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2GB RAM DDR3 passend für QNAP TS-459 Pro II SO DIMM 1333MHz StorageNAS-Speicher
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2GB RAM DDR3 passend für QNAP TS-459 Pro II SO DIMM 1333MHz StorageNAS-Speicher
- MarkePHS-memory
- ProduktartDDR3
- FormfaktorSO DIMM 204 Pin DIMM
- Busgeschwindigkeit1333MHz PC3-10600S
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul2GB
- MarkenkompatibilitätFür QNAP
- EAN4055069111156
- Artikelnr.301864700164
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Arbeitsspeicher für. weitere Arbeitsspeicher. Arbeitsspeicher QNAP TS-459 Pro II Der RAM Speicher erweitert die Speicherkapazität des QNAP TS-459 Pro II um 2GB. Das Speichermodul besitzt 204 Pin DIMM und eine Spannung von 1,5 Volt.
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- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Pins204
- BesonderheitenUnbuffered
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- MaßeinheitEinheit
- FormfaktorSO-DIMM
- SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- HerstellernummerM471B1G73QH0-CH9
- MarkeSamsung
- AnwendungsbereichNotebooks
- Gesamtkapazität16 GB
- Anzahl der Module2
- Anzahl der Einheiten2
- Kapazität pro Modul8 GB
- EAN4250591497994
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- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
- UnbufferedJA
- EAN4262360570227
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- MarkeBRAINZAP
- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
- UnbufferedJA
- EAN4262360570210
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- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
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- Latenz (CL)CL9
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- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
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- Latenz (CL)CL9
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- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module2
- FormfaktorDIMM
- Kapazität pro Modul4 GB
- Gesamtkapazität8 GB
- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
- Herstellergarantie10 Jahre
- BusgeschwindigkeitPC3-10660 (DDR3-1333)
- HerstellernummerHMT351S6BFR8C
- ModellHMT351S6BFR8C
- Anzahl der Pins204
- EAN4057719210370
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- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
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- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
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- SpeichertypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
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- FormfaktorSO DIMM 204 Pin DIMM
- Busgeschwindigkeit1333MHz PC3-10600S
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul8GB
- MarkenkompatibilitätFür Asus
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- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
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- Kapazität pro Modul2GB
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- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
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- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
- Herstellergarantie10 Jahre
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- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
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- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
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- BesonderheitenUnbuffered
- FormfatkorDIMM 204-pol.
- Apple kompatibelJa
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