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4GB Lenovo B570 Arbeitsspeicher DDR3 SODIMM Ram 1333 MHz Notebook Speicher
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Hinweis: Die auf dieser Unterseite aufgelisteten Artikel sind keine B-Ware Artikel
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4GB Lenovo B570 Arbeitsspeicher DDR3 SODIMM Ram 1333 MHz Notebook Speicher
- MarkeBEST Electronics
- ProduktartDDR3 SDRAM
- HerstellernummerBEST519110
- FormfaktorDIMM 204-pol
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- Gesamtkapazität4GB
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul4GB
- AngebotspaketNein
- Herstellergarantie2 Jahre
- Anzahl der Pins204
- Speicher-EigenschaftenNon-ECC Speicher, Unbuffered
- EAN4054532037269
- Artikelnr.144484283079
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Maximaler Arbeitsspeicher: 8GB. Neuere Speicher Technologien, bzw. Das Modul wurde von uns für IBM / Lenovo B570 zertifiziert und freigegeben. Er entspricht dessen Qualitäts - und Systemanforderungen.
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- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Pins204
- BesonderheitenUnbuffered
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- MaßeinheitEinheit
- FormfaktorSO-DIMM
- SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- HerstellernummerM471B1G73QH0-CH9
- MarkeSamsung
- AnwendungsbereichNotebooks
- Gesamtkapazität16 GB
- Anzahl der Module2
- Anzahl der Einheiten2
- Kapazität pro Modul8 GB
- EAN4250591497994
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- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
- UnbufferedJA
- EAN4262360570227
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- MarkeBRAINZAP
- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
- UnbufferedJA
- EAN4262360570210
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- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
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- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
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- Herstellernummer4x8GB_12,1 12,2
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- ProduktartDDR3 SDRAM
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- FormfaktorSO-DIMM
- Kapazität pro Modul8 GB
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- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
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- MarkeHynix
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module2
- FormfaktorDIMM
- Kapazität pro Modul4 GB
- Gesamtkapazität8 GB
- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
- Herstellergarantie10 Jahre
- BusgeschwindigkeitPC3-10660 (DDR3-1333)
- HerstellernummerHMT351S6BFR8C
- ModellHMT351S6BFR8C
- Anzahl der Pins204
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- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
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- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
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- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module2
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- Kapazität4 GB und mehr
- SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)
- BesonderheitenUnbuffered
- AnwendungsbereichNotebooks
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- MPNM471B1G73BH0-CH9
- SpeichertypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
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- ProduktartDDR3
- FormfaktorSO DIMM 204 Pin DIMM
- Busgeschwindigkeit1333MHz PC3-10600S
- Anzahl der Module1
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- MarkenkompatibilitätFür Asus
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- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
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- EAN4262360571385
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- Chip-Anordnung2Rx8
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8GB DDR3 1333MHz Ram Speicher für Toshiba Z830 SO-DIMM
- Anzahl der Module1
- FormfaktorSO-DIMM
- Kapazität pro Modul8 GB
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- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
- Herstellergarantie10 Jahre
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- EAN4069043696966
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8GB DDR3 1333MHz Ram Speicher für Lenovo B570e SO-DIMM
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- ProduktartDDR3 SDRAM
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- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
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- MarkeMicron 3rd
- Herstellernummer8GB_Pro 8,1 8,2 8,3
- AnwendungsbereichMacBook Pro 2011 + iMac 2011 + mac mini 2011
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)
- Kapazität4 GB und mehr
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- BesonderheitenUnbuffered
- FormfatkorDIMM 204-pol.
- Apple kompatibelJa
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