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Samsung 16GB DDR3 1600MHz Laptop RAM Arbeitsspeicher SODIMM - M471B1G73BH0-CK0
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Hinweis: Die auf dieser Unterseite aufgelisteten Artikel sind keine B-Ware Artikel
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Samsung 16GB DDR3 1600MHz Laptop RAM Arbeitsspeicher SODIMM - M471B1G73BH0-CK0
- ProduktartDDR3
- Anzahl der Pins204
- Geschwindigkeit1600 MHz
- CL11
- Rank2Rx8
- MaßeinheitEinheit
- HerstellergarantieUnbekannt
- LängeUnbekannt
- FormfaktorSO-DIMM
- HöheSTD
- BusgeschwindigkeitPC3-12800S
- BreiteUnbekannt
- HerstellernummerM471B1G73BH0-CK0
- MarkeSamsung
- ModellM471B1G73BH0-CK0
- Herstellungsland und -regionChina
- Gesamtkapazität16 GB
- Anzahl der Module2
- Speicher-EigenschaftenNon-ECC
- Anzahl der Einheiten2
- Kapazität pro Modul8 GB
- Artikelnr.364849494718
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Samsung 16GB (2x8GB) DDR3 1600MHz SODIMM Arbeitsspeicher M471B1G73BH0-CK0. Hier handelt es sich um 204 Pin, DDR3-1600MHz, SODIMM Arbeitsspeicher.
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- MarkeQumox
- SpeicherbandbreiteDDR3-1600 (PC3-12800)
- BesonderheitenUnbuffered
- AnwendungsbereichLaptop
- TypDDR3, SODIMM
- SpeichertypDDR3, SODIMM
- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
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- BusgeschwindigkeitPC3L-12800S(DDR3-1600)
- MarkeSamsung 3rd
- ProduktartDDR3L
- Anzahl der Pins204
- Gesamtkapazität16 GB
- Anzahl der Module2
- FormfaktorSO-DIMM
- Kapazität pro Modul8 GB
- EANnichtzutreffend
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16GB (2x8GB) PC3L-12800S DDR3 1600 MHz 1,35 V SODIMM RAM Laptop-Speicher
- BusgeschwindigkeitPC3L-12800S(DDR3-1600)
- MarkeSamsung 3rd
- ProduktartDDR3L
- Anzahl der Pins204
- Gesamtkapazität16 GB
- Anzahl der Module2
- FormfaktorSO-DIMM
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- EANnichtzutreffend
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- HerstellernummerBS-D3-8G-SO-1866-2RX8-L
- BusgeschwindigkeitPC3-14900 (DDR3-1866)
- SpeicherbandbreitePC3-14900 (DDR3-1866)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul8GB
- Gesamtkapazität16GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1866 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3L-14900S-13
- JEDEC NormPC3L-14900S
- Spannung1.35V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL13
- CAS-LatenzCL13
- UnbufferedJA
- EAN4262360571576
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- Gesamtkapazität bei 2 Modulen16GB
- Busgeschwindigkeit auchPC3-12800S
- MarkeIntel
- ProduktartDDR3 SDRAM
- FormfaktorSO-DIMM
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul8 GB
- BusgeschwindigkeitPC3L-12800S(DDR3-1600)
- Gesamtkapazität8 GB
- ModellDDR3
- Anzahl der Pins204
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- MarkeSamsung 3rd
- ProduktartDDR3L
- Anzahl der Pins204
- Gesamtkapazität16 GB
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- MarkeIntel
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- BusgeschwindigkeitPC3L-12800 (DDR3L-1600)
- Gesamtkapazität16 GB
- ModellDDR3
- Anzahl der Pins204
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- HerstellernummerM471B1G73DB0YK0X2
- MarkeSamsung
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Pins204
- Gesamtkapazität8 GB
- Anzahl der Module2
- Speicher-EigenschaftenDual Channel-fähig, unbuffered, unbuffered, non-ECC
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- BusgeschwindigkeitPC3L-12800S(DDR3-1600)
- MarkePUSKILL
- ProduktartDDR3L
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- BusgeschwindigkeitPC3L-12800S(DDR3-1600)
- MarkeSamsung 3rd
- ProduktartDDR3L
- Anzahl der Pins204
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- Anzahl der Module1
- FormfaktorSO-DIMM
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- HerstellernummerBS-D3-8G-SO-1600-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
- SpeicherbandbreitePC3-12800 (DDR3-1600)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul8GB
- Gesamtkapazität16GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1600 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-12800S-11
- JEDEC NormPC3-12800S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL11
- CAS-LatenzCL11
- UnbufferedJA
- EAN4262360571156
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- MarkeG.Skill
- HerstellernummerF3-1600C9D-16GRSL
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- ProduktartArbeitsspeicher
- Gewicht (kg) Dezimal0.048
- Speicher Timing - tRCD (RAS to CAS Delay)9
- Speicher Timing - tRAS (RAS Active Time)28.0
- Speicher Timing - tCL (CAS Latency)9.0
- Speicher Modulbestückung - zweiseitigJa
- Speicher Features - Low-VoltageJa
- Speicher Allgemein - Speicherspannung von1,35 V
- Speicher Allgemein - Speicherspannung bis1,35 V
- Speicher Allgemein - Physikalischer Takt800 MHz
