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2x 8GB 16GB DDR3 RAM 1333 MHz SAMSUNG NOTEBOOK RC730 (Markenspeicher Samsung)
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Hinweis: Die auf dieser Unterseite aufgelisteten Artikel sind keine B-Ware Artikel
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2x 8GB 16GB DDR3 RAM 1333 MHz SAMSUNG NOTEBOOK RC730 (Markenspeicher Samsung)
- MarkeSamsung
- Kapazität4 GB und mehr
- SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)
- BesonderheitenUnbuffered
- AnwendungsbereichNotebooks
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- MPNM471B1G73AH0-CH9
- SpeichertypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- EAN4250591498489
- Artikelnr.350515905645
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38,90
Speicher (SO-DIMMs). Speicher (DIMMs). Apple Speicher. Diese Speicher sind am besten für Kunden geeignet, die auf absolute Stabilität und beste Leistung zum fairen Preis Wert legen. Speicher von SAMSUNG sind in vielen SAMSUNG Modellen ab Werk eingebaut, da es sich um hochwertige und zuverlässige Speicher handelt.
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- MarkeQumox
- SpeicherbandbreiteDDR3-1600 (PC3-12800)
- BesonderheitenUnbuffered
- AnwendungsbereichLaptop
- TypDDR3, SODIMM
- SpeichertypDDR3, SODIMM
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- BusgeschwindigkeitPC3L-12800S(DDR3-1600)
- MarkeSamsung 3rd
- ProduktartDDR3L
- Anzahl der Pins204
- Gesamtkapazität16 GB
- Anzahl der Module2
- FormfaktorSO-DIMM
- Kapazität pro Modul8 GB
- EANnichtzutreffend
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- BusgeschwindigkeitPC3L-12800S(DDR3-1600)
- MarkeSamsung 3rd
- ProduktartDDR3L
- Anzahl der Pins204
- Gesamtkapazität16 GB
- Anzahl der Module2
- FormfaktorSO-DIMM
- Kapazität pro Modul8 GB
- EANnichtzutreffend
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- BusgeschwindigkeitPC3-14900 (DDR3-1866)
- SpeicherbandbreitePC3-14900 (DDR3-1866)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul8GB
- Gesamtkapazität16GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1866 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3L-14900S-13
- JEDEC NormPC3L-14900S
- Spannung1.35V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL13
- CAS-LatenzCL13
- UnbufferedJA
- EAN4262360571576
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- Gesamtkapazität bei 2 Modulen16GB
- Busgeschwindigkeit auchPC3-12800S
- MarkeIntel
- ProduktartDDR3 SDRAM
- FormfaktorSO-DIMM
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul8 GB
- BusgeschwindigkeitPC3L-12800S(DDR3-1600)
- Gesamtkapazität8 GB
- ModellDDR3
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- MarkeSamsung 3rd
- ProduktartDDR3L
- Anzahl der Pins204
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- MarkeIntel
- ProduktartDDR3 SDRAM
- FormfaktorSO-DIMM
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul8 GB
- BusgeschwindigkeitPC3L-12800 (DDR3L-1600)
- Gesamtkapazität16 GB
- ModellDDR3
- Anzahl der Pins204
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- ProduktartDDR3
- Anzahl der Pins204
- Geschwindigkeit1600 MHz
- CL11
- Rank2Rx8
- MaßeinheitEinheit
- HerstellergarantieUnbekannt
- LängeUnbekannt
- FormfaktorSO-DIMM
- HöheSTD
- BusgeschwindigkeitPC3-12800S
- BreiteUnbekannt
- HerstellernummerM471B1G73BH0-CK0
- MarkeSamsung
- ModellM471B1G73BH0-CK0
- Herstellungsland und -regionChina
- Gesamtkapazität16 GB
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- Speicher-EigenschaftenNon-ECC
- Anzahl der Einheiten2
- Kapazität pro Modul8 GB
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- HerstellernummerM471B1G73DB0YK0X2
- MarkeSamsung
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Pins204
- Gesamtkapazität8 GB
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- Speicher-EigenschaftenDual Channel-fähig, unbuffered, unbuffered, non-ECC
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16GB (2x8GB) PC3L-12800S DDR3 1600 MHz 1,35V SODIMM RAM Laptop NeuOVP
- BusgeschwindigkeitPC3L-12800S(DDR3-1600)
- MarkePUSKILL
- ProduktartDDR3L
- Anzahl der Pins204
- Gesamtkapazität16 GB
- Anzahl der Module2
- FormfaktorSO-DIMM
- Kapazität pro Modul8 GB
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DDR3L DDR3 8GB 16GB 32GB 1600 Mhz PC3L-12800 SODIMM Laptop Memory RAM
- BusgeschwindigkeitPC3L-12800S(DDR3-1600)
- MarkeSamsung 3rd
- ProduktartDDR3L
- Anzahl der Pins204
- Gesamtkapazität8 GB
- Anzahl der Module1
- FormfaktorSO-DIMM
