-25600 (DDR4-3200)
  • Speicher-EigenschaftenNicht-ECC
  • Speichergeschwindigkeit3200MHz
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  • Gesamtkapazität8 GB
  • Anzahl der Module1
  • Kapazität pro Modul8 GB
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  • Herstellernummer8GB_DDR3_SO_NEU
  • Gesamtkapazität bei 2 Modulen16GB
  • Busgeschwindigkeit auchPC3-12800S
  • MarkeIntel
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • FormfaktorSO-DIMM
  • Anzahl der Module1
  • Kapazität pro Modul8 GB
  • BusgeschwindigkeitPC3L-12800S(DDR3-1600)
  • Gesamtkapazität8 GB
  • ModellDDR3
  • Anzahl der Pins204
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  • HerstellernummerBS-D4-8G-SO-2666-N
  • BusgeschwindigkeitPC4-2666V (DDR4-2666)
  • SpeicherbandbreitePC4-2666V (DDR4-2666)
  • Anzahl der Module1
  • Kapazität pro Modul8GB
  • Gesamtkapazität8GB
  • FormfaktorSO DIMM 260-pol.
  • ProduktartDDR4 SDRAM
  • Bustaktrate2666 MHz
  • Speicher-SpezifikationPC4-2666V
  • JEDEC NormPC4-2666V
  • Spannung1.2V
  • Chip-Anordnung1Rx8
  • Latenz (CL)CL19
  • CAS-LatenzCL19
  • UnbufferedJA
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  • Kapazität pro Modul4GB
  • Gesamtkapazität8GB
  • FormfaktorSO DIMM 204-pol.
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Bustaktrate1333 MHz
  • Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
  • JEDEC NormPC3-10600S
  • Spannung1.5V
  • Chip-Anordnung2Rx8
  • Latenz (CL)CL9
  • CAS-LatenzCL9
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  • EAN4262360570227
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  • FormfaktorSO DIMM 204-pol.
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Bustaktrate1066 MHz
  • Speicher-SpezifikationPC3-8500S-7
  • JEDEC NormPC3-8500S
  • Spannung1.5V
  • Chip-Anordnung2Rx8
  • Latenz (CL)CL7
  • CAS-LatenzCL7
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  • BesonderheitenUnbuffered
  • Kapazität4 GB und mehr
  • TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
  • FormfaktorSO-DIMM
  • SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)
  • FormfatkorDIMM 204-pol.
  • BusgeschwindigkeitPc3-10600S
  • Herstellernummer1x8GB_10600S
  • MarkeHynix
  • Apple kompatibelJa
  • AnwendungsbereichNotebook mit Core i3/i5/i7 2. und 3. Generation
  • Gesamtkapazität8 GB
  • Anzahl der Module1
  • Kapazität pro Modul8 GB
  • EAN4250591487629
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  • Herstellernummer1x M471A1K43CB1-CTD
  • MarkeSamsung
  • ProduktartDDR4 SDRAM
  • Herstellungsland und -regionSüdkorea
  • BesonderheitenUnbuffered
  • Gesamtkapazität8GB
  • TypDDR4-SDRAM, SO-DIMM
  • Anzahl der Module1
  • FormfaktorSO DIMM 260-pol.
  • Kapazität pro Modul8GB
  • EAN4053044795957
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  • FormfaktorSO-DIMM
  • Kapazität pro Modul8 GB
  • Gesamtkapazität8 GB
  • Anzahl der Pins204
  • Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
  • Herstellergarantie10 Jahre
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • MarkeSamsung
  • EAN4069043706924
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  • HerstellernummerBS-D3-8G-SO-1866-2RX8-L
  • BusgeschwindigkeitPC3-14900 (DDR3-1866)
  • SpeicherbandbreitePC3-14900 (DDR3-1866)
  • Anzahl der Module2
  • Kapazität pro Modul8GB
  • Gesamtkapazität16GB
  • FormfaktorSO DIMM 204-pol.
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Bustaktrate1866 MHz
  • Speicher-SpezifikationPC3L-14900S-13
  • JEDEC NormPC3L-14900S
  • Spannung1.35V
  • Chip-Anordnung2Rx8
  • Latenz (CL)CL13
  • CAS-LatenzCL13
  • UnbufferedJA
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  • HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1600-2RX8-L
  • BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
  • SpeicherbandbreitePC3-12800 (DDR3-1600)
  • Anzahl der Module2
  • Kapazität pro Modul4GB
  • Gesamtkapazität8GB
  • FormfaktorSO DIMM 204-pol.
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Bustaktrate1600 MHz
  • Speicher-SpezifikationPC3L-12800S-11
  • JEDEC NormPC3L-12800S
  • Spannung1.35V
  • Chip-Anordnung2Rx8
  • Latenz (CL)CL11
  • CAS-LatenzCL11
  • UnbufferedJA
  • EAN4262360570241
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  • ProduktartDDR3L
  • Anzahl der Module1
  • FormfaktorSO-DIMM
  • Kapazität pro Modul8 GB
  • BusgeschwindigkeitPC3-14900 (DDR3-1866)
  • Gesamtkapazität8 GB
  • Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
  • Herstellergarantie10 Jahre
  • MarkeSamsung
  • EAN4069043723341
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  • Herstellungsland und -regionSüdkorea
  • BesonderheitenUnbuffered
  • TypDDR4-SDRAM, SO-DIMM
  • EAN4053044724858
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  • MarkeBRAINZAP
  • HerstellernummerBS-D3-8G-SO-1600-2RX8-N
  • BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
  • SpeicherbandbreitePC3-12800 (DDR3-1600)
  • Anzahl der Module1
  • Kapazität pro Modul8GB
  • Gesamtkapazität8GB
  • FormfaktorSO DIMM 204-pol.