- Speicher Allgemein - Anzahl Module2
- Globale BezeichnungF3-1600C9D-16GRSL
- Gewicht inkl. Verpackung48 g
- SerieSL
- Gewicht48 g
- Gewicht in g48
- Hersteller-ArtikelnummerF3-1600C9D-16GRSL
- HauptfarbeKeine Farbangabe
- StandardDDR3-1600 (PC3-12800)
- Spannung1,35 V
- Anschluss204-Pin
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- MarkeQumox
- SpeicherbandbreiteDDR3-1600 (PC3-12800)
- BesonderheitenUnbuffered
- AnwendungsbereichLaptop
- TypDDR3, SODIMM
- SpeichertypDDR3, SODIMM
- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
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1x 16GB RAM Speicher 204 pin DDR3L SO DIMM 1600 Mhz PC3L-12800S 1.35V DDR3
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- Gesamtkapazität16 GB
- BesonderheitenUnbuffered
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- FormfaktorSO-DIMM
- SpeicherbandbreiteDDR3-1600 (PC3-12800)
- Kapazität pro Modul16 GB
- ProduktartDDR3L
- Anzahl der Module1
- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
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- BesonderheitenUnbuffered
- TypDDR4-SDRAM, SO-DIMM
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- HerstellernummerMTA8ATF2G64HZ-3G2F1
- MarkeMicron
- Herstellungsland und -regionSüdkorea
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Pins260
- Gesamtkapazität16 GB
- TypDDR4-SDRAM, SO-DIMM
- Anzahl der Module1
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2x 8GB 16GB RAM Speicher 204 pin DDR3L SO DIMM 1600 Mhz PC3L-12800S 1.35V DDR3
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- BesonderheitenUnbuffered
- EAN4053044709725
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Mushkin SO-DIMM 16 GB DDR3-1066 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher
- EAN0846651016423
- Gewicht39 g
- Speicher Timing - tRCD (RAS to CAS Delay)7
- Speicher Timing - tRAS (RAS Active Time)20.0
- Speicher Timing - tCL (CAS Latency)7.0
- Speicher Allgemein - Speicherspannung von1,425 V
- Speicher Allgemein - Speicherspannung bis1,575 V
- Speicher Allgemein - Physikalischer Takt533 MHz
- Speicher Allgemein - Anzahl Module2
- Globale Bezeichnung997019
- Gewicht inkl. Verpackung39 g
- Gewicht (kg) Dezimal0.039
- Gewicht in g39
- SerieEssentials
- Hersteller-Artikelnummer997019
- HauptfarbeKeine Farbangabe
- StandardDDR3-1066 (PC3-8500)
- Spannung1,5 V
- Anschluss204-Pin
- TypSDRAM-DDR3
- Kapazität16.384 MB
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- ProduktartDDR3L
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- AngebotspaketNein
- Spannung1.35 Volt
- RGBnein
- Länge6.76cm
- FormfaktorSO-DIMM
- BusgeschwindigkeitPc3-12800
- Breite3cm
- MarkeNetac
- ModellBasic SO DDR3L-1600
- Herstellungsland und -regionChina
- Speichertaktfrequenz1600 MHz
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- Anzahl der Module2
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2x8GB 16GB DDR3 1600 Mhz Apple iMac MacBook Pro mac mini 2012 PC3-12800S SO DIMM
- MarkeSamsung
- HerstellernummerM471B1G73BH0-CK0
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- SpeicherbandbreiteDDR3-1600 (PC3-12800)
- FormfaktorDIMM 204-pol.
- BesonderheitenUnbuffered
- MPNM471B1G73BH0-CK0
- Kapazität pro Modul8 GB
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module2
- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
- EAN4250591498663
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G.Skill SO-DIMM 16 GB DDR3-1600 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher
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- Gewicht (kg) Dezimal0.125
- Speicher Timing - tRCD (RAS to CAS Delay)11
- Speicher Timing - tRAS (RAS Active Time)28.0
- Speicher Timing - tCL (CAS Latency)11.0
- Speicher Modulbestückung - zweiseitigJa
- Speicher Allgemein - Speicherspannung von1,35 V
- Speicher Allgemein - Speicherspannung bis1,5 V
- Speicher Allgemein - Physikalischer Takt800 MHz
- Speicher Allgemein - Anzahl Module2
- Globale BezeichnungF3-1600C11D-16GSL
- Gewicht inkl. Verpackung125 g
- Gewicht in g125
- Gewicht125 g
- Hersteller-ArtikelnummerF3-1600C11D-16GSL
- HauptfarbeKeine Farbangabe
- StandardDDR3-1600 (PC3-12800)
- Spannung1,35 V
- Anschluss204-Pin
- TypSDRAM-DDR3
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- HerstellernummerHynix-2x8GB-PC3-14900S
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- ProduktartDDR3 SDRAM
- Händergarantie10 Jahre
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- Gesamtkapazität8 GB
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- Anzahl der Module2
- FormfaktorSO-DIMM
- Höhe0.8 cm
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- BesonderheitenUnbuffered
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- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
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- Spannung1,35 V
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- Kapazität pro Modul8 GB
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