- Kapazität pro Modul8 GB
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16GB DDR3 RAM SO-DIMM PC3-12800S 2Rx8 1600 MHz 1.5V Notebook Speicher (2x 8GB)
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- HerstellernummerBS-D3-8G-SO-1600-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
- SpeicherbandbreitePC3-12800 (DDR3-1600)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul8GB
- Gesamtkapazität16GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1600 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-12800S-11
- JEDEC NormPC3-12800S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
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- ProduktartArbeitsspeicher
- Gewicht (kg) Dezimal0.048
- Speicher Timing - tRCD (RAS to CAS Delay)9
- Speicher Timing - tRAS (RAS Active Time)28.0
- Speicher Timing - tCL (CAS Latency)9.0
- Speicher Modulbestückung - zweiseitigJa
- Speicher Features - Low-VoltageJa
- Speicher Allgemein - Speicherspannung von1,35 V
- Speicher Allgemein - Speicherspannung bis1,35 V
- Speicher Allgemein - Physikalischer Takt800 MHz
- Speicher Allgemein - Anzahl Module2
- Globale BezeichnungF3-1600C9D-16GRSL
- Gewicht inkl. Verpackung48 g
- SerieSL
- Gewicht48 g
- Gewicht in g48
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- HauptfarbeKeine Farbangabe
- StandardDDR3-1600 (PC3-12800)
- Spannung1,35 V
- Anschluss204-Pin
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- SpeicherbandbreiteDDR3-1600 (PC3-12800)
- BesonderheitenUnbuffered
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- TypDDR3, SODIMM
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- Gesamtkapazität16 GB
- BesonderheitenUnbuffered
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- FormfaktorSO-DIMM
- SpeicherbandbreiteDDR3-1600 (PC3-12800)
- Kapazität pro Modul16 GB
- ProduktartDDR3L
- Anzahl der Module1
- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
- EAN4053044725459
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- MarkeMicron
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- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Pins260
- Gesamtkapazität16 GB
- TypDDR4-SDRAM, SO-DIMM
- Anzahl der Module1
- FormfaktorSO-DIMM
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- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- SpeicherbandbreiteDDR3-1600 (PC3-12800)
- BesonderheitenUnbuffered
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- EAN0846651016423
- Gewicht39 g
- Speicher Timing - tRCD (RAS to CAS Delay)7
- Speicher Timing - tRAS (RAS Active Time)20.0
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- Speicher Allgemein - Speicherspannung von1,425 V
- Speicher Allgemein - Speicherspannung bis1,575 V
- Speicher Allgemein - Physikalischer Takt533 MHz
- Speicher Allgemein - Anzahl Module2
- Globale Bezeichnung997019
- Gewicht inkl. Verpackung39 g
- Gewicht (kg) Dezimal0.039
- Gewicht in g39
- SerieEssentials
- Hersteller-Artikelnummer997019
- HauptfarbeKeine Farbangabe
- StandardDDR3-1066 (PC3-8500)
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- TypSDRAM-DDR3
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- AngebotspaketNein
- Spannung1.35 Volt
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- BusgeschwindigkeitPc3-12800
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- MarkeNetac
- ModellBasic SO DDR3L-1600
- Herstellungsland und -regionChina
- Speichertaktfrequenz1600 MHz
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- HerstellernummerM471B1G73BH0-CK0
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- SpeicherbandbreiteDDR3-1600 (PC3-12800)
- FormfaktorDIMM 204-pol.
- BesonderheitenUnbuffered
- MPNM471B1G73BH0-CK0
- Kapazität pro Modul8 GB
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module2
- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
- EAN4250591498663
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- Speicher Timing - tRCD (RAS to CAS Delay)11
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- Speicher Timing - tCL (CAS Latency)11.0
- Speicher Modulbestückung - zweiseitigJa
- Speicher Allgemein - Speicherspannung von1,35 V
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- Gewicht inkl. Verpackung125 g
- Gewicht in g125
- Gewicht125 g
- Hersteller-ArtikelnummerF3-1600C11D-16GSL
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- FormfaktorSO-DIMM
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- EAN4057208141345
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