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Samsung M391B5173EB0-Y K0Q 4GB DDR3 RAM PC3L-12800E 1600MHz unbuffered ECC NEU
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Samsung M391B5173EB0-Y K0Q 4GB DDR3 RAM PC3L-12800E 1600MHz unbuffered ECC NEU
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Pins240
- AngebotspaketNein
- HerstellergarantieKeine
- FormfaktorUDIMM
- BusgeschwindigkeitPC3-12800E (DDR3-1600)
- HerstellernummerS26361-F5312-L514, HMT451U7DFR8A-PB, 38040868
- MarkeSamsung
- ModellHMT451U7DFR8A-PB
- Herstellungsland und -regionUnbekannt
- Gesamtkapazität4GB
- Anzahl der Module1
- Speicher-EigenschaftenECC-Speicher, Unbuffered
- Kapazität pro Modul4 GB
- EAN619639622554
- Artikelnr.365121671487
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Das Fujitsu RAM mit einer Gesamtkapazität von 4 GB und einer Busgeschwindigkeit von PC3-12800E bietet zuverlässigen Speicher für Ihre Anwendungen. Das DDR3 SDRAM-Modul verfügt über ECC-Speicher und ist unbuffered für eine optimale Leistung.
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- HerstellernummerBS-D2-4G-800-AMD
- BusgeschwindigkeitPC2-6400 (DDR2-800)
- SpeicherbandbreitePC2-6400 (DDR2-800)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorDIMM 240-pol.
- ProduktartDDR2 SDRAM
- Bustaktrate800 MHz
- Speicher-SpezifikationPC2-6400U-666
- JEDEC NormPC2-6400U
- Spannung1.8V
- Chip-Anordnung2Rx16
- Latenz (CL)CL6
- CAS-LatenzCL6
- UnbufferedJA
- EAN4262360570340
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- HerstellernummerBS-D2-4G-667-AMD
- BusgeschwindigkeitPC2-5300 (DDR2-667)
- SpeicherbandbreitePC2-5300 (DDR2-667)
- Anzahl der Module4
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität16GB
- FormfaktorDIMM 240-pol.
- ProduktartDDR2 SDRAM
- Bustaktrate667 MHz
- Speicher-SpezifikationPC2-5300U-555
- JEDEC NormPC2-5300U
- Spannung1.8V
- Chip-Anordnung2Rx16
- Latenz (CL)CL555
- CAS-LatenzCL555
- UnbufferedJA
- EAN4262360576205
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- HerstellernummerBS-D3-4G-1066-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-8500 (DDR3-1066)
- SpeicherbandbreitePC3-8500 (DDR3-1066)
- Anzahl der Module4
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität16GB
- FormfaktorDIMM 240-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1066 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-8500U-7
- JEDEC NormPC3-8500U
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL7
- CAS-LatenzCL7
- UnbufferedJA
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- ProduktartDDR3 SDRAM
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- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
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- Anzahl der Module4
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- SpeicherbandbreitePC2-5300 (DDR2-667)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul2GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorSO DIMM 200-pol.
- ProduktartDDR2 SDRAM
- Bustaktrate667 MHz
- Speicher-SpezifikationPC2-5300S-555
- JEDEC NormPC2-5300S
- Spannung1.8V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL5
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- MarkeMarkenspeicher nach Verfügbarkeit
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- ProduktartDDR2 SDRAM
- BesonderheitenNon-ECC, Unbuffered, Intel kompatibel
- AnwendungsbereichPC-Systeme
- Gesamtkapazität4 GB
- Anzahl der Module2
- FormfaktorDIMM 240-pol.
- Kapazität pro Modul2 GB
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- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1600-2RX8-L
- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
- SpeicherbandbreitePC3-12800 (DDR3-1600)
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1600 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3L-12800S-11
- JEDEC NormPC3L-12800S
- Spannung1.35V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL11
- CAS-LatenzCL11
- UnbufferedJA
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- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
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- SpeicherbandbreitePC2-6400 (DDR2-800)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul2GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorSO DIMM 200-pol.
- ProduktartDDR2 SDRAM
- Bustaktrate800 MHz
- Speicher-SpezifikationPC2-6400S-666
- JEDEC NormPC2-6400S
- Spannung1.8V
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- ProduktartDDR2 SDRAM
- Anzahl der Pins200
- BesonderheitenUnbuffered
- TypDDR2-SDRAM, SO-DIMM
- FormfaktorSO-DIMM
- SpeichertypDDR2-SDRAM, Notebook
- BusgeschwindigkeitPC2-6400 (DDR2-800)
- HerstellernummerMICRON3rd_2x4GB
- MarkeMicron 3rd
- AnwendungsbereichNotebooks
- Gesamtkapazität8 GB
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4 GB
- EAN4250591496638
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- MarkeSamsung
- MPNM471B5273CH0-CF8
- BusgeschwindigkeitPC3-8500 (DDR3-1066)
- Kapazität pro Modul8 GB
- HerstellernummerM471B5273CH0-CF8
- ProduktartDDR3 SDRAM
- EAN4053044717560
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4GB Ram Speicher passend für ASUS ASmobile EeeTop PC ET2210INTS ET2210 INTS,
- Markedekoelektropunktde
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module1
- FormfaktorSO-DIMM
- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
- Speicher-EigenschaftenNon-ECC
- Herstellernummer472644D3A4
- Gesamtkapazität4GB
- Kapazität pro Modul4GB
- Anzahl der Einheiten1
- MaßeinheitEinheit
- ModellDXRSOD3
- Länge68mm
- Breite30mm
- Höhe3mm
- Anzahl der Pins204
- EAN4061428834260
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- SpeichertypDDR2-SDRAM, SO-DIMM
- BusgeschwindigkeitPC2-5300 (DDR2-667)
- HerstellernummerMICRON3RD_1x4GB
- MarkeMicron
- ProduktartDDR SDRAM
- AnwendungsbereichNotebooks
- ZustandNeu
- Anzahl der Module1
- HerstellergarantieSonstiges: Siehe Artikelbeschreibung
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- Gesamtkapazität2-8GB
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- EAN4057719764422
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