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Bustaktrate1600 MHz
  • Speicher-SpezifikationPC3-12800S-11
  • JEDEC NormPC3-12800S
  • Spannung1.5V
  • Chip-Anordnung2Rx8
  • Latenz (CL)CL11
  • CAS-LatenzCL11
  • UnbufferedJA
  • EAN4262360570630
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  • Anzahl der Module1
  • Kapazität pro Modul8GB
  • Gesamtkapazität8GB
  • FormfaktorSO DIMM 260-pol.
  • ProduktartDDR4 SDRAM
  • Bustaktrate2133 MHz
  • Speicher-SpezifikationPC4-2133P
  • JEDEC NormPC4-2133P
  • Spannung1.2V
  • Chip-Anordnung2Rx8
  • Latenz (CL)CL15
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  • UnbufferedJA
  • EAN4262360572368
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  • ProduktartDDR5 SDRAM
  • HerstellernummerM425R1GB4BB0-CWM
  • FormfaktorSO-DIMM
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  • Kapazität16.384 MB
  • TypSDRAM-DDR4
  • Anschluss260-Pin
  • Spannung1,2 V
  • StandardDDR4-3200 (PC4-25600)
  • HauptfarbeSchwarz
  • Hersteller-ArtikelnummerF4-3200C22D-16GRS
  • SerieRipjaws
  • Gewicht inkl. Verpackung240 g
  • Globale BezeichnungF4-3200C22D-16GRS
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  • BauformSO-DIMM
  • Kapazität16.384 MB
  • TypSDRAM-DDR4
  • Anschluss260-Pin
  • Spannung1,2 V
  • StandardDDR4-3200 (PC4-25600)
  • Abmessungen3 x 6,96 x 0 cm
  • HauptfarbeSchwarz
  • Hersteller-ArtikelnummerKF432S20IBK2/16
  • HinweisSingle Rank
  • SerieImpact
  • Gewicht inkl. Verpackung39 g
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  • Höhe (cm)3.00
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  • HerstellerG.Skill
  • ModellbezeichnungF3-1866C11S-8GRSL
  • BauformSO-DIMM
  • Kapazität8.192 MB
  • TypSDRAM-DDR3
  • Anschluss204-Pin
  • Spannung1,35 V
  • StandardDDR3-1866 (PC3-14900)
  • HauptfarbeKeine Farbangabe
  • Hersteller-ArtikelnummerF3-1866C11S-8GRSL
  • Gewicht in g18
  • SerieRipjaws
  • Gewicht18 g
  • Gewicht (kg) Dezimal0.018
  • Gewicht inkl. Verpackung18 g
  • Globale BezeichnungF3-1866C11S-8GRSL
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  • Kapazität4 GB und mehr
  • TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
  • FormfaktorSO-DIMM
  • SpeicherbandbreiteDDR3-1066 (PC3-8500)
  • SpeichertypDDR3-SDRAM
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  • Herstellernummer2x8GB_iMac mac mini
  • MarkeHynix 3rd
  • AnwendungsbereichNotebooks
  • Gesamtkapazität16 GB
  • Anzahl der Module2
  • Kapazität pro Modul8 GB
  • EAN4053044729549
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8GB Samsung DDR4 2400 Mhz RAM SO DIMM f Lenovo ThinkPad T470p T470s T480
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  • MarkeSamsung
  • Gesamtkapazität8GB
  • HerstellernummerM471A1K43CB1-CRC
  • Kapazität pro Modul8 GB
  • TypDDR4-SDRAM, SO-DIMM
  • BesonderheitenUnbuffered
  • MPNM471A1K43BB1-CRC
  • Anzahl der Module1
  • FormfaktorSO DIMM 260-pol.
  • ProduktartDDR4 SDRAM
  • BusgeschwindigkeitPC4-19200 (DDR4-2400)
  • Herstellungsland und -regionSüdkorea
  • EAN4053044767336
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Mushkin SO-DIMM 16 GB DDR3-1600 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher
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  • MarkeMushkin
  • Herstellernummer997038
  • EAN0846651017031
  • ProduktartArbeitsspeicher
  • Speicher Allgemein - SpeicherstandardDDR3-1600 (PC3-12800)
  • HerstellerMushkin
  • Modellbezeichnung997038
  • BauformSO-DIMM
  • Kapazität16.384 MB
  • TypSDRAM-DDR3
  • Anschluss204-Pin
  • Spannung1,35 V
  • StandardDDR3-1600 (PC3-12800)
  • HauptfarbeKeine Farbangabe
  • Hersteller-Artikelnummer997038
  • Gewicht in g41
  • SerieEssentials
  • Gewicht41 g
  • Gewicht (kg) Dezimal0.041
  • Gewicht inkl. Verpackung41 g
  • Globale Bezeichnung997038
  • Speicher Allgemein - Anzahl Module2
  • Speicher Allgemein - Physikalischer Takt800 MHz
  • Speicher Allgemein - Speicherspannung bis1,35 V
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8GB DDR3 1600MHz Ram Speicher für Asus F551M SO-DIMM
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  • Anzahl der Module1
  • FormfaktorSO-DIMM
  • Kapazität pro Modul8 GB
  • Gesamtkapazität8 GB
  • Anzahl der Pins204
  • Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
  • Herstellergarantie10 Jahre
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • MarkeSamsung
  • EAN4069043702582
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8GB DDR3 1600MHz Ram Speicher für Synology DS415 SO-DIMM
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  • Anzahl der Module1
  • FormfaktorSO-DIMM
  • Kapazität pro Modul8 GB
  • Gesamtkapazität8 GB
  • Anzahl der Pins204
  • Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
  • Herstellergarantie10 Jahre
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • MarkeSamsung
  • EAN4069043718002